• Proceedings of the Korean Institute of Landscape Architecture Conference
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• 2021.10a
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• pp.9-10
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• 2021

• Korean Institute of Interior Design Journal
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• v.13 no.3
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• pp.35-42
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• 2004

This study dealt with approaches in architecture and music in the contemporary situation characterized by accidence and uncertainty through Pierre Boulez and Rem Koolhaas' works. First of all, we examined basic positions with starting from zero degree breaking from fixed ideas and with relative neutrality. Then, from a methodological aspect, we inquired into 1) anti-hierarchical objective approach, 2) accidental approach to form. 3) diagram of structure and event, and 4) the use of selective routes. Lastly, from a receptive aspect, we dealt with the space of pluralistic perspective and works in progress. The two persons used chaosmos approach that enables adjustment and control through structure defining the relationship with accidence or chaos. With the approach, they created works in progress or open works that have a pluralistic viewpoint working in the field of specific relation and the concept of endless regeneration.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.30A no.8
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• pp.72-80
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• 1993

We fabricated 0.3um gate length inverse-T gate MOS(ITMOS) and conventional lightly doped drain oxide spacer MOS(LDDMOS), and studied electrical characteristics for comparison. Threshold voltage of 0.3um gate length device was 0.58 V for ITMOS and 0.6V for LDDMOS. Measured subthreshold characteristics showed a slope of 85mV/decades for both ITLDD and LDDMOS. Maximum transconductance at V S1ds T=V S1gs T=3.3V was 180mS/mm for ITMOS and 163mS/mm for LDDMOS respectively. GIDL current was observed to be 0.1pA/um for ITOMS and 0.8pA/um for LDDMOS. Substrate current of ITMOS as a function of drain current was found to be reduced by a foactor of 2.5 compared with that of LDDMOS.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.27 no.7
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• pp.829-836
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• 2003

Understanding of heat generation in semiconductor devices is important in the thermal management of integrated circuits and in the analysis of the device physics. Scanning thermal microscope was used to measure the temperature and the electric potential distribution on the cross-section of an operating metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). The temperature distributions were measured both in DC and AC modes in order to take account of the leakage current. The measurement results showed that as the drain bias was increased the hot spot moved to the drain. The density of the iso-potential lines near the drain increased with the increase in the drain bias.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.2
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• pp.237-241
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• 1995

반도체 사업의 영역을 어떻게 분류하느냐에 따라 다르겠으나, 우리나라가 메모리 분야에서는 세계의 선진회사와 어깨를 나란히 한다는 점에서 메모리분야와 비메모리분야를 분류해 보고, 특히 비메모리분야의 기술동향과 이 분야에서의 우리나라 반도체 업체들의 사업전개 방향에 대해 방향을 제시해 보고자 한다. 메모리는 국내업체가 세계시장의 30%이상을 공급하고 있고, 256메가디램등 메모리분야에서 최첨단 제품의 개발이 속속 발표되고 있다. 반면에 그의 반도체 (비메모리분야)의 경우는 세계시장의 수 퍼센트도 공급하지 못하는 실정으로 반도체의 75% 가량을 차지하는 이 시장의 진입을 위해 장단기 계획을 수립하여 적극적으로 추진해야 할 것이다. 이 논문에서는 반도체 기술의 현재 상황을 국내외로 비교검토하고 우리나라와 기업의 발전방향을 제시해 보고자 한다.

• Journal of the Speleological Society of Korea
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• v.29 no.30
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• pp.79-86
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• 1992

드문드문 펼쳐진 켄터키의 한 시골에 구부러 흘러내리는 그린천이 있다. 흐름은 유연하고, 강가에는 수목이 무성하다. 그곳 숲에 가리워진 커다란 물이 없는 동굴의 입구가 있다. 반대편에는 지평선 저쪽까지 푸른 초원이 펼쳐져 있다. 특별히 이렇다할 정도의 풍경은 아니지만, 여기에 세계 제일의 경이로운 동굴의 하나를 볼 수 있다. 이 동굴이 맘모스(매머드)동굴의 입구다. 여기서부터 전장 290km의 새끼모양의 동굴이 시작되는 것이다. 세계 최장의 동굴이다. 이 거대한 동굴은 관목이 번성한 프린트 대지와 맘모스 케이프대지, 그 사이를 침식하고 있는 호친스 계곡의 지하에까지 펼쳐진다. 10개 이상의 입구가 있고, 크고 넓은 광장, 폭넓고 긴 터널, 비뚤비뚤한 지하천이 계속된다. 수직굴은 적고, 또 낙차도 적다. 그 때문에, 물이 없는 주굴부는 이상적인 관광동굴로 개발되어 있다. 케이브대지에는 여기저기에 동굴의 일부가 관광에 이용되고 있다. 한 관광동굴에서는, 벌꿀통과 같은 동굴안을 걸어가기 위해 4시간 이상 걸린다. 프린트대지 쪽은 동굴이 복잡하고, 지금도 많은 새로운 동굴이 발견되며, 되어 지고 있다. (중략)

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.11 no.1
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• pp.26-32
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• 1998

We have studied how the characteristics degradation between effective mobility and field effect mobility of gate channel in p-MOSFET's affects the gate channel length being follow by increased stress time and increased drain-source voltage stress. The experimental results between effective and field-effect mobility were analyzed that the measurement data are identical at the point of minimum slope in threshold voltage, the other part is different, that is, the effective mobility it the faster than the field-effect mobility. Also, It was found that the effective and field-effect mobility. Also, It was found that the effective and field-effect mobility of p-MOSFET's with short channel are increased by decreased channel length, increased stress time and increased drain-source voltage stress.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.11a
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• pp.19.1-19.1
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• 2008

• LP가스
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• s.108
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• pp.53-60
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• 2007

일본에서는 향후 2-3년후 LPG수급전망에 대해서 LPG의 신시대가 열릴 것이라는 매우 긍정적 전망을 내놓고 있다. 지난 ‘06.11.28일 고나동아스토모스회 연수강연회에서 발표된 내용을 게재한다.

• Digital Contents
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• no.5 s.144
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• pp.96-97
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• 2005

올해로 52회째를 맞는 NCTA(National Cable & Telecommunications Association)의‘내셔널 쇼’가 미국 샌프란시스코 모스코니 센터(Moscone Center)에서 세계 각지에서 몰려든 참관자들로 북적거리는 가운데 지난 지난달 5일까지 3일 동안 개최됐다.