• Title/Summary/Keyword: 막 손상

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Antifungal Activity of Rheum undulatum on Candida albicans by the Changes in Membrane Permeability (막투과성 변화로 인한 대황의 Candida albicans에 대한 항진균 활성)

  • Lee, Heung-Shick;Kim, Younhee
    • Korean Journal of Microbiology
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    • v.50 no.4
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    • pp.360-367
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    • 2014
  • Candida albicans is an opportunistic and the most prevalent fungal pathogen that can cause superficial and systemic infections in immunocompromised patients. C. albicans can promote the transition from budding yeast to filamentous form, generating biofilms. Infections associated with C. albicans biofilms are frequently resistant to conventional antifungal therapy. Therefore, the development of more effective antifungal drugs related with biofilm formation is required urgently. The roots of Rheum undulatum have been used for medicinal purposes in Korea and China traditionally. The aim of present study was to evaluate the effect of R. undulatum extract upon preformed biofilms of 12 clinical C. albicans isolates and the antifungal activities. Its effect on preformed biofilms was evaluated using XTT reduction assay, and metabolic activity of all tested strains was reduced significantly ($49.4{\pm}6.0%$) at 0.098 mg/ml R. undulatum. The R. undulatum extract blocked the adhesion of C. albicans biofilms to polystyrene surfaces, and damaged the cell membrane integrity of C. albicans which was analyzed by CFDA, AM, and propidium iodide double staining. It caused cell lysis which was observed by Confocal laser scanning and phase contrast microscope after propidium iodide and neutral red staining, respectively. Membrane permeability was changed as evidenced by crystal violet uptake. The data suggest that R. undulatum inhibits biofilm formation by C. albicans, which can be associated with the damage of the cell membrane integrity, the changes in the membrane permeability and the cell lysis of C. albicans.

Cellular Responses to Alcohol in Escherichia coli, Clostridium acetobutylicum, and Saccharomyces cerevisiae (알코올에 대한 Escherichia coli, Clostridium acetobutylicum, Saccharomyces cerevisiae의 반응)

  • Park, Ju-Yong;Hong, Chun-Sang;Han, Ji-Hye;Kang, Hyun-Woo;Chung, Bong-Woo;Choi, Gi-Wook;Min, Ji-Ho
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.49 no.1
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    • pp.105-108
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    • 2011
  • The increased concern for the security of the oil supply and the negative impact of fossil fuels on the environment, particularly greenhouse gas emissions, has put pressure on society to find renewable fuel alternatives. Compared to the traditional biofuel, ethanol, higher alcohols offer advantage as gasoline substitutes because of their higher energy density and lower hygroscopicity. For this reason, microbial fermentation is known as potential producers for sustainable energy carriers. In this study, bacterial responses including cellular and molecular toxicity were studied in three different microorganisms, such as Escherichia coli, Clostridium acetobutylicum, and Saccharomyces cerevisiae. In this study, it was analyzed specific stress responses caused by ethanol and buthanol using four different stress responsive genes, i.e. fabA, grpE, katG and recA. The expression levels of these genes were quantified by semi-quantitative reverse transcription-PCR. It was found that four genes have shown different responsive patterns when E. coli cultures were under stressful conditions caused by ethanol and buthanol, respectively. Therefore, in this study, the stress responsive effects caused by these alcohols and the extent of each stress response can be analyzed using the expression levels and patterns of different stress responsive genes.

Study on Radioprotection of Alliin and Damage Mechanism in Hepatocyte After Irradiation (방사선 피폭 시 간세포의 손상 기전과 알리인의 방어효과)

  • Ji, Tae-Jeong;Kim, Won-Tae
    • Journal of radiological science and technology
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    • v.39 no.4
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    • pp.623-630
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    • 2016
  • Liver tissue damage by a radiation exposure caused a jaundice and ascitic fluid e form harden atrophy. The reason for this lies in morphological damage of a liver cells. This study tried that observe damage mechanism of the cell organelles. It was especially observed mitochondria, endoplasmic reticulum and nuclear membrane associated with energy metabolizable. also, This study had with a radio-protector development research at the same time. Radio-protector was used to alliin that has an blood flow increase. Cell observation make used of transmission electron microscope(TEM). The result of an experiment, 7Gy of whole body irradiation was caused an inflammation in cell organelles and hypertrophy of the nucleus membrane. After 20 days, The hepatocyte has been observed in a damaged membrane on peroxisome, mitochondria and vacuole of the cell organelles. After 30 days, The hepatocyte has been observed in disconnected ribosomes on a rough endoplasmic reticulum. There was looked a giant lipoblast. There was clearly normal observed a mitochondria and nucleus membrane in the hepatocyte after alliin injection. aslo, It was no damaged the nucleus membrane. therefore, It was identified portion a radio-protector effect from alliin.

LPCVD로 성장된 텅스텐 게이트의 물리.전기적 특성 분석

  • 노관종;윤선필;황성민;노용한
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.151-151
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    • 1999
  • 금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$$\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.

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The Fabrication Characteristics of TFELD (박막형 전기장발광소자 제작 및 특성조사)

  • 곽민기;박연수;김형근;장경동;손상호;이상윤;이상걸
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 1994.11a
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    • pp.81-82
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    • 1994
  • 히토류 불화물인 SmF$_3$, PrF$_3$, 및 TbF$_3$를 ZnS 모체에 첨가한 박막 EL소자를 Fig.1과 같이 제작하고 발광중심의 농도변화, 열철, 증착시의 기판온도, 증착되는 막의 두께 등의 조건을 변화시켜서 각 조건에 의존하는 소자의 특성을 X-선회절분석과 분광 스펙트럼 분석으르 바탕으로 해석했다. 광학적 스펙트럼은 발광중심과 모체에 의존하며 기판온도의 변화는 발광층의 결정성 향상에 기여한다는 것을 알았다. 기판 온도의 변화에 의한 막의 결정성 향상과 열처리에 의한 발광중신의 모체내 열확산에 따른 재결정화나 비 방사성이완(non-radiative relaxation)을 일으키는 격자결함의 감소는 EL소자의 발광층내 전도전자에 영향을 미쳐 휘도와 효율의 개선이 이루어짐을 알았다. 소자의 발광층에 흐르는 전도전류와 이동전하량을 각각 Chen-Krupka회로와 Sawyer-Tower회로로 측정했다

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열처리 온도에 따른 액상 증착 실리콘 산화막의 특성 변화

  • Park, Seong-Jong;No, Yong-Han
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.11a
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    • pp.119-119
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    • 2009
  • 선택적 액상증착(Selective Liquid Phase Deposition)을 이용하면, 기존의 열에 의한 손상 없이 섭씨 50도 이하의 낮은 온도로 실리콘 산화물을 증착시킬 수 있다. 형성된 액상증착 실리콘 산화물은 조직이 매우 치밀하며 표면이 매우 고르게 형성됨을 확인하였다. 뿐만 아니라, 액상증착 실리콘 산화물의 누설 전류 또한 매우 낮음을 확인하였다. 또한 형성된 박막에 다양한 온도 하에서 열처리하여 산화막의 특성 변화를 관찰하였으며, 열처리 후에도 박막의 표면 거칠기나 누설전류의 변화가 미미한 것을 확인하였다. 이것은 액상증착 실리콘 산화물이 열처리 유무와 관계없이 집적회로에서 좋은 절연소재로 사용될 수 있는 가능성을 내포한다.

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A Study on the Nitride Residue and Pad Oxide Damage of Shallow Trench Isolation(STI)-Chemical Mechanical Polishing(CMP) Process (STI-CMP 공정의 질화막 잔존물 및 패드 산화막 손상에 대한 연구)

  • Lee, U-Seon;Seo, Yong-Jin;Kim, Sang-Yong;Jang, Ui-Gu
    • The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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    • v.50 no.9
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    • pp.438-443
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    • 2001
  • In the shallow trench isolation(STI)-chemical mechanical polishing(CMP) process, the key issues are the optimized thickness control, within-wafer-non-uniformity, and the possible defects such as pad oxide damage and nitride residue. The defect like nitride residue and silicon (or pad oxide) damage after STI-CMP process were discussed to accomplish its optimum process condition. To understand its optimum process condition, overall STI related processes including reverse moat etch, trench etch, STI fill and STI-CMP were discussed. Consequently, we could conclude that law trench depth and high CMP thickness can cause nitride residue, and high trench depth and over-polishing can cause silicon damage.

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Presumption on Wear life of TiN Film (TiN 경질박막의 마모 수명 예측에 관한 연구)

  • 정기훈;이영제
    • Proceedings of the Korean Society of Tribologists and Lubrication Engineers Conference
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    • 1997.04a
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    • pp.41-46
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    • 1997
  • TiN 코팅은 마모에 대한 저항성 및 고체 윤활 효과가 매우 우수하여 내마모성 및 저마찰이 요구되는 절삭공구나 피스톤 베어링 및 각종 축계의 코팅막으로 사용이 증가되고 있다. 일반적으로 재료의 경도와 인성은 서로 상반 관계를 갖고 있어 공학적으로 경도와 인성을 모두 요구하는 표면을 얻기 위해 연질 모재 위의 세라믹 코팅은 그 요구를 만족시킬 수 있는 가장 각광받는 표면처리 방법중의 하나이다. 그러나, TiN과 같은 경질 박막의 공학적 적용시 가장 요구되는 마모수명은 모재의 조도나 경도, 증착 방법, 접촉 상태, 코팅막의 두께 및 마모의 발생 기구 등에 따라 마찰 및 마모 메커니즘의 현저한 차이를 나타내기 때문에 예측이 거의 불가능한 실정이고, 아직까지 이러한 마모수명 비교 평가방법에 대한 기준 설정 및 정량적 정립이 이루어지지 않고 있다. 본 연구에서는 모재의 경도, 조도, 코팅 두께가 다른 TiN 경질 박막에 압입시험과 스크래치시험시 발생되는 균열 발생 메커니즘과 미끄럼 시험시 발생되는 마모 메커니즘의 연계성을 밝히고 압입 및 스크래치 시험시 코팅막이 손상되는 임계하중과 미끄럼 시험시 접촉하중 변화에 따른 마모수명의 정량적 연관성을 찾아보고자 한다.

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Electrical and optical characteristics of ITO films with different composition (ITO의 조성에 따른 전기적, 광학적 특성)

  • Lee, Seo-Hee;Jang, Gun-Eik
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.216-216
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    • 2010
  • ITO는 n- type 반도체 재료로 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성때문에 널리 사용되고 있는 재료이며 비교적 높은 band gap(3.55Ev)를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지는 특징이 있다. 단점으로는 박막 제조 시에 증착시간의 증가함에 따라 음이온 충격 및 온도 상공으로 인한 막의 표면손상이 발생하게 되고 이것은 전기저항이 증가하는 요인으로 작용하는 문제점이 있다. 본 연구에서는 3가지 조성의 ITO박막을 스퍼터 장치를 이용하여 증착하고 그에 따른 전기적, 구조적, 광학적 특성을 분석 하였다. 증착된 ITO성막의 표면분석을 위해 AFM (Atomic Force Microscope)으로 표면 거칠기값 분석, XRD (X-ray diffraction)을 이용 결정성장분석, SEM (Scanning Electron Microscope)으로 표면의 미세구조관찰, 4Point pobe로 면 저항분석, spectrophotometer로 박막의 투과율과 흡수율을 분석하였다. 조성변화와 공정변수에 따른 전기적, 구조적, 광학적 특성변화의 원인분석으로 고효율의 ITO 박막성장 가능성을 조사하였다.

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Development of 30inch window-unified Touch Screen Panel (30인치 윈도우 일체형 터치스크린패널 개발)

  • Seo, U-Hyeong;Park, Rae-Man;Kim, Gyeong-Hyeon;Sin, Jae-Heon;Hong, Chan-Hwa;Song, Chang-U;Yang, Ji-Ung;Gwon, Hyeok-In;Jeong, U-Seok
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2014.11a
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    • pp.242-243
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    • 2014
  • 본 연구는 윈도우 커버 뒷면에 2층 구조의 전극으로 각 전극들의 상호 정전용량을 이용한 터치스크린 패널을 개발하였다. 정전용량 방식의 터치스크린패널(Touch Screen Panel; TSP)은 필름을 사용하는 저항막 방식에 비해 내구성이 좋아 작은 손상에도 동작에 지장이 없다. 또한, 터치의 정확도가 높고, 광학적 특성이 우수하며 다중 포인트가 가능하다. 윈도우 일체형 TSP는 박막증착을 통해 X축,Y축 방향의 전극 패턴을 형성하였고 전극 교차부는 포토리소그래피공정을 통해 절연막 형성 및 Bridge, Bezel 전극을 형성하여 TSP를 제조 하였다.

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