• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.4 no.2
• /
• pp.175-184
• /
• 1991

급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.5 no.4
• /
• pp.385-392
• /
• 1992

급속열산화방법으로 400-650.deg.C의 온도범위에서 10-600초 동안 n형 InP기판위에 InP자연산화막을 형성하고 산화막의 성장율, 성장기구와 화학적 구성성분 및 전기적 성질등을 조사하였다. InP자연산화막의 두께는 산화시간이 제곱근에 비례하였고 산화온도에 대하여 지수함수적으로 증가하였다. InP자연산화막은 320.deg.C의 온도에서 초기성장이 이루어지고 산소원자들이 InP내부로 확산되는 과정으로 형성되며 산화막 형성에 필요한 활성화에너지는 1.218eV이었다. InP 자연산화마그이 화학적성분은 In$_{2}$)$_{3}$, P$_{2}$O$_{5}$ 및 InPO$_{4}$의 산화물이 혼합하여 구성된다. Au/InP쇼트키다이오드와 InP자연산화막을 게이트절연물로 사용한 MOS 다이오드의 전기적 특성은 다이오드방정식에 따르는 전류-전압특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
• /
• 2002.12a
• /
• pp.124-125
• /
• 2002

최근 자성막의 놀은 자기기록 밀도증가에 따른 고밀도 자성기록매체인 하드디스크(HDD)는 현재 80GByte까지의 저장용량을 가진 하드디스크의 자성합금층 보호막으로 DLC(Diamond-Like Carbon)가 이용되고 있다. 고저장용량을 가지는 하드디스크의 보호막 두께가 점차 얇아짐에 따라 보호막 재료의 경도 및 윤활성은 더욱 중요시되고 있다. 그러나, 보호막의 두께가 감소하면서 현재 적용되고 있는 DLC막으로는 조만간 물리적 한계에 도달할 것으로 예상된다. (중략)

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.6 no.3
• /
• pp.220-227
• /
• 1993

본 논문에서는 산화막의 두께가 23.angs.이며 질화막의 두께를 각각 530.angs., 1000.angs.으로한 캐패시터형 MNOS소자를 제작하고 기억특성을 비교, 분석하였다. 특성조사를 위해 자동 .DELTA. $V_{FB}$ 추적장치를 설계, 제작하여 사용하였다. 기억트랩밀도는 질화막 두께 530.angs.인 소자가 1000.angs.인 소자보다 0.18 x $10^{16}$ $m^{-2}$ 크며, 0.31 x $10^{8}$ V/m 낮은 산화막 전기장에서 전자가 주입되었으며 $10^{4}$sec경과후 포획전자의 유지율도 우수하였다. 또한 포획된 전자는 실리콘쪽으로의 역터넬링으로 인한 감쇠가 우세하게 나타났다. 펄스전압 인가에 따른 플랫밴드전압의 변화가 선형적으로 증가하는 영역에서는 산화막 전류가 지배적이었으며 포화하다 감소하는 영역에서는 질화막 전류의 영향이 컸다. 소거동작은 포획된 전자의 방출과 실리콘으로 부터의 정공주입이 동시에 일어남을 관측하였다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
• /
• 1998.10a
• /
• pp.112-114
• /
• 1998

막분리기술은 분릿대상 성분과 분리매체와의 분자 사이의 힘의 차를 이용하여 분리하는 기술이기 때문에 분리특성을 고도로 기능화시키는 것이 가능하다. 또한 막분리 기술 자체가 에너지 절약기술이기 때문에 차세대 분리기수로서 중요한 역할을 할 수 있다. 이와 같은 분리기술은 역삼투법 등의 수용액계와 상온 부근의 기체분리막은 실용화되어 있다. 그러나 비수용액계 또는 고온 공정에서 특수한 조건하에서 고기능성 분리성능을 가지는 막의 개발에 대한 요구가 증대되고 있다. 이에 대응하여 내열성, 내용제성이 우수한 고분자에 의한 분리성능을 요구한다. 특히 근년에는 방향족 polyimide 수지가 주목을 받고 있으며, 내열성, 내구성 및 기계-전기적 특성이 우수한 재질로 광범위하게 사용되고 있다. 이것은 분자 구성기가 가지는 결합에너지가 크고, 분자의 규칙성에 의한 유리전이온도가 높아서 250-300$\circ$C의 고온에서도 사용이 가능한 재료로서 한외여과막과 기체분리막으로 시판되고 있다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.2 no.1
• /
• pp.25-32
• /
• 1989

Silicon Nitride, Silicon OxyNitride, Silicon Oxide film을 RF Sputter법으로 제작하였다. RF power 1kw에서 산소 공급량과 기관온도에 따라 제작된 막의 조성을 ESCA로 분석하였으며 산소 공급량과 기판온도의 증가에 따라 막에서의 산소함량이 크게 증가하였다. 또한 막의 밀도, 굴절율, 유전율은 산소함량의 증가에 따라 감소하였고 분극율은 Clausius-Mossotti방정식에서 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
• /
• 1996.10a
• /
• pp.84-85
• /
• 1996

키틴은 자연계에 풍부하게 존재하는 다당류로서 이것을 이용하여 탈아세틸화된 형태인 키토산을 제조하였다. 키토산에는 히드록시기, 아민기 등 친수성 작용기들이 있어서 탈수용 분리막의 재료로서 많은 연구가 진행되어왔다. 함산소연료와 정밀화학제품의 원료로 쓰이는 MTBE(methyl t-butyl ether)는 methanol과 i-butylene을 합성시켜 만드는데 고순도의 MTBE를 얻기위해서는 미반응된 methanol의 분리, 제거가 필수적이다. 이에, methanol이 극성을 띄고 상대적으로 MTBE가 무극성인 것을 이용한 투과증발분리 연구가 진행되고 있다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
• /
• 2005.11a
• /
• pp.51-59
• /
• 2005

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.7 no.4
• /
• pp.322-329
• /
• 1997

ECR 마이크로 플라즈마 CVD법에 의하여 단결정 Si기판위에서 대면적에 걸쳐 방향성을 가진 다이아몬드박막을 성공적으로 성장시키고, 막 증착공정을 바이어스처리 단계와 성막단계의 2단계로 나누어 실시할 때 바이어스처리 단계에서 여러 공정 매개변수들이 다리아몬드 핵생성밀도에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. 기판온도$600^{\circ}C$, 압력 10Pa, 마이크로파 전력 3kW, 기판바이어스 +30V의 조건으로 바아어스 처리할 때, 핵생성에 대한 잠복기간은 5-6분이며, 핵생성이 완료되기 까지의 시간은 약 10분이다. 10분 이후에는 다이아몬드 결정이 아닌 비정질 탄소막이 일단 형성된다. 그러나 성장단계에서 이러한 비정질 탄소막은 에칭되어 제거되고 남아있는 다이다몬드 핵들이 다시 성장하게 된다. 또한 기판온도의 증가는 다이아몬드 막의 결정성을 높이고 핵생성 밀도를 증가시키는 데에 별로 효과가 없다. ECR플라즈마 CVD법에서 바이어스처리 테크닉을 사용하면, 더욱 효과적임을 확인하였다. 총유량 100 sccm의 CH$_{3}$OH(15%)/He(85%)계를 사용하여 가스압력 10Pa, 바이어스전압 +30V마이크로파 전력 3kW, 온도 $600^{\circ}C$의 조건하에서 40분간 바이어스처리한 다음 다이아몬드막을 성장시켰을 때 일시적으로나마 제한된 지역에서 완벽한 다이아몬드의 에피성장이 이루어졌음을 SEM으로 확인하였다. 이것은 Si기판상에서의 다이아몬드의 에피성장이 가능함을 시사하는 것이다. 그밖에 라만분광분석과 catodoluminescence 분석에 의한 다이아몬드의 결정질 조사결과와 산소방전 및 수소방전에 의한 챔버벽의 탄소오염효과 등에 관하여 토의하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.11a
• /
• pp.263-264
• /
• 2006

본 연구에서는 Arachidic acid Langmuir-Blodgett (LB)막의 계면특성과 전기적 특성을 측정하였다. Arachidic aicd는 포화지방산으로 ($CH_3(CH_2)_{18}COOH$)의 구조를 가지며, 크기가 27.5[$\AA$]으로 $CH_3(CH_2)_{18}$의 소수기와 COOH의 친수기로 구성되어 있다. LB막은 박막제작시 배열과 배향의 제어가 용이하다. Chloroform을 용매로 하여 2[mmol/l]의 농도를 조성하여 ${\pi}-A$ 등온선을 통해 기체 상태, 액체 상태, 고체 상태를 관찰하였으며 편광각 현미경 (Brewster angle microscopy) 이미지를 통해 각 상태에서의 이미지를 관찰하였다. 또한 LB막의 제작시 사용되어진 ITO 기판은 친수처리 전 후의 접촉각의 측정을 통하여 막의 안정성을 확인하였다. 또한 LB막을 Metal/LB막/Metal 구조의 소자로 제작하여 전압-전류 특성을 측정하였다.