• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.2
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• pp.188-196
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• 1996

LiOH 용액에서 핵연료피복관용 Zr합금의 부식이 가속되는 현상을 규명하기 위하여 autoclave를 이용하여 순수물, 다른 농도의 Li 용액 및 여러 가지 알카리 수산화물 조건에서 부식시험을 실시하였다. LiOH 용액에서 부식이 가속되는 현상은 용액 내에 Li 농도가 2.2ppm 이상에서부터 일어나기 시작하며 30ppm 이상에서는 급격한 가속 현상이 일어난다. 부식반응 동안에 발생되는 수소 흡수현상은 220ppm Li에서는 물에 비해 약 2배의 높은 수소흡수율을 나타내며 산화막은 주로 수소화물이 모여 있는 지역에서 우선적으로 성장한다. Li가속 부식기구와 관련하여 본 연구 결과는 지금까지 다른 연구자들이 제안한 부식 기구들과는 일치하지 않았다. LiOH 용액 내에서는 수소흡수와 수소화물 형성이 가속되고 이로 인해 산화막의 성질이 비보호성의 산화막으로 변함으로서 부식은 가속된다는 새로운 모델을 제시하였다.

• Journal of the Korean Society of Hazard Mitigation
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• v.3 no.3 s.10
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• pp.143-150
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• 2003

Recently, The corrosions of reinforced concrete structures are severe problems of economical social effects. PE-coated bars protecting from corrosion and enhancing durability of reinforced concrete structures are testified to evaluate structural properties. Tests are verified by comparative bending tests of the three type materials of epoxy coating, without coating and pe-coating. Load-deflection relations ate superior in pe-coated bar than any other materials(bare bar and epoxy bar). These are proved bonding properties enhancement by using cement powder.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.319-320
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• 2008

본 연구에서는 대기압하에서 고품질의 산화막 증착을 목적으로 TEOS(Tetraethyl Orthosilicate)를 이용하여 APCVD법(Atmospheric Pressure CVD)으로 실리콘 산화막을 증착하고 하였으며, 특성 비교를 위하여 ICP-CVD를 이용하여 $SiH_4$ 와 $N_2O$ source gas를 이용하여 산화막을 증착하였다. 트랜지스터 제작후 Semiconductor measurement system을 이용하여 TFT의 전기적 특성을 측정 하였으며, 결과적으로 유기 사일렌을 사용한 경우 보다 우수한 전기적 특성을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.295-296
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• 2005

Poly-Silicon Thin Film Transistor 응용을 위한 $SiO_2$ 박막 성장에 관한 연구로서 기존의 ICP-CVD를 이용한 실험에서 $SiH_4$ 가스대신 유기 사일렌 반응물질인 TEOS(TetraethylOrthosilicate) Source를 이용하여 APCVD 법으로 성장시켰다. $SiO_2$ 박막은 반도체 및 디스플레이 분야에서 필드산화막, 보호막, 게이트 절연막 등으로 사용되며, 이러한 산화막 증착을 TEOS를 이용하였고, 빠른 증착과 더 좋은 특성을 갖는 박막 형성을 위하여 $O_2$ 반응가스를 이용하였고, Ellipsometor, XPS 등을 이용하여 계면 특성 분석을 하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.10 no.8
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• pp.564-568
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• 2000

Langmuir-Blodgett(LB) 법은 미래의 분자전자소자를 위한 가장 유력한 수단이며, 이러한 분자박막 소자는 그 성질이 분자는 배향에 영향을 박데 되므로 현재 새로운 물질을 이용하여 분자전자소자의 제작에 있어 관심을 모으고 있다. 본 연구에서는 (N-docosyl quinolinium)-TCNQ(1:2) 전하 이동 착물 LB 막의 분자 배향을 UV/vis 편광흡수 스펙트럼과 FT-IR transmission 및 reflection-absorption 스펙트럼의 흡수강도를 비교하여 정량적으로 평가하였다. 그 결과 TCNQ의 transition dipole moment의 각은 약 56~58。 였으며, 알킬 고리의 경사각은 약 11.1~13。였다. 제작된 Z-형 LB 막의 표면은 고압에서 중앙 높이 차가 3~4$\AA$으로 평탄하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.79.1-79.1
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• 2012

Si 기판을 무전해 식각하여 나노와이어 형태로 합성하는 방법은 쉽고 간단하기 때문에 이를 이용한 소자 특성 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만 이러한 방법으로 제작된 Si 나노와이어의 경우 식각에 의하여 나노와이어 표면이 매우 거칠어지기 때문에 고유의 특성을 나타내기 어려워 표면 특성을 제어 할 수 있는 연구의 필요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법을 이용하여 p와 n형 나노와이어를 각각 합성하고 그 특성을 구현하기 위하여 표면조절을 진행하였다. 특히 n형 나노와이어의 경우 표면의 OH- 이온으로 인하여 n채널 특성이 제대로 나타나지 않기 때문에 열처리를 이용하여 표면을 보다 평평한 형태로 조절하여 향상된 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 여기에 나노와이어와 절연막 사이의 계면 결함을 최소화 하기 위하여 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 나노와이어를 삽입시켜 나노와이어의 문턱전압 값을 조절하였다. 이를 바탕으로 complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) 구조의 인버터 소자를 제작하였으며 p형 나노와이어가 절연막에 삽입된 정도에 따라 인버터의 midpoint voltage 값을 조절 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.185-186
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• 2007

3,3-Dimethyl-1-butene ($C_6H_{12}$) monomer를 이용하여 RF power와 압력에 따라 막을 증착하였다. 증착된 막은 power/pressure (W/Torr)가 증가할수록 비정질 탄소막은 FT-IR 스펙트럼에서 $CH_x$ (at around $2900cm^{-1}$)는 감소하였고, n과 k값은 증가하는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.104-105
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• 2007

3,3-Dimethyl-1-butene($C_6H_{12}$) monomer를 이용하여 RF power와 압력에 따라 증착된 막의 refractive index와 extinction coefficient를 알아보았다. 증착된 막의 n & k는 power/pressure가 증가할수록 증가하였으며, Ar으로 증착된 막이 더 낮은 값을 갖는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.06a
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• pp.186-187
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• 2006

본 논문에서는 PECVD를 이용하여 증착시킨 실리콘 산화막에 영향을 주는 파라미터 입력에 따른 박막의 특성을 평가하기 위하여 먼저 통계적 실험계획을 통해 산화막 특성에 유의한 영향을 미치는 요인을 분석하고, 분석된 결과를 이용하여 가장 유의한 교호작용을 신경망 모델링에서 입력파라미터로 포함시킴으로서 교호작용을 고려하지 않은 경우와의 학습결과를 비교하여 두가지 모델링 방법 중 교호작용을 고려한 신경망 모델의 경우가 PECVD의 물리적 현상을 더 명확히 설명할 수 있음을 확인했다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.12
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• pp.1229-1233
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• 1999

In this research, We fabricated Langmuir-Blodgett(LB) ultra-thin films with (N-docosyl quinolinium)- TCNQ(1:2) complex. The characteristics ${\pi}$-A isotherms were studied to find optimum conditions of deposition by varing temperature of subphase, compression speed of barrier and amount of spreading solution. Film formation was verified by measuring transfer ratio, maximum absorption of UV-vis spectra, capacitance and ellipsometry. From the results, it was concluded that the LB film formed well with molecular oder was fabricated.