• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.3 no.6
• /
• pp.638-644
• /
• 1993

The degradation of dielectric breakdown field of 8nm-thick gate oxide ($SiO_2$) for Tipolycide MOS(meta1-oxide-semiconductor) capacitor with different annealing conditions and thickness of the polysilicon film on gate oxide was investigated. The degree of degradation in dielectric breakdown strength of the gate oxide for Ti-polycide gate became more severe with increasing annealing temperature and time, especially, for the case that thickness of the polysilicon film remained on the gate oxide after silicidation was reduced. The gate oxide degradation may be occurred by annealing although there is no direct contact of Ti-silicide with gate oxide. From SIMS analysis, it was confirmed that the degration of gate oxide during annealing was due to the diffusion of titanium atoms into the gate oxide film through polysilicon from the titanium silicide film.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.6 no.7
• /
• pp.692-699
• /
• 1996

nptype Si(100)웨이퍼를 precleaning하고 HF 용액에 dip etching한 후 E-beam dvaporator에 장착하여 Co 단일막($170\AA$, $340\AA$)과 Co/Ti 이중막($200\AA$/ $(50-100)\AA$)을 성장시켰다. 시편의 RTA 과정에서는 N2분위기에서 direct annealing 방식으로 열처리 온도와 시간을 변화시켜가며 Co-silicidation 공정을 수행하였다. Co 단일막으로 형성된 Co-실리사이드의 면저항은 $500^{\circ}C\leq$T$\leq$$850^{\circ}C$범위에서 열처리 온도와 시간의 변화에 관계없이 거의 일정한 값을 나타내었다. Co/Ti 이중막의 경우 Co-실리사이드의 형성온도가 Co 단일막의 경우에 비해 높게 나타나고 낮은 비저항의 CoSi2를 얻기 위해서는 $800^{\circ}C$이상의 온도로 열처리해야 함을 알 수 있었다. XRD 분석결과, Co 단일막으로부터 얻어진 CoSi2는 (111) 및 (220) 결정상을 나타내었으나, Co/Ti 이중막에 의한 CoSi2는 (200)결정상만이 나타나서 Si(100)기판과 에피층을 이루고 있음을 알 수 있었다. 본 실험에서 CoSi2의 비저항은 약 $18\mu$$\Omega$.cm로 나타났으며, TEM 및 AES 분석으로부터 Co/Ti bilayer-실리사이드가 다량의 Si과 Ti 외에 소량의 Co가 섞여있는 표면 복합층과, Si과 Co만이 존재하는 내부 에피층으로 구성됨을 확인하였다.

• Membrane Journal
• /
• v.33 no.6
• /
• pp.279-304
• /
• 2023

Polybenzimidazole (PBI) based membranes have evolved in literature as a popular membrane material for various applications in the past two decades because of their high temperature thermal durability, strong mechanical and tensile properties, high glass transition temperature (T_g), ion conduction ability at elevated temperature (up to 200℃), oxidative or chemical durability along with robust network like structural rigidity, which make PBI membranes suitable for various potential applications in chemically challenging environments. Ion conducting PBI based membranes have been extensively utilized in high temperature proton exchange membrane fuel cells (HT-PEMFC). In addition, PBI based membranes have been vastly utilized for the development of gas separation membranes and organic solvent nanofiltration (OSN) membranes for their unique characteristics. This review will cover the recent progress and application of various types of flat sheet PBI based membranes for HT-PEMFC, gas separation and OSN application.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2007.11a
• /
• pp.30.2-30.2
• /
• 2007

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 1996.05a
• /
• pp.23-26
• /
• 1996

고주파 스퍼터링 방법에 의하여 상온에서 Si(100)기판 위에 AIN막을 형성하였다. 기판의 온도, 고주파 출력, 스퍼터링 시간, 질소의 비율을 변화인자로 해서 각 조건하에서 제작된 AIN의 결정질을 X선 회절법, 적외선 분광법, 전자현미경으로 상호비교 하였다. 자외선 투과법에 의해, 제작된 AIN 막의 금지대 폭은 4.27eV 이었다. 질소 비율에 따른 AIN 막두께의 변화는 질소비율 40∼60%에서 급격하게 일어났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2012.11a
• /
• pp.153-153
• /
• 2012

금은 양호한 전기적 특성 및 높은 연성과 퍼짐성을 갖고, 화학적 안정성도 우수하기 때문에 전자부품의 배선재료, 접점재료뿐만 아니라 우주왕복선의 박막 방어막으로도 사용되고 있다. 도금두께 제어가 우수하고, 수조의 관리가 용이하기 때문에 오래전부터 인쇄회로기판 분야에서도 최종표면처리(Surface Finish)에 적용되고 있다. 최근 전자부품이 다시 고밀도화가 추진되고, 미세 배선회로가 증가함에 따라 무전해 도금 보다 균일전착 막을 얻을 수 있는 전해금 도금공정이 요구되고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2002.11a
• /
• pp.548-550
• /
• 2002

본 장치는 다층막 스퍼터링 증착장치로써 박막을 증착시키는데 용이하게 설계하는 것이 목적이며, 박막두께가 균일하게 증착되고 진공조 내부의 압력을 일정하게 제어가 가능하고 배기시스템은 스퍼터실과 증착실의 진공배기를 공용으로 구조를 설계하여 장치의 스퍼터링 증착조건에 적합하도록 연구실험용으로 설계되어졌다.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
• /
• 1995.04a
• /
• pp.48-49
• /
• 1995

금년에 고도화 사회의 진전을 배경으로 여러분야에서 섬유고분자재료에 대하여 보다 기능성이 요구되고 있다. 그 중에서도 가장 중요한 기증중의 하나인 감성과 정서, 쾌적 기능의 요구와 더불어 기능성 물질의 합성과 추출, 섬유에의 복합화 기능에 대하여 활발한 연구가 진행되고 있다. 기능성 물질의 섬유에의 복합화 가공은 섬유재료와 여러 공정 조건의 복합적 요소에 의하여 좌우되며 기능성 물질의 흡착, 포괄방법에서 일반적으로 흡진, 혼합방사, microcapsule에 의한 봉입처리를 후가공법으로 행해오고 있고 특히 기능성 물질의 안정적 측면에서 microcapsule에 의한 기능성 부여에 대한 연구가 특히 주목을 받고 있다.

• 전기의세계
• /
• v.31 no.11
• /
• pp.758-765
• /
• 1982

레이저어니이링법은 이온주입층의 어니이링뿐만 아니라 단결정기반위의 증착막의 에피택셜 성장, 비정질기반위에 단결정Si 막의 형성, 오옴믹전극이나 금속실리사이트의 형성 등 레어저어니이링법의 장점을 이용한 여러가지 재료처리기술이 연구되어 흥미있는 결과가 얻어지고 있다. 예를 들면 비정질상의 단결정Si의 형성은 값이 싼 태양전지와 삼차원집적화 디바이스를 실현하는 것으로서 주목을 받고 있다. 또한 냉각속도가 지금까지 사용된 여러가지 급냉법보다 큰 점을 이용하여 준안전상합금등의 새로운 재료의 합성이 시행되고 있다. 본고에서는 레이저어니이링의 기구, 특징 및 여러가지 응용예를 중심으로 하여 서술한다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.6 no.6
• /
• pp.605-609
• /
• 1996

MOS 소자의 얇은산화막(thin oxide)불량을 화학적으로 식각하지 않고 불량부위를 광전자방사(photon emission)반응을 이용하여 위치를 확인하고, 이곳을 FIB로 절단하여 불량부위의 단면을 관찰했다. 20nm 두께의 SiO2불량은 셀(cell)영역의 위치에 따른 의존성은 없고, 불량은 저전계의 입자(particle)성 불량과 중간전계의 Si 기판 핏(pit)과 관련된 불량이 주였다. 고전계에서는 전형적인 SiO2 산화막의 절연파괴가 일어난 것이 관찰된다.