• Title/Summary/Keyword: 막온도

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당뇨병 진단을 위한 젤라틴 진단막에 관한 연구(1) 온도와 습도가 글루코우즈의 확산 조절에 미치는 영향 (Studies on the Multi-Layered Gelatin Diagnostics Membranes for Diabetes(1) : Effects of Temperature and Humidity on the Diffusion-Controlled Rates of Glucose)

  • 권석기;이병철
    • 멤브레인
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    • 제9권2호
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    • pp.126-131
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    • 1999
  • 당뇨병 환자의 혈당치 측정을 위하여 다층젤라틴 필름으로 만들어진 진단막을 제조하였다. 플라즈마와 혈액 속의 글루코우즈의 농도 변화에 따른 최대확산속도를 측정하였다. 여러 가지 온도에서 3일, 2주, 4주 보관후 온도가 글루코우즈의 확산속도에 미치는 영향을 조사하였다. 다층 젤리탄 진단막의 안정성을 상대습도 80%에서 측정하였다.

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분무 노줄에서 분사되는 액체막의 분산현상에 관한 실험적 연구

  • 이상용;김인구
    • 대한기계학회논문집
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    • 제9권3호
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    • pp.387-394
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    • 1985
  • 본 연구에서는 액체막의 분산현상에 관한 기존의 연구결과들을 토대로 하여 주위 기체의 응축이 액체막의 분산현상-즉, 분산기구와 액체막의 길이(breakup length )에 미치는 영향을, 여러 형태의 노즐에서 분사되는 액체막의 유속과 온도를 변화시켜 가면서, 알아보고자 한다.

UF/RO 공정을 이용한 정유공장 방류수의 재활용을 위한 고도처리 (Advanced Treatment for Reuse of Oil Refinery Process Wastewater using UF/RO Processes)

  • 이광현
    • 멤브레인
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    • 제10권4호
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    • pp.220-229
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    • 2000
  • 본 연구는 한외여과 중공사형 모듈과 역삼투 나권형 모듈로 구성된 모듈 set 1∼7을 이용하여 모듈 set에 따른 순수 및 2차 처리수의 투과 flux를 고찰하고, 적용압력과 온도변화에 의한 한외여과 막과 역삼투 막의 분리 특성을 고찰하였다. 탁도와 SS는 한외여과 막에서 효율적으로 제거되며 COD, T-N, TDS 등은 역삼투 막에서 우수한 제거효율을 나타내었다. 적용압력과 온도의 증가에 따른 투과 flux는 선형적으로 증가하는 경향을 보였다. 이로부터 한외여과 및 역삼투 막은 정유공장 방류수의 고도처리 및 재활용을 위해 적합한 것으로 나타났다.

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세라믹-실리콘 복합막의 기체투과 특성 (Gas Permeation Properties of the Ceramics-Silicone Composite Membranes)

  • 황승노;양재건;정일현
    • 공업화학
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    • 제8권3호
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    • pp.374-381
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    • 1997
  • 유리를 원료로 주형법에 의해 세라믹막을 제조하고, sodiumate, $S_3$-Al, $S_3$등의 실리콘 화합물을 침적시켜 세라믹-실리콘 복합막을 제조하여 이에 따른 기체 투과특성에 대해 연구하였다. 제조된 세라믹막과 세라믹-sodiumate 복합막은 다공성 구조임을 알수 있었고, 세라믹-$S_3$-Al과 세라믹-$S_3$ 복합막은 실리콘 화합물의 공극도입에 의한 치밀한 공극구조가 확인되었다. 세라믹막과 세라믹-sodiumate막의 경우 온도가 증가함에 따라 투과속도가 감소하고 압력에 따라 선형적으로 투과속도가 증가하였으며, 세라믹-$S_3$-Al과 세라믹-$S_3$ 복합막은 온도가 증가함에 따라 투과속도가 증가하는 경향을 보였으며, 상대적으로 투과속도에 미치는 압력의 영향이 적었다. 투과속도는 세라믹막이 가장 빠르게 나타났고, 세라믹-sodiumate, 세라믹-$S_3$-Al, 세라믹-$S_3$ 복합막 순서였으며, 선택도는 이와 반대 경향을 보였다. 또한 침적을 통한 투과속도를 구하여 실제 복합막의 투과속도와 비교한 결과, $S_3$가 가장 큰 영향이 있음을 확인하였다. 투과 메카니즘의 변화에서 세라믹막과 세라믹-sodiumate 복합막은 온도에 따라 투과기체의 투과도가 감소하는 Knudsen영역의 투과특성을 보였으나, 세라믹닉-$S_3$-Al과 세라믹-$S_3$ 복합막은 이와 반대로 온도에 따라 투과도가 증가하는 activated 확산 메카니즘을 따르는 특성을 보였다.

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RF sputter에 의한 SiNy막 제작에서의 산소 주입효과 (Oxygen Effect of SiOxNy Films by RF Sputter)

  • 임성환
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제2권1호
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    • pp.25-32
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    • 1989
  • Silicon Nitride, Silicon OxyNitride, Silicon Oxide film을 RF Sputter법으로 제작하였다. RF power 1kw에서 산소 공급량과 기관온도에 따라 제작된 막의 조성을 ESCA로 분석하였으며 산소 공급량과 기판온도의 증가에 따라 막에서의 산소함량이 크게 증가하였다. 또한 막의 밀도, 굴절율, 유전율은 산소함량의 증가에 따라 감소하였고 분극율은 Clausius-Mossotti방정식에서 얻을 수 있었다.

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(Polyvinylchloride/액정) 복합막의 상분리 구조 (Phase Separation Structure of (PVC/Liquid Crystal) Composite Membrane)

  • 이미선;최성부;이한섭;박관선;김병식
    • 한국막학회:학술대회논문집
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    • 한국막학회 1998년도 춘계 총회 및 학술발표회
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    • pp.68-69
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    • 1998
  • 1. 서론 : 고분자/액정 복합막은 액정의 높은 분자운동성이 물질의확산에 기여하여 우수한 투과성을 나타낸다. 이 막은 3차원의 망상구조를 갖는 매트릭스 고분자내에 액정이 연속상으로 안정하게 분산된 상분리 구조를 가지고 있다. 이 복합막은 그러한 상분리 구조에 기인하여 자기지지형(self support LC) 복합막이라고도 한다. 복합막 중에 액정은 탄화수소가스에 대하여 높은 선택성을 나타내어 막속으로 흡착을 촉진하고 액정물질이 결정에서 액정으로 변화는 전이온도에서 투과계수가 100-200 증가한다고 보고하였다. (생략)

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Simple Passivation Technology by Thermal Oxidation of Aluminum for AlGaN/GaN HEMTs

  • 김정진;안호균;배성범;문재경;박영락;임종원;민병규;윤형섭;양전욱
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.176-176
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    • 2012
  • 본 연구는 GaN 기반의 전자소자의 표면 패시베이션 방법으로 열산화 공정을 이용한 알루미늄산화막 패시베이션 공정에 대하여 연구하였다. 결정질의 알루미늄산화물은 경도가 크고 화학적으로 안정적이기 때문에 외부 오염에 대한 소자 표면을 효과적으로 보호할 수 있으며, 열적안정성이 뛰어나 공정중 또는 공정 후의 고온 환경에서의 열 손상이 적은 장점을 가진다. 결정질 알루미늄산화막($Al_2O_3$)을 소자 표면에 형성하기 위해서 일반적으로 TMA (trimethlyaluminium)와 오존($O_3$)가스를 이용한 ALD 공정법이 사용되고 있으나 공정 비용이 비싸고 열산화막에 비해 전자 trapping이 많이 발생하여 전자이동도가 저하되는 단점이 있어, 본 연구에서는 열산화 공정을 이용하여 소자의 전기적 특성 저하를 발생시키지 않는 알루미늄산화막 패시베이션을 수행하였다. 실험에 사용된 기판은 AlGaN/GaN 이종접합 구조가 증착된 HEMT 제작용 기판을 사용하였으며 TLM 구조를 제작하여 소자의 채널 면저항 및 절연영역간 누설전류 특성을 확인하였다. TLM 구조가 제작된 샘플 위에 알루미늄을 100 ${\AA}$ 두께로 소자위에 증착하고 $O_2$ 분위기에서 약 $525{\sim}675^{\circ}C$ 온도로 3분간 열처리하여 알루미늄 산화막을 형성한 후 $950^{\circ}C$ 온도로 $N_2$ 분위기에서 30초간 안정화열처리 하여 안정한 알루미늄 산화막 패시베이션을 형성하였다. 알루미늄산화막 패시베이션 후 소자의 절연영역 사이의 누설전류는 패시베이션 전과 비슷한 크기를 나타냈고 패시베이션 후 채널의 면저항이 패시베이션 전에 비해 약 20% 감소한 것을 확인하였다. 또한 패시베이션된 소자와 패시베이션되지않은 소자에 대해 $900^{\circ}C$ 온도로 30초간 열처리한 결과 패시베이션 되지 않은 소자는 74%만큼 채널 면저항이 증가하였으며, 절연영역 누설전류가 다섯오더 크기로 증가한 반면 알루미늄산화막 패시베이션한 소자는 단지 13%의 채널 면저항의 증가를 나타내었고 절연영역 누설전류는 100배 감소한 값을 보여 알루미늄산화막 패시베이션이 소자의 열적 안정성을 향상시키는 것을 확인하였다.

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차광막를 이용한 하절기 콘크리트포장의 초기온도 관리 방안연구 (A Study for Controlling Early-age Temperature Rise of the Concrete Pavement by Shadow Tent in Hot Weather Construction)

  • 조영오;김형배;서영찬;안성순
    • 한국도로학회논문집
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    • 제6권4호
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    • pp.75-89
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    • 2004
  • 콘크리트 포장의 장기 공용성은 시공조건과 환경조건에 크게 좌우된다. 즉 초기에 무작위 균열이나 균열틈이 많이 벌어진 경우 포장수명을 저감시키는 원인이 된다. 시공당시의 온도와 습도, 시멘트와 골재의 종류, 양생조건들은 콘크리트포장의 품질에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 그 중에서도 대기온도와 수화열의 증가에 의한 높은 온도차이는 심각한 초기균열을 발생시키는 원인이 되는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 차광막을 사용하여 콘크리트 슬래브의 온도를 제어하여 초기균열이 발생할 가능성을 낯추고 슬래브질이의 온도차이에 의해 발생되는 curling stress를 줄일 수 있었고, 강도에 있어서는 차광막 설치 구간이 일반시공구간보다 장기강도를 크게 할 수 있음을 확인하였다. 또한 콘크리트포장의 포설 후 72시간의 강도 및 응력을 예측하는 프로그램인 HIPERPAV를 사용하여 초기에 균열이 발생할 가능성을 비교해본 결과 차광막을 설치한 구간이 본 시험시공의 예에서 균열이 발생하지 않을 가능성(reliability)이 차광막을 설치하지 않은 구간(일반시공구간) 72.5%. 차광막설치 구간 95%로 나타나 차광막설치 구간이 차광막을 설치하지 않은 구간보다 균열이 발생하지 않을 가능성을 크게 증가시킬 수 있을 것으로 분석되었다.

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한외여과막을 이용한 효소재순환 시스템에서의 효소역가감소 (Enzyme Deactivation During Enzyme Recycling with Ultrafiltration Hollow Fibers)

  • 김준석;정용섭홍석인
    • KSBB Journal
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    • 제11권3호
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    • pp.347-352
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    • 1996
  • 통시당화발효공정에 적용된 막분리 효소재순환 시스템을 이용하여 온도 및 압력 조건에 따른 효소역 가감소현상에 대해서 고찰하였다. 목질계바이오매스 를 기질로한 효소당화공정을 고려하여 사용된 효소인 cellulase와 ${\beta}$-glucosidase을 막분리 재순환 시킬 수 있는 최적의 막은 MWCO가 50,000인 한외여과 막이라 판단되었다. cellulase의 경우 한외여과막을 이용하여 연속적으로 재순환 시 켰을때, 효소역가의 감소를 확인할 수 없었다. 그러나 ${\beta}$-glucosidase는 온도와 압력이 증가할수록 초기상태를 기준으로 온도 $42^{\circ}C$, 투과압력 28.4 psig에서 최대 35%까지 감소함을 확인하였다. 이것은 온도와 압력이 중가할 수록 투과플럭스가 증가하고, 이에따른 막모률의 사(fiber) 내부표면에서 전단(shear)이 증가된 결과로 설명할 수 였다.

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HF 세정후 자연 산화막의 존재가 티타늄 실리사이드 형성에 미치는 영향 (The Effect of Native Oxide on the $TiSi_{2}$ Transformation after HF Cleaning)

  • 배종욱;현영철;유현규;이정용;남기수
    • 한국재료학회지
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    • 제8권5호
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    • pp.464-469
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    • 1998
  • HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 40$0^{\circ}C$일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 40$0^{\circ}C$로 유지했을 때는 C54~$TiSi_2$상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 $100^{\circ}C$정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 $400^{\circ}C$에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 $\mu$$\Omega$cm임을 확인하였다.

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