• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.272-273
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• 2000

대용량의 정보처리에 필요한 새로운 광원에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데, 광원과 광변조 능력을 동시에 가지고 있는 VCSEL이 상당한 주목을 받아 왔지만, 이 소자는 발진하는 레이저의 파장이 활성층의 온도 변화에 따라 천이하는 점과, 편광의 변질 등으로 인해 8$\times$8이상의 고집적 어레이 제작이 어려운 단점이 있어 실용화에 어려움을 겪고 있다. 마이크로 디스크의 위스퍼링 갤러리 모드를 응용한 광양자테 (PQR) 레이저가$^{[l,2]}$ 지닌 몇 가지 특성들은 VCSEL이 가진 문제들을 해결할 수 있는 가능성을 제시하고 있다. 수 $\mu$A에서 nA급의 문턱전류로 구동할 수 있어 주입전류에 의한 활성층의 온도변화 통제가 가능하며, VCSEL이 온도가 증가에 따라 출력파장이 선형적으로 증가하는 반면, PQR 레이저의 출력 파장은 (equation omitted)에 비례하여 증가하므로 온도-파장 관계가 포화되는 영역에서는 주입전류나 외기 온도에 의한 영향을 거의 받지 않는 안정성 때문에 고집적 어레이 광원 제작시 유리하다. 또, 레이저 출력면의 각도에 따라 각각 다른 파장의 빛을 방출하므로, 각도에 따른 각 파장별 필터를 이용하면 광센서 등 여러 가지 용도에 응용할 수 있을 것으로 기대된다. (중략)

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.19 no.10
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• pp.60-65
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• 2002

For optimal design of micro stage, we measured the displacement of piezoelectric transducer that was based on voltage value. And the micro stage was analyzed using FEM with displacement data including voltage value of piezoelectric transducer. For verification of analysis results, the displacements were measured by using Laser-interferometer. And researchers confirmed to propriety on design of micro stage with FEM, we obtained 3.5% error rate between measurement results and analyzing results.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.14 no.4
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• pp.9-14
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• 1977

A parallel mode CRT interfacing technique has been suggested for a microcomputer system. The number of components and the I/O speed were improved significantly by this technique. As an appliation of this technique, a prototype program develoment system was designed and tested experimentally for the use fulness in prototype program developmenting.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.209-212
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• 2001

본 논문에서는 Ka-band 위성 중계기용 국부 발진기에 사용하게 될 전압제어 발진기의 EM (Engineering Model)을 비선형 방법으로 설계하였다. 전압제어 발진기의 위상잡음을 개선하기 위하여 공진기로 사용되는 유전체 공진기와 결합하는 마이크로스트립 라인을 high impedance inverter로 구현함으로써 공진회로의 quality factor를 우수하게 유지하여 능동소자에 전달되도록 하였다. 개발된 전압제어 발진기는 0～12V의 제어전압으로 9.7965～9.8032GHz의 발진범위를 갖으며 공급전력은 8V, 17mA을 필요로 한다. 제작된 전압제어 발진기의 위상잡음은 -96.51dB/Hz @10KHz와 -116.5dBc/Hz @100KHz의 특성을 나타내며 출력전력은 7.33dBm을 얻었다.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.58 no.12
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• pp.2474-2479
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• 2009

This paper presents an atmospheric microplasma-jet device for bio~medical application. The microplasma-jet device consists of four components; a thin Ni anode, porous alumina insulator, a stainless steel cathode and an aluminum case. The anode has 8 holes, and hole diameter and depth are $200 {\mu}m$ and $60 {\mu}m$, respectively. The discharge test was performed in atmospheric pressure using nitrogen gas and AC voltage at the optimum gas flow rate of 4 Vmin. The plasma-jet is ejected stably for the input voltage ranging from 5.5 to $9.5 kV_{p-p}$. The plasma becomes dense as the input voltage increases, which was verified by the hydrophilicity change of PMMA surface treated by the plasma. The temperature increasement of the aluminum film exposed to plasma-jet illustrates that the micro plasma-jet device is feasible for bio-medical application.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1434-1435
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• 2008

In this paper, we propose a method that applies Vector Fitting(VF) and Adaptive Frequency Sampling(ASF) technique to the equivalent circuit model for RF passive components. VF and ASF schemes are implemented to obtain the rational functions. S parameters of the equivalent circuit model is compared to those of EM simulation in case of the microstrip structure with coupled bandpass filter.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1979-1981
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• 2002

새로운 방식의 일체형 flexible sensor module을 제작하였다. MEMS공정을 이용하여 제작된이 센서 모듈은 배선기판은 물론 strain sensor 역시 임의의 곡면에 실장을 위해 자유로운 굽힘이 가능하도록 제작되었다. 실리콘웨이퍼에 구현된 piezoresistor 스트레인 센서는 release-etch 방법을 통해 웨이퍼로부터 분리되어, 폴리이미드를 기판으로 하는 Flexible Sensor Array Module로 완성되었다. 소자와 기판을 따로 제작한 후 조립하는 기존의 방식에 비해, 웨이퍼 위에서 flexible 기판을 형성하여 수율이 높고 사진공정의 정밀도를 그대로 보전한 기판과 센서 어레이의 패키징이 가능하였으며, 칩을 기판에 실장하기 위한 정밀한 조립공정도 불필요하였다. 폴리이미드 기판은 전기도금을 통해 회로를 구성하여 1단계 패키징 (die to chip carrier)과 2단계 패키징 (chip to substrate)을 웨이퍼 레벨에서 완성하였다. 마지막으로 불산 용액을 통해 희생층을 제거함으로서 웨이퍼로 부터 센서어레이 모듈을 분리 하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.9 no.2
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• pp.327-332
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• 2008

New RF matcher module has been proposed in this paper for improvement of RF matcher in plasma etcher system using in semiconductor and display panel manufacturing process. New designed warm gear was used instead of bevel gear in new driving module, and control system was re-arranged with one-chip micro-process technique. The matching performance of new match module was improved in various process condition with reduction of backlash and matching time, and flexible motion of motor compared commercial match module. However this new type RF match module will improve the productivity in etching process of the mass production line.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.14-14
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• 2004

전자 공학 분야의 발전으로 인해 작은 구조물을 제작할 수 있는 리소그라피 (lithography) 기술이 급속하게 발전하고 있으며, 보다 작은 구조물에 대한 수요도 빠르게 증가하고 있다. 지난 수십 년간 반도체 분야에 적용 되어온 Moore's law에 의하면, 수년 내에 수십 나노 미터 크기의 특성 길이 (Critical Dimension)를 지닌 구조물을 이용하여 소자가 제작될 것 이 예견되고 있다. 반도체 공정을 응용하여 작은 구조물을 제작하는 기술은, 전자 공학 분야뿐만 아니라 광전자공학(optoelectronics) 분야, 양자 계산(quantum computing) 분야, 양자 계산(quantum computing) 분야, MEMS/NEMS, 바이오 센서(biosensor)분야 등에 다양한 응용성을 가질 것으로 예상된다.(중략)

• Transactions of Materials Processing
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• v.11 no.7
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• pp.569-574
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• 2002

Recently, thick PZT films are required for the cases of micro piezoelectric devices with high driving force, high breakdown voltage and high sensitivity, and so on. In this work, thick PZT films were fabricated by Sol-Gel multi-coating method. Microstructures, and electrical properties of films were investigated by XRD, FESEM, impedance analyzer, and P-E hysteresis. PZT films with 2.7$mu extrm{m}$ to 4.4${\mu}{\textrm}{m}$ thickness were fabricated. Dielectric constant, loss, remnant polarization and coercive field of them were 880~1650 at 1kHz, 2~3% at 1kHz, 26~32 $\mu$C/$ extrm{cm}^2$, and 33~60kV/cm, respectively. Also a transverse piezoelectric coefficient $(e_{31,f})$ measurement system was fabricated and tested for thick film samples.