• Superconductivity and Cryogenics
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• v.8 no.2
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• pp.10-14
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• 2006

• Superconductivity and Cryogenics
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• v.17 no.1
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• pp.15-19
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• 2015

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 1996.11a
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• pp.24-27
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• 1996

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1992.07a
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• pp.34-34
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• 1992

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.02a
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• pp.127-127
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• 2004

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2003.05a
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• pp.91-92
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• 2003

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.3
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• pp.293-300
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• 1999

고주파 마그네트론 스퍼터법을 이용한 YIG(yttrium iron garnet)박막 제조시 기판유형, 기판온도, 스퍼터전력, 스퍼터가스 등의 증착변수와 증착후 열처리 조건이 YIG 박막의 결정성, 화학조성, 미세구조 그리고 자기적 특성에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 75$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 수행한 증착후 열처리에 의하여 비정질 박막이 결정화되었으며, 특히 GGG(gadolinium gallium garnet)기판 위에 제조된 박막은 강한 (111)우선배향성을 나타냈다. 박막조성은 스퍼터가스 내의 산소분율에 민감하게 영향을 받았으며, 산소분율이 20%인 스퍼터가스를 사용하여 제조된 박막은 Y2.88Fe3.84O12의 조성을 나타내었다. 증착후 열처리 온도가 90$0^{\circ}C$로부터 110$0^{\circ}C$로 증가함에 따라, GGG 기판위의 박막의 표면거칠기는 2.5nm에서 40nm로 증가하였으며, 보자력과 강자성 공명 선폭은 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.331.2-331.2
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• 2016

스퍼터 타깃 (target)을 스퍼터링하여 박막을 형성하는 스퍼터 증착은 고체 박막 형성 방법의 하나로서 널리 사용되고 있다. 타깃을 구성하는 합금 원소의 스퍼터링율 (sputtering yield)의 차이 때문에 스퍼터 증착이 진행됨에 따라 타깃 표면의 조성이 변화하지만 일반적으로 원소 간의 표면 농도 및 스퍼터링율의 차이 효과가 서로 상쇄되므로 증착되는 합금 박막의 조성은 타깃의 조성과 일치한다. 그러나 갈륨 (Ga)을 포함하는 합금 타깃을 스퍼터링하는 경우에는 갈륨의 낮은 녹는점 특성 때문에 타깃 조성보다 갈륨의 농도가 더 높은 갈륨 합금 박막이 형성되는 현상이 최근에 보고되었다 [1]. 본 연구에서는 GeGa 및 GeSbTe 타깃을 스퍼터링한 후의 타깃 표면형상 및 성분의 변화를 조사함으로써 마그네트론 스퍼터링 기술로 갈륨 합금 박막을 형성할 때 타깃 표면에서 발생하는 불균일한 조성 변화 특성을 고찰한다. GeSbTe 타깃에 비해 GeGa 타깃은 횡적으로 구분되는 영역이 뚜렷하고 각 영역에서의 Ge와 Ga의 농도가 최대 25 at%의 차이를 나타낸다. 이러한 국부적인 미세구조와 Ge 및 Ga 농도의 차이를 비교 분석하여 갈륨 합금 타깃 표면에서 발생하는 불균일한 조성 변화 현상의 메커니즘을 설명한다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.42-43
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• 2002

고상 소결법으로 715iO$_2$＋11$Na_2$O＋10CaO＋3Er$_2$O$_3$＋5Yb$_2$O$_3$(all wt%) 조성의 스퍼터용 유리 타겟을 제조하여, RF 마그네트론 스퍼터에 의해 희토류 원소가 첨가된 광증폭기용 다성분계 sodium calcium silicate 유리박막을 제조하였다. 최적의 공정조건을 얻기 위해 RF-power, 공정압력, 기판온도를 변화시키면서 박막을 제조하여 RF-power 150W, 공정압력 4mtorr, 기판온도 50$0^{\circ}C$, 타겟-기판 거리 6cm에서 타겟의 손상이 심하지 않으면서, 1.4$mu extrm{m}$/h의 최고 증착율을 가지는 양질의 박막을 제조하였다. (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.177-177
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• 2013

DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 열처리 온도 변화에 따른 금속 박막의 물성 변화 및 특성 분석을 위해 유리기판 위에 박막의 두께 10 nm로 증착하여 열처리 공정을 진행하였다. 상온에서 Ag 박막의 비저항은 평균 $6.9{\times}10^{-6}{\Omega}.cm$로 Cu 박막의 $4.9{\times}10^{-5}{\Omega}.cm$보다 낮은 전기 전도성을 가지는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 Ag 박막은 열처리 온도의 증가와 관계없이 전기전도성에 대한 큰 차이가 없으나 Cu 박막의 경우 열처리 온도 $150^{\circ}C$에서 $2.5{\times}10^{-4}{\Omega}.cm$로 비저항의 변화를 가졌다. 광학적 특성으로 Ag 박막은 58%에서 42%로 감소하는 반면 Cu 박막은 50%에서 75%이상의 광 투과도를 가지는 것을 확인 하였다.