713p 비동기 로직 회로 설계를 위한 라이브러리와 heterogeneous 시스템을 위한 인터페이스 회로를 0.25um CMOS 기술을 사용하여 설계하였다. 그리고 heterogeneous 시스템에는 1.6GHz로 동작을 하는 고속 비동기 FIFO 회로를 사용하였다. 또한 Tip-down ASIC 설계를 지원하기 위하여 비동기 기본 셀 레이아웃과 Verilog 모델들을 설계하였다. 본 논문에서는 클럭 skew에 관하여 병목현상을 줄일 수 있는 방법을 제사하였으며 클럭 제어 회로를 사용하여 동기식 회로에서 자주 발생하는 에러를 줄을 수 가 있다. 이와 같이 클럭 제어 회로와 FIFO (First-In First-Out)를 사용하여 다른 주파수로 동작하는 두개의 모듈간의 고속의 데이터 전송을 가능하게 하였으며, 32비트 인터페이스 칩의 코어 사이즈는 $1.1mm{\times}1.1mm$이다.
본 논문에서는 개선된 회로를 적용한 $256{\times}256$ 픽셀 저항형 지문센서를 제안하고 있다. 단위 픽셀 수준의 센싱회로는 가변적인 전류를 전압으로 변환하여 이진 디지털 신호로 만든다. 정전기에 효과적으로 대처할 수 있는 인접 픽셀 간 전기적 차폐 레이아웃 구조를 제안하고 있다. 전체회로는 단위 센서 회로를 확장하여 ASIC 설계방식을 통하여 설계한 뒤 로직 및 회로에 대하여 모의실험을 하였다. 전체회로는 $0.35{\mu}m$ 표준 CMOS 공정규칙을 적용하여 센서블록은 전주문 방식을 적용하고 전체 칩은 자동배선 툴을 이용하여 반주문 방식으로 레이아웃을 실시하였다.
본 논문은 소프트웨어 무선에 적합한 전송장치로써 로직회로에 의해 생성되어지는 디지털신호를 직접 무선으로 변환시킬 수 있는 디지털-무선 변환장치를 제안한다. 이러한 회로가 실현되어지면 변조회로, RF회로와 안테나를 1개의 간단한 디바이스로 실현할 수 있어 소프트웨어무선의 본질인 소프트웨어처리에 의한 무선의 제어를 직접 수행할 수 있게 된다. 본 논문의 디지털-무선 변환장치는 채널화용 PN코드가 부여하는 위상각도에 의해 무수히 많은 채널화를 기할 수 있으며 디지털화에 의하여 설계에 유연성을 주게 되므로 하드웨어의 비중을 최소화시키고 소프트웨어 베이스의 유연한 기능을 갖는다.
본 논문에서는 $Low-V_T$ 트랜지스터가 필요 없는 로직공정으로 Parasitic NPN BJT를 이용하여 저 전압에서 동작 가능한 밴드갭 기준전압 발생기 회로를 제안하였다. $0.18{\mu}m$ triple-well 공정을 사용한 BGR회로를 측정 한 결과 VREF의 평균전압은 0.72V $3{\sigma}$는 45.69mV로 양호하게 측정되었다.
이 논문에서는 PLL에 기반한 주파수 합성기의 구현에 있어서 전력 소모를 줄이기 위한 저전력 디지털 PLL의 구조 및 설계에 대하여 기술한다. 제안된 구조의 디지털 PLL에서는 초기 주파수 비교를 위하여 광대역 디지털 로직 직교상관기를 사용 하고, 최종 주파수 비교를 위하여 저전력 특성을 갖는 협대역 디지털 로직 직교상관기를 사용하여 디지털 제어 발진기의 주파수가 제어되도록 하였다. 또한 동작하지 않는 디지털 블록의 전력을 최소화하는 회로 기법을 적용함으로써 대기 전력 소모를 추가적으로 줄일 수 있도록 하였다. 제안된 디지털 PLL의 동작 및 저전력 특성은 MOSIS 1.8V $0.35{\mu}m$ CMOS 공정 조건에서 MyCAD를 이용한 설계 및 모의실험을 통해 검증하였으며, 20% 정도의 전력 소모 감소 효과를 확인하였다.
본 논문은 $0.13{\mu}m$ 기술의 디자인을 10% 축소하는데 기존의 로직 디바이스만의 축소와는 달리 로직뿐 아니라 입, 출력 회로의 축소에 관한 것이다. 게이트 산화막(1.2V)을 decoupled plasma nitridation(DPN) oxide로 변경함으로써 flicker 노이즈를 축소 전 공정에 비해 1/3-1/5배 감소됨을 확인하였다. 또한, 축소에 의한 피할 수 없는 문제는 일반적인 metal insulator metal(MIM)의 캐패시터 문제이다. 이를 해결하기 위하여 20% 높은 MIM 캐패시터($1.2fF/{\mu}m^2$)를 개선하고 그 특성을 평가하였다.
본 논문에서는 최근에 관심을 모으고 있는Table Look- Up형의 FPGA를 위한 다출력 함수로직 합성 알고리즘에 대해 기술한다. 본 고에서 제안하는 TLU형 FPGA를 위한 다출력 함수 로직 합성 방법은 기능적 분해 방법을 사용하였으며, 이 방법을 이용한 2가지의 새로운 알고리즘을 설명한다. 첫번째는 한 출력에 적용한 Rofh-Karp 알고리즘을 다출력에 웅용할 수 있도록 확장하였으며, 두 번째는 분해과정에서 공통 분해 함수를 찾는 효과적 인 알고리즘을 제안한다. 기술 매핑의 최적화 대상은 CLB 개수를 고려했으며, 벤치마크 테스트를 통한 일반적인 회로에 적용성 검증, 기존 알고리즘과의 성능 비교 및 개선에 대해 연구하였다. 논리 설계 합성기 구성 과정에서 새로운 알고리즘을 구현하여 실험한 결과를 기존의 다출력 함수 분해 방법과 비교하면 CLB 의 개수, 네트 수 등 성능과 수행 시간에서 매우 만족할 만한 결과를 얻었다.
본 논문에서는 터치스크린 컨트롤러용 IC를 위한 저면적, 저전력, 고속 EEPROM 회로 설계기술을 제안하였다. 저면적 EEPROM 기술로는 SSTC (Side-wall Selective Transistor Cell) 셀을 제안하였고 EEPROM 코어회로에서 반복되는고전압 스위칭 회로를 최적화하였다. 저전력 기술은 디지털 Data Bus 감지 증폭기 회로를 제안하였다. 그리고 고속 EEPROM 기술로는 Distributed DB 방식이 적용되었으며, Dual Power Supply를 사용하여 EEPROM 셀과 고전압 스위칭 회로의 구동전압은 로직전압 VDD(=1.8V)보다 높은 전압인 VDDP(=3.3V)를 사용하였다. 설계된 128Kb EEPROMIP(Intellectual Property)의 레이아웃 면적은 $662.31{\mu}m{\times}1314.89{\mu}m$이다.
본 논문에서는 UHF RFID 태그 칩용 512bit EEPROM의 저면적 설계 기술과 고신뢰성 기술을 제안하였다. 저면적회로는 디코딩 로직(decoding logic)을 단순화한 WL 구동 회로, BGR 회로 대신 저항 분배기(resistor divider)를 이용한 VREF 발생회로이다. Magnachip $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정을 이용하여 설계된 512bit EEPROM IP의 레이아웃 크기는 $59.465{\mu}m{\times}366.76{\mu}m$으로 기존 회로를 사용한 EEPROM 대비 16.7% 줄였다. 그리고 쓰기 모드(write mode)를 빠져나올 때 DC-DC 변환기(converter)에서 출력되는 부스팅된 출력전압을 VDDP(=3.15V)로 방전시키는 대신, 공통접지(common ground)인 VSS로 방전시키는 방식을 제안하여 VDDP 전압을 일정하게 유지함으로써 5V 소자가 파괴되는 문제를 해결하였다.
본 논문은 FPGA 내부의 경계 스캔 체인을 자가 테스트 회로로써 재활용하기 위한 FPGA 자가 테스트 회로 설계 기술을 소개한다. FPGA의 경계 스캔 체인은 테스트나 디버깅 기능뿐만 아니라 각 셀에 연결되어 있는 입출력 핀의 기능을 설정하기 위해서도 사용되기 때문에 일반적인 칩의 경계 스캔 셀보다 매우 크다. 따라서, 본 논문에서는 FPGA 경계 스캔 셀의 구조를 분석하고 소수의 FPGA 로직과 함께 테스트 패턴 생성과 결과 분석이 가능하도록 설계한 BIST(built-in-self-test) 회로를 제시한다. FPGA의 경계 스캔 체인을 자가 테스트를 위하여 재사용함으로써 면적 오버헤드를 줄일 수 있고 보드상에서 프로세서를 사용한 온-라인(on-line) 테스트/모니터링도 가능하다. 실험을 통하여 오버헤드 증가량과 시뮬레이션 결과를 제시한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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