• 제목/요약/키워드: 라인 터널링

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포인트 터널링과 라인 터널링을 모두 고려한 실리콘 기반의 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건 (Guide Lines for Optimal Structure of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor Considering Point and Line Tunneling)

  • 안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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    • pp.167-169
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    • 2016
  • 이 논문은 라인 터널링과 포인트 터널링을 모두 고려한 포켓 터널링 전계효과 트랜지스터의 여러가지 구조 및 물질 파라미터에 따른 시뮬레이션 결과를 소개한다. 포켓의 도핑 농도와 두께가 증가할수록 구동전류 $I_{on}$이 증가하고 포켓의 두께와 게이트 절연체의 유전율이 증가할수록 SS(subthreshold swing)가 좋아짐을 보인다. hump 효과는 SS를 나쁘게 하기 때문에 최소화할 수 있도록 최적의 구조를 만들어야 한다.

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Si, Ge과 Si-Ge Hetero 터널 트랜지스터의 라인 터널링과 포인트 터널링에 대한 연구 (Study on Point and Line Tunneling in Si, Ge, and Si-Ge Hetero Tunnel Field-Effect Transistor)

  • 이주찬;안태준;심언성;유윤섭
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권5호
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    • pp.876-884
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    • 2017
  • TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스 영역으로 오버랩된(Overlapped) 게이트를 가진 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)과 실리콘-게르마늄(Si-Ge) Hetero 터널 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 터널링 전류 특성을 분석하였다. $SiO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 포인트와 라인 터널링이 모두 나타나서 험프(Hump) 현상이 나타난다. Ge-TFET는 구동전류가 Si-TFET보다 높으나 누설전류가 높고 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. Hetero-TFET의 경우에 구동전류가 높게 나타나고 누설전류는 나타나지 않았으나 포인트 터널링이 지배적으로 나타난다. $HfO_2$를 산화막으로 사용한 Si-TFET의 경우에 라인 터널링의 문턱전압(threshold voltage)이 감소하여 라인 터널링만 나타난다. Ge과 Hetero-TFET의 경우에 포인트 터널링의 문턱전압이 감소하여 포인트 터널링에 의해 동작되며 Ge-TFET는 누설전류가 증가하였고, Hetero-TFET에서 Hump가 나타난다.

소스영역으로 오버랩된 게이트 길이 변화에 따른 터널 트랜지스터의 터널링 전류에 대한 연구 (Source-Overlapped Gate Length Effects at Tunneling current of Tunnel Field-Effect Transistor)

  • 이주찬;안태준;심언성;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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    • pp.611-613
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    • 2016
  • TCAD 시뮬레이션을 이용하여 소스영역으로 오버랩된(overlapped) 게이트를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 오버랩된 게이트 길이에 따른 터널링 전류 특성을 조사하였다. 터널링은 크게 라인터널링과 포인트 터널링으로 구분되는데, 라인터널링이 포인트터널링보다 subthreshold swing(SS), on-current에서 더 높은 성능을 보인다. 본 논문은 Silicon, Germanium, Si-Ge Hetero TFET구조에서 게이트 길이를 소스영역으로 오버랩될 경우에 포인트 터널링과 라인터널링의 효과를 조사해서 SS와 on-current에 최적합한 구조의 가이드라인을 제시한다.

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L형 터널 트랜지스터의 트랩-보조-터널링 현상 조사 (Investigation of Trap-Assisted-Tunneling Mechanism in L-Shaped Tunneling Field-Effect-Transistor)

  • 파라즈 나잠;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2018년도 추계학술대회
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    • pp.512-513
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    • 2018
  • 트랩-보조-터널링(Trap-Assisted-Tunneling; TAT)은 실제 터널링 전계 효과 트랜지스터 (TFET)의 임계 이하 기울기를 저하시키고 시뮬레이션에서 고려되어야한다. 그러나, 그 메커니즘은 라인 터널링 타입 L형 TFET(LTFET)에서는 잘 알려져 있지 않았다. 본 연구는 dynamic nonlocal Schenk 모델을 이용한 LTFET의 TAT 메커니즘을 연구한다. 이 연구에서는 터널링 이벤트를 위해서 phonon assisted and direct band가 모두 고려되었다.

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터널링 전계효과 트랜지스터 4종류 특성 비교 (Comparative Investigation on 4 types of Tunnel Field Effect Transistors(TFETs))

  • 심언성;안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권5호
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    • pp.869-875
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    • 2017
  • 본 연구에서는 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 4가지 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistors; TFETs) 구조에 따른 특성을 조사하였다. 단일게이트 TFET(SG-TFET), 이중게이트 TFET(DG-TFET), L-shaped TFET(L-TFET), Pocket-TFET(P-TFET)의 4가지 TFET를 유전율과 채널 길이를 변화함에 따라서 드레인 전류-게이트전압 특성을 시뮬레이션해서 문턱전압이하 스윙(Subthreshold Swing; SS)과 구동 전류(On-current)면에서 비교하였다. 고유전율을 가지며 라인 터널링을 이용하는 L-TFET 구조와 P-TFET 구조가 포인트 터널링을 이용하는 SG-TFET와 DG-TFET보다 구동전류면에서 10배 이상 증가하였고, SS면에서 20 mV/dec이상 감소하였다. 특히, 고유전율을 가진 P-TFET의 주 전류 메카니즘이 포인트 터널링에서 라인터널링으로 변화하는 험프현상이 사라지면서 SS가 매우 향상되는 것을 보였다. 4가지 TFET 구조의 분석을 통해 포인트터널링을 줄이고 라인터널링을 강조하는 새로운 TFET 구조의 가이드 라인을 제시한다.

실리콘 기반 포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 최적 구조 조건 (Structure Guide Lines of Silicon-based Pocket Tunnel Field Effect Transistor)

  • 안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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    • pp.166-168
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    • 2016
  • 이 논문은 포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 구조에 대한 여러 가지 조건을 소개한다. 포켓의 길이는 길어질수록 $I_{on}$이 더 증가하고, 포켓의 두께는 감소할수록 $I_{on}$이 증가하고, 3nm 보다 얇아질 때 SS는 증가한다. 게이트 절연체는 고유전율 물질을 사용하는 것이 적절하다.

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곡선경로를 가지는 마이크로 터널링 굴진경로의 자동측량을 위한 토탈스테이션의 개발 (Development of Total Station for In-line Measuring of Curved Course in Micro-Tunneling)

  • 이진이;전종우;남장현
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 V
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    • pp.2541-2544
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    • 2003
  • 새로운 원리에 의한 원격 거리 및 각도측정 시스템[1][2](이하 TS, Total Station)을 개발하였다. 본 시스템은 마이크로 터널링 공법의 굴진기의 후미 또는 임의의 기준점에 원격으로 점멸할 수 있는 십자형의 발광체를 부착하고, 추진관에 고정시킨 상하좌우 각도측정 및 비접촉식 레이저 거리측정기가 부착된 무인 원격 제어장치에 의하여 십자형 발광체의 중심을 자동으로 검출한다. 또한. 회전각과 CCD 라인 스캔 센서의 조합에 의하여 각도를 정밀하게 원격 측정하게 된다. 한편 본 시스템을 이용하면 마이크로 터널링 공법에 의한 추진관내의 측정 가능한 범위를 연결하는 위치에 복수의 TS를 배치하여 서로의 위치를 자동으로 계측하고 그들 데이터를 컴퓨터에 의하여 계산함으로써, 맨홀의 임의의 기준점으로부터 굴진기의 현재 좌표를 신속하고 정확하게 계산할 수 있다.

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터널링 전계효과 트랜지스터 구조 특성 비교 (Comparative Investigation on Tunnel Field Effect transistors(TFETs) Structure)

  • 심언성;안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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    • pp.616-618
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    • 2016
  • TCAD 시뮬레이션을 이용하여 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET) 구조에 따른 특성을 조사하였다. Single-Gate TFET, Double-Gate TFET, Pocket TFET, L-shaped TFET 구조 중에서 Pocket TFET와 L-shaped TFET이 on-current와 subthreshold swing에서 가장 좋은 성능을 보였다. 본 논문은 터널링 전계효과 트랜지스터의 새로운 구조에 대한 가이드라인을 제시하고자 한다.

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소스 영역으로 오버랩된 TFET의 Channel 도핑 변화 특성 (Channel Doping Effect at Source-Overlapped Gate Tunnel Field-Effect Transistor)

  • 이주찬;안태준;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2017년도 춘계학술대회
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    • pp.527-528
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    • 2017
  • 터널 전계 효과 트랜지스터(tunnel field effect transistor; TFET)의 게이트를 소스 영역으로 오버랩 시킨 구조에서 가우시안으로 P형 도핑한 경우의 전류특성을 조사했다. 제안된 구조는 채널을 P형 도핑하여 험프를 제거하고 가우시안 도핑하여 드레인 벌크영역에서 나타나는 역방향성(ambipolar) 전류를 최소화시켰다. 소스-채널-드레인을 P-P-N으로 구성된 TFET의 구동전류는 P-I-N TFET와 동일하나 문턱전압 이하 기울기(Subthreshold Swing; SS)에서 5배 높은 효율이 관찰되었으며 차단전류는 가우시안 도핑 결과가 일정한 도핑에 비해 약 10배 감소하였고, 역방향성 전류는 100배 감소하였다.

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SSH 터널링을 이용한 CCTV 원격접속 보안기법 (Security Technique using SSH Tunneling for CCTV Remote Access)

  • 황기진;박재표;양승민
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제17권11호
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    • pp.148-154
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    • 2016
  • 최근 인터넷을 통한 CCTV 영상 유출 사건으로 인해, 영상 보안 문제가 중요한 화두로 떠오르고 있다. 한국인터넷진 흥원은 "CCTV 개인영상 정보보호를 위한 가이드라인"을 통해, CCTV 원격 접속 시 암호화된 프로토콜 사용을 권장하고 있지만, 아직도 다수의 제품이 이런 규칙을 지키지 않아서 해킹과 같은 보안 위협에 노출되고 있다. 본 논문에서는 이러한 보안 취약성 문제를 해결하기 위해서, SSH 터널링 기법을 사용하여 원격지에서 접속이 가능한 CCTV 시스템을 제안하고 구현하였다. 시스템은 SSH Secure Shell을 사용하여 암호화된 데이터를 전송함으로써, 보안성을 강화하였다. 또한 터널링 기법 사용하여 방화벽 내부에 존재하는 CCTV 녹화기로의 접근이 불가능 했던 문제를 해결하였다. 시스템에 대한 평가를 위해 여러 가지 CCTV 원격 접속 기법과 보안성에 대한 비교를 하였고, 시스템의 효율성에 대한 실험 결과, 전송 품질 및 시간의 큰 차이 없이 원격 접속이 가능함을 확인 할 수 있었다. 본 논문에서 제안하는 방법을 현장에 적용한다면, 해킹의 위협으로부터 안전한 시스템을 구성할 수 있을 것이다.