• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2015.07a
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• pp.450-451
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• 2015

본 논문에서는 렌티큘러 렌즈를 이용한 무안경 입체 디스플레이 환경에서 렌티큘러 렌즈의 속성과 디스플레이 장치의 속성의 변화에 따라 다중 시점에서 촬영한 영상으로부터 적응적으로 하나의 다시점 입체 합성 영상을 생성하는 방법을 제안한다. 제안 방법에서는 렌티큘러 렌즈의 기본 속성과 디스플레이 장치의 기본 속성값을 고려하여 다중 시점에서 획득된 영상의 서브픽셀들의 가중 평균을 구하고 이를 다시점 입체 합성 영상의 서브 픽셀의 값으로 사용하도록 하였다. 여러 다시점 영상을 이용한 실험을 통하여, 렌티큘러 렌즈의 속성과 디스플레이 장치의 속성이 정확히 하드웨어적으로 일치 하지 않은 상황에서도 본 논문에서 제안하는 적응적 다시점 서브 픽셀 재배치 기법을 통하여 3D 입체감이 안정적으로 제공됨을 확인하였다.

• Annual Conference of KIPS
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• 2015.04a
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• pp.927-928
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• 2015

무안경 3D 입체 디스플레이 장치는 패럴렉스 배리어(parallax barrier)와 렌티률러 렌즈(Lenticular lens)의 기반의 장치로 구분된다. 무안경 업체 디스플레이 장치를 통하여 입체영상을 디스플레이하기 위해서는 다중 시점(multi-view) 촬영 영상들의 서브픽셀 인터레이싱 방법을 통하여 하나의 영상으로 합성되어야 한다. 본 연구는 렌티큘러 렌즈 기반의 입체 디스플레이 장치에서 렌티큘러 렌즈의 속성에 따라 적응적으로 서브픽셀 인터레이싱 될 수 있는 기법을 제안하기 위한 사전 연구로서 기존에 발표된 서브픽셀 인터레이싱 기법의 종류를 분류하고 각 기법의 특성을 분석하고자 한다.

• Broadcasting and Media Magazine
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• v.24 no.2
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• pp.63-72
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• 2019

디스플레이 소자 평면에서부터 육안으로 관찰 가능한 입체영상 영역까지의 물리적인 거리 조절을 바탕으로 공간상에서 재현될 수 있는 3차원 영상에 대한 기대감은 다양한 형태의 디지털 홀로그래픽 디스플레이를 개발하는 주요한 요인이 되어 왔다. 공간 광 변조기의 픽셀 크기에 의존하는 디지털 홀로그램 영상의 시야각과 픽셀 수에 의존하는 홀로그램 영상 크기로 인한 제약 사항들을 극복하는 방법을 토대로 다수의 시청자가 동일한 3차원 영상을 관찰할 수 있는 홀로그래픽 디스플레이에 대한 연구가 나타나기 시작하였다. 본 고에서는 테이블 형태의 공간상에서 관찰 가능한 디지털 홀로그램 기술에 관한 연구 동향을 소개하고자 한다.

• Information Display
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• v.22 no.2
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• pp.3-12
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• 2021

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.31 no.6
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• pp.48-56
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• 2016

디지털 홀로그래피가 아날로그 홀로그래피와 비슷한 품질을 나타내기 위해서는 $1{\mu}m$의 픽셀피치를 가지고 있는 대면적 SLM 개발이 필수적이다. 이러한 대면적 초고해상도 SLM을 구현하기 위해서는 최근 미세 픽셀 기술이 급격히 발전하고 있는 대면적 지향의 평판디스플레이 기술을 기반으로 개발되어야 할 것으로 생각된다. 디스플레이 기술을 기반으로 스티칭 기술 등의 포토리소그래피 기술과 수직채널 TFT등의 구동 소자 기술, 고굴절율 이방성을 가지는 액정 소재 기술, 모듈 기반의 구동 기술 등을 집약하여 $1{\mu}m$급의 픽셀 피치를 가지는 대면적 초고해상도 SLM을 개발 중이다. 이렇게 개발된 초고해상도 대면적 SLM은 홀로그램 영상 재현 이외에도 다양한 광학 소자로 응용이 기대된다.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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• v.8 no.2
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• pp.25-31
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• 2009

The image processing methods are widely used in many industrial fields to detect defections in inspection devices. In this study an image processing method was conducted for the detection of abnormal pixels in a OLED(Organic Light Emitting Diode) type panel which is used for small size displays. The display quality of an OLED device is dependent on the pixel formation quality. So, among the so many pixels, to find out the faulty pixels is very important task in manufacturing processing or inspection division. We used a line scanning type BW(Black & White) camera which has very high resolution characteristics to acquire an image of display pixel patterns. And the various faulty cases in pixel abnormal patterns are considered to detect abnormal pixels. From the results of the research, the normal BW pixel image could be restored to its original color pixel.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.444-444
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• 2008

EL은 LCD와 같은 수광 형태의 소자에 비해 응답속도가 빠르고, 자체 발광 형태의 디스플레이로 휘도가 우수하며 구조가 간단하여 제조가 용이하고 경량 박형의 장점을 가지고 있다. EL을 이용하여 세븐 세그먼트나 픽셀별 발광으로 표시소자를 제작하였다. EL 소자의 구조는 전극은 금, 유전체는 PMN과 PZT를 이용하였으며 형광체를 적층하고 ITO를 증착하여 제작하였다. 4*4mm로 크기의 픽셀이 49개가 들어간 소자를 제작하고 ITO와 하부 전극을 교차하여 매트릭스 타입으로 제작하였다. 픽셀 하나에 교류 전압 펄스를 변화하여 가했을 때의 픽셀의 광전특성과 주변 픽셀에 미치는 영향에 대해 오실로스코프, 광 프로브 등을 이용하여 특성을 살펴보았다.

• Information Display
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• v.7 no.5
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• pp.24-29
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• 2006

화학기상증착법을 이용하여 이중 게이트 구조에 탄소나노튜브를 직접 성장시켰으며, 제작된 FEA는 91%의 픽셀간 균일도, 스캔 전압 70V 미만, 데이터 전압 30V 미만을 실현하였다. 또한 0.699mm pixel ptich의 동영상 이미지 구현을 시연하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2015.07a
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• pp.441-443
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• 2015

디지털 홀로그래픽 TV 시스템을 구현하려면 홀로그래픽 정보 획득 장치가 필요한데, 해상도 한계 때문에 홀로그램의 프린지 패턴을 상용 촬상 소자로는 직접 기록할 수 없다. 이를 극복하는 방법으로는 컬러 영상과 거리영상 정보를 얻은 후에 압축을 거쳐 수신 디스플레이단에 전송하고 이 정보로부터 3차원 모델을 형성한 후에 컴퓨터 생성 홀로그램을 생성하고 이를 회절소자를 이용하여 디스플레이하는 방법이 현재로서는 현실적인 방법이 될 것이다. 홀로그래픽 디스플레이에서는 회절소자인 공간광변조기 성능의 한계 때문에 기존 2DTV와 같은 수준의 디스플레이 구현은 매우 어렵다. 기존 공간광변조기는 픽셀피치가 커서 시야각이 매우 좁으나, 픽셀 크기를 작게 하는 동시에 공간광변조기 면적을 크게 하기에는 기술적인 어려움이 많다. 본 논문에서는 홀로그래픽 TV를 구현하는데 있어서 기술적으로 극복하고 고려해야 할 주요 요소에 대하여 분석한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.169.1-169.1
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• 2015

최근 디스플레이 기술은 급속도로 발전해 가고 있다. 디스플레이 산업의 눈부신 성장에 발맞추어 초고화질, 초고선명, 고속 구동 및 대형화 등을 포함하는 최신 기술의 디스플레이 구동이 필요하다. 이러한 요구사항을 만족하기 위해서는 각 픽셀에 영상정보를 기입하는 충전시간을 급격히 감소시켜야 하고 따라서 픽셀 트랜지스터(TFT)의 이동도는 급격히 증가해야 한다. 따라서 차세대 디스플레이 실현을 위해서 고이동도 특성을 구현 할 수 있는 신물질의 개발이 매우 중요하다. 현재 산화물박막트랜지스터는 차세대 디스플레이 실현을 위해 가장 주목받고 있으며, 실제로 산화물박막 트랜지스터의 핵심소재인 In-Ga-Zn-O(a-IGZO) 산화물의 경우 국내외에서 디스플레이에 적용되어 생산이 시작되고있다. 그러나 a-IGZO 산화물의 경우 이동도가 $5-10cm^2V{\cdot}s$ 수준이어서 향후 개발 되어질 초고해상도/고속구동 디스플레이 실현(이동도 $50cm^2V{\cdot}s$)에는 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 이를 해결 할 수 있는 'post-IGZO' 개발을 위해 In2O3에 Ga2O3를 조성별로 고용시켜 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성 및 TFT를 제작하여 특성 연구를 진행하였다. 조성은 In2O3에 Ga2O3를 7.5%~15% 도핑 하였으며, Sputtering을 이용하여 indium gallium oxide(IGO) 박막을 제작하였다. 박막은 상온 및 $300^{\circ}C$에서 증착 하였으며 증착 된 IGO 박막은 Ga=12.5% 까지는 In2O3에 Ga이 모두 고용되어 cubic In2O3 poly crystalline을 나타내는 것을 확인하였으며 Ga=15%에서 Gallium 관련 2차상이 확인되었다. Ga양이 변화함에 따라 박막의 전기적 특성이 조절 가능하였으며 이를 이용하여 IGO 박막을 30 nm 두께로 증착 하여 IGO 박막을 channel layer로 사용하는 bottom gate structured TFTs를 제작 하였다. IGO TFTs는 Ga=10%에서 on/off ratio ${\sim}10^8$, 그리고 field-effect mobility $84.8cm^2/V{\cdot}S$를 나타내며 초고화질, 초고선명 차세대 디스플레이 적용 가능성을 보여 준다.