EFDC의 수질모형인 HEM3D는 국내 해양수질모델링에는 적용된 사례가 많지만 담수에 적용된 사례는 거의 없으며, 우리나라 환경부 수질측정항목과 수질 INPUT 자료가 달라서 모델의 적용이 힘들었다. 그러나 HEM3D는 EFDC 수리모델을 연계하는 WASP에 비해 자체 3차원 수리동역학 모델이 있어 셀 개수의 제한이 없고 계산속도 또한 WASP 보다 2~3배 빠른 것으로 알려져 있다. 그러나 현재 우리나라의 수질측정항목은 HEM3D의 수질모의항목과 다소 차이가 있다. 특히 Carbon계열에서 실측수질항목은 BOD, COD인 반면 HEM3D의 모의가능항목은 RPOC, LPOC, DOC, COD로 바로 적용을 하기는 어렵다고 판단하였다. 따라서 환경부 수질자료를 HEM3D에 적용하기위해 문헌자료를 참고한 수질항목간의 분율을 사용하여 필요한 자료를 산출하였고, 환경부 수질자료의 HEM3D적용 결과를 알아보고 현재 자료 사용 시의 문제점과 향후 개선방안을 알아보고자 하였다. HEM3D의 모의 결과 TN, TP 보정에는 큰 문제가 없었으나 $BOD_5$와 세부수질항목의 영향을 많이 받는 조류 등의 항목 보정결과는 성공적이지 못했다. 이것은 분율을 적용해 각 유입지천의 세부항목별 수질 자료를 산출할 때 낙동강 전체 평균을 사용했기 때문에 조류성장에 직접적으로 영향을 받는 세부 항목별 영양염에 대한 실제 값과 산출된 농도 값 사이의 오차가 가장 큰 원인으로 판단된다. 한편 전체 대상지역중 일부구간에 대하여 동일한 수질입력자료를 이용하여 HEM3D와 WASP을 동시 적용하였다. 자료의 변환과정에서의 오차와 입력형태 및 각 모델 변수형태의 차이 등의 한계로 결과값에 차이가 있는 것으로 나타났으며, 본 연구결과 현재 확보된 수질측정망의 수질자료를 이용하여 HEM3D를 구축하는 것은 Carbon 계열과 조류(부영양화)모의에서 문제가 발생할 것으로 판단되며 추가 자료 확보가 필요할 것으로 보인다. 또한 필요한 입력자료가 충분히 확보가 된다면 추가연구결과에서 볼 수 있듯이 미국공변단과 미국 환경부수질모델 모두 동시적용이 가능하다고 판단되며 목적과 편의에 따라 선택적 모의가 가능하다고 판단된다.
본 연구는 웨이퍼를 적재할 때 웨이퍼의 손상을 최소화 시키기 위한 기술이다. 반도체와 솔라셀에 이용되는 두께가 얇은 웨이퍼는 적재된 웨이퍼 사이의 표면 장력에 의해 웨이퍼의 분리를 어렵게 만들어 웨이퍼의 표면에 손상을 줄 수 있다. 이러한 웨이퍼의 손상을 최소화시키는 기술은 압축 공기를 웨이퍼 쪽으로 분사하고, 미소의 수평 이동 기구를 동시에 적용하는 것이다. 연구에 사용된 주요 실험 인자는 웨이퍼의 공급 속도, 압축 공기의 노즐 압력, 그리고 흡착 헤드의 흡착 시간이다. 실험 결과, 동일한 노즐 압력에서 웨이퍼의 공급 속도가 빠를수록 파손율이 증가하고, 동일한 공급 속도에서는 노즐 압력이 낮을수록 파손율이 증가한다. 그리고, 웨이퍼를 흡착시키데 필요한 시간은 어느 수준 이상이면 웨이퍼의 공급 속도에 따른 파손율에는 큰 영향을 미치지 않는다. 본 연구의 실험 범위 안에서 최적의 실험 조건은 웨이퍼의 공급 속도 600 ea/hr, 압축 공기의 노즐 압력 0.55 MPa, 흡착 헤드의 흡착 시간 0.9 sec 이다. 또한, 반복성능 실험을 통해 개선된 기술은 웨이퍼의 파손율을 최소화시킬 수 있음을 보여 주었다.
600, 700, 800, 900, $1000{\mu}g/50g$ 무기셀레늄($Na_2SeO_3$)의 배지처리에 의한 노랑느타리버섯 균사배양기간, 균사밀도, 초발이소요일수, 유효경수, 개체중, 유기셀레늄 전이량을 조사한 결과는 다음과 같다. $Na_2SeO_3$의 처리에 의한 노랑느타리버섯 균사배양기간은 대조구 22일에 비하여 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$처리는 3~8일까지 농도가 진할수록 배양기간이 길어졌다. $Na_2SeO_3$의 처리에 의한 노랑느타리버섯 균사밀도는 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$처리 까지는 대조구와 동일하게 보통이었다. $Na_2SeO_3$의 처리에 의한 노랑느타리버섯 초발이소요일수는 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$처리는 대조구 5일에 비해 3~8일 까지 농도가 진할수록 초발이소요일수가 길어졌다. $Na_2SeO_3$의 처리에 의한 노랑느타리버섯 유효경수는 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$처리는 10~16개로 대조구 18개에 비해 2~8개 까지 농도가 진할수록 유효경수가 적어졌다. $Na_2SeO_3$의 처리에 의한 노랑느타리버섯 수량(개체중)은 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$ 처리는 94~166g/850cc로 대조구 123g/850cc에 비해 5.7~23.5%까지 농도가 높을수록 수량이 감소되었다. $Na_2SeO_3$의 처리에 의한 노랑느타리버섯 축적된 유기셀레늄 량은 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$처리까지 $9.1{\sim}10.8{\mu}g/g/dry$로 농도가 높을수록 대조구 $0.05{\mu}g/g/dry$에 비해 182~216배까지 축적되었다. 결론적으로 노랑느타리버섯 균사배양기간, 균사밀도, 초발이소요일수, 유효경수, 개체중, 유기셀레늄 전이량은 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$에서 억제되는 경향이 나타남에 따라 가장 적당한 농도는 $600{\sim}1000{\mu}g/50g$보다 낮은 $400{\mu}g/50g$이라고 본다.
현재까지 가장 높은 광전류 변환 효율을 나타내는 III-V 화합물 반도체의 다중접합 태양전지 대신 이보다 단순한 에피구조를 가진 단일셀 이종접합구조의 태양전지를 제안하였다. 이를 한국나노 기술원에서 MOCVD(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) 장비를 이용하여 에피구조를 성장하고 태양 전지를 제작해 그 특성을 조사하였다. 태양 전지는 서로 다른 orientation의 두 GaAs 기판에 각각 동일한 에피 구조로 성장되었다. GaAs 기판은 Si 도핑된 n-type 기판으로 (100) 표면이 <111>A 방향으로 2도 off 된 웨이퍼와 10도 off 된 웨이퍼가 사용되었다. 연구에서 시뮬레이션에 사용된 태양전지의 에피 구조는 맨 위 p-GaAs (p-contact 층), p-InAlP, p-InGaP의 광흡수층과 N-InAlGaP 층과 아래의 n-InAlP와 n-GaAs의 n-contact층으로 이루어져있다.태양전지는 $5mm{\times}5mm$의 면적을 가지고 있다. 그림 1은 전류-전압의 측정된 결과를 나타낸 그래프이다. 태양전지는 1 sun 조건하에서 probe를 이용해 측정되었다. 2도 off GaAs 기판 위에 성장시킨 태양전지에서는 3.7mA의 단락전류값이, 10도$^{\circ}$ off 인 샘플에서는 4.7mA의 단락전류값이 측정되었다. 반면에 전류-전압곡선으로부터 얻은 10도 off 인 태양전지의 직렬 저항값은 2도 off 인 태양전지의 약4배 정도로 나타났다. 이는 기판의 결정방향에 따라 태양전지의 내부 전하 transport에 차이가 있음을 나타낸다. TLM (Transmission Line Model) 방법에 의한 p-contact의 ohmic저항 측정에서도 이와 일치하는 결과를 얻었다.
본 논문에서는 SC-CNN을 이용한 하이퍼카오스 회로에서의 동기화와 비밀통신의 방법을 제시한다. 하이 퍼카오스 회로는 츄아회로의 변형인 N-Double Scroll CNN 회로를 이용하였으며, 동일한 2 개 또는 4개의 셀을 가진 n-double scroll 회로를 이용하여 송 .수신부를 구성하고 이 송 수신부 사이에 구동 동기를 이용한 동기화를 이루었으며, 복원신호에서 상태 변수 $$\chi$_3$ 에 의한 비밀통신이 상태 변수 ${$\chi$_2}, {$\chi$_1}$ 에 의한 방법 보다 우수함을 보였다.
본 논문은 대칭 구조의 CRLH 전송선로를 바탕으로 이중모드에서 동작하는 평형 필터 설계를 제안한 것이다. 기존의 대칭 구조와는 다르게 이 구조에서는 공통 모드와 차동 모드의 이중모드에서 동작한다. 이러한 성질은 이 구조의 대칭면에 단락회로를 그라운드 비아에 의해서 동작되도록 구현하였다. 이렇게 하면 공통 모드와 차동 모드에서 모두 동작하는 특성을 얻을 수 있으며, 이러한 성질을 이용하여 평형 필터를 구현하였다. 이러한 특징들을 확인하기 위하여 5개의 대칭 CRLH 단위 셀로 시뮬레이션, 제작 및 측정을 하여 공통 모드와 차동 모드에서 동일하게 동작하는 평형 필터의 특성을 얻었다.
본 논문은 주파수 자원을 효율적으로 이용하기 위하여 무선통신 업무가 인접 대역 혹은 동일 대역에 존재하는 경우 몬테 카를로 시뮬레이션 방법을 이용하여 양립성을 분석하였다. 간섭 시나리오를 설정하면 간섭원과 피 간섭원간의 간섭 확률을 몬테 카를로 방법으로 계산한 후 이를 미리 설정된 최대 허용 간섭 확률과 비교하여 활성화 간섭원 밀도, 간섭원 대역폭, 피 간섭원의 셀 반경, 간섭원과 피간섭원 사이의 거리, 충격 계수에 따라 양립 여부를 판단하였다. 이 때 전파 모델은 free space 모델, extended Hata 모델로 가정하였다.
본 논문에서는 향상된 가시성 검사를 수행하여 기존의 중-텍스처링 구조에 비하여 데이터 전송량 및 깊이 캐쉬의 셀 면적을 감소시킨 픽셀 파이프라인 구조를 제시하였다. 제안하는 구조는 인접한 픽셀들 간의 가시성이 동일할 확률이 높다는 점을 이용하여 한 번의 가시성 검사만 수행하면서도 중-텍스처링 구조와 대등한 성능을 보이는 픽셀 파이프라인 구조이다. 실험결과, 제안하는 구조는 중-텍스처링 구조에 근접하는 성능을 보이면서도 깊이 캐쉬의 전송량은 평균 25%, 깊이 캐쉬의 면적은 약 40%가 감소하였다.
이종 네트워크 환경에서 이종셀 간 간섭 제어를 위해 Almost Blank Subframes (ABS)이 제안 되었다. ABS에서는 서브프레임에 대한 자원 할당을 하지 않음으로써 동일 채널 간섭을 줄일 수 있다. 기존 연구에서는 ABS 기술의 성능 평가를 위한 수학적 모델링이 제안되지 않았다. 본 논문에서는 ABS 기술에 대한 수학적 모델을 제시하였다. 분석을 위한 가정에서 OFDMA 기반의 다중 반송파 (multi carrier) 시스템을 가정하였고, large-scale 페이딩을 가정하였다. 성능 평가로써 effective SINR에 대한 누적분포함수를 나타낸다. 시뮬레이션과 분석에 대한 결과 비교를 통해 수학적 모델에 대한 정확도를 보인다.
본 논문에서는 이차원(2-D) 이산 웨이블릿 면환(Discrete Wavelet Transform, DWT)을 이용한 연상압축기를 FPGA 칩에서 실시간으로 동작 가능하도록 하는 효율적인 메모리 스케줄링 방법(E$^2$M$^2$)을 제안하였다. S/W적으로 위의 메모리 사상 방법을 검증한 후, 실제로 상용화된 SFRAM을 선정하여 메모리 제어기를 구현하였다. 본 논문에서는 Mallet-tree를 이용한 2-D DWT 영상압축 칩을 구현할 경우를 가정하였다. 이 알고리즘은 연산 과정에서 많은 데이터를 정장하여야 하는데, FPGA는 많은 데이터를 저장할 수 있는 메모리가 내장되어 있지 않으므로 외부 메모리를 사용하여야 한다. 외부메모리는 열(row)에 대해서만 연속(burst) 읽기, 쓰기 동작이 가능하기 때문에 Mallet-tree 알고리즘의 데이터 입출력을 그대로 적용할 경우 실시간 동작을 수행하는 DWT 압축 칩을 구현할 수 없다. 본 논문에서는 데이터 쓰기를 수행할 경우에는 메모리 셀(cell)의 수직 방향을 저장시키고 읽기를 수행할 때는 수평으로 데이터의 연속 읽기를 수행함으로써 필터가 항상 수평 방향에 위치하게 하는 방법을 제안하였다. 입방법을 C-언어로 DWT 커넬(Kernel)과 메모리의 에뮬레이터(emulator)를 구현하여 실험한 결과, Mallat-tree 이론을 그대로 적용시켰을 때와 동일한 필터링을 수행할 수 있음을 검증하였다. 또한, 상용화된 SDRAM의 메모리 제어기를 H/W로 구현하여 시뮬레이션 함으로써 본 논문에서 제안한 방법이 실제적인 하드웨어로 실시간 동작을 할 수 있음을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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