• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 2002.11a
• /
• pp.237-238
• /
• 2002

과산화수소는 광화학적 이차 생성물질이며 대기의 산화상태를 알려주는 지시자의 역할을 한다. H2O2 는 O3의 광분해로 시작되는 광화학 반응 중 HO2 radical 의 self reaction(HO2＋ HO2＋M$\longrightarrow$H2O2＋M)으로 주로 생성된다(Lee,2000). 대기 내 수명이 1-2일인 과산화수소를 측정하므로써 오존의 대표적인 전구물질인 NOx와 VOC를 산화시키는 OH, HO2 라디칼의 농도를 예측할 수 있고 궁극적으로 오존을 저감하는 대책을 세우는데 필요한 요인으로 사용된다. (중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 1999.10a
• /
• pp.255-257
• /
• 1999

휘발성 유기화합물(VOCs)은 오존 및 광화학 스모그의 전구물질 내지는 원인물질로써, NOx나 햇빛 등과 반응하여 2차 오염물들을 생성한다. 특히, Benzene이나 Chloroform과 같은 VOCs 물질들을 강력한 발암성 물질로 규제되고 있다. 이러한 VOCs는 차량운행, 인쇄, 도장산업, 각종 석유정제과정 및 취급과 정등에서 많이 발생하며, 우리 시민들에게 호흡기 질환을 일으키거나 시계를 흐리게 한다. 따라서 휘발성 유기화합물에 의한 악영향과 교통 및 각종 산업시설에서의 발생원 확인 및 제거에 대한 관심이 매우 높다.(중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 2003.11a
• /
• pp.508-509
• /
• 2003

대기 중 입자상 물질의 건식 침적 속도는 그 과정의 복잡성으로 인해 모형을 이용한 연구 시 종종 일정한 값으로 간주되어 왔다. 그러나 입자상 물질의 전체 침적 속(flux)에서 건식 침적 속(flux)이 차지하는 부분은 무시할 수 없는 양이며, 따라서 입자상 물질의 기후 및 환경에 대한 영향을 평가하기 위해서는 이 과정의 정량적인 추정이 필요하다. 본 연구는 프랑스 기상청(Meteo-France)의 대기화학수송모형(CTM)인 MOCAGE에 에어로졸 모듈을 개발하는 일환으로 지표 특성 및 지표 가까이의 미기상학적 조건 등을 고려하여 입자 크기 별 입자상 물질의 건식 침적 속도를 모수화 하였다.(중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 1999.10a
• /
• pp.449-450
• /
• 1999

VOCs(volatile organic compounds)는 대기중에서 질소산화물과 함께 광화학반응에 참여하여 인체 및 동식물에 유해한 오존 등 2차 오염물질인 광화학산화물을 형성하는 전구물질로 작용한다. 1998년 8월 미국 EPA에서는 휘발성유기화합물과 지표 부근의 오존 또는 스모그의 발생량을 감소시키기 위해 페인트, 세제 및 살충제의 제조공법에 관한 새로운 규칙을 발표하여 휘발성 용제 사용 규제를 강호하고 있다(과학기술부, 1998).(중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 1999.10a
• /
• pp.141-142
• /
• 1999

차량의 증가와 각종 산업분야에서의 유기용제 사용에 따른 VOC 물질의 증가는 발암성과 관련된 환경보건 및 오존의 전구물질 등 기타 복잡한 대기화학과도 긴밀하게 연루되어 있다. 또한, VOC는 공단지역에서 지역주민에게 악취를 유발시키는 있어 악취와 건강보건에 있어서 집중적인 관리가 요구된다고 하겠다.(중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 2001.11a
• /
• pp.364-364
• /
• 2001

최근 아황산가스나 일산화탄소 등 1차오염물질은 정부의 적극적인 대기오염 저감정책에 의하여 80년대부터 꾸준히 줄어든 반면, 오존과 같은 2차오염물질은 화석연료를 사용하는 자동차 대수가 급격히 증가함에 따라 점차 증가하고 있다. 광화학반응에 의해 생성되는 오존은 대기오염의 주된 오염물질로서 전구물질(precursor)의 발생지역 뿐만 아니라 바람에 따라 수송(transport)되어 오염원이 없는 외곽지역에 영향을 주기도 하는 등, 지역적 규모(regional scale) 이상의 수평적인 오존 수송을 나타낼 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 2000.04a
• /
• pp.284-286
• /
• 2000

2002년 월드컵을 앞두고 서울시는 대기오염도에 한층 관심이 높아졌으며, 특히 월드컵이 개최되는 6월은 오존주의보가 발령되기 쉬운 시기이므로 오존생성의 전구물질인 휘발성유기화합물 등의 저감대책에 대한 관심이 더 높아졌다 서울시는 1999년에 대기오염도의 입체적 특성과 배경오염도를 파악하기 위해 남산(2개소)과 북한산에 대기오염 자동측정망을 설치하면서 기존에 측정해온 대기오염물질과 기상인자 외에 휘발성유기화합물 3항목(벤젠, 톨루엔, 자일렌)을 자동 측정하도록 하였다. (중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 2001.11a
• /
• pp.197-198
• /
• 2001

대기 중 인위적 자연적 발생원에 기인하는 SO$_2$, NOx 및 HCs는 균일반응(homogeneous reaction)과 불균일반응(heterogenous reaction)을 통해서 산화되어 산성가스와 에어로졸을 형성한다. 대부분의 산성물질은 대기 중 구름, 안개, 에어로졸 액적중에서 균일반응을 통해 생성되며, 입자표면에서 가스상 물질의 불균일반응은 에어로졸농도가 높은 배출원 근처에서 국한된다. 이와 같은 반응을 통해 생성된 산성오염물질 및 전구물질은 건성 및 습성침적(dry and wet deposition)을 통해 지표면에 침강되어 생태계에 직ㆍ간접적인 영향을 줄 뿐만 아니라 산성우 및 동식물의 호흡기질환에 중요한 영향을 미친다.(Petros et al., 1989) (중략)

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
• /
• 2002.11a
• /
• pp.253-254
• /
• 2002

대기중 인위적 및 자연적 발생원에 기인하는 SO$_2$, NOx 및 HCs는 균일반응과 불균일반응을 통해서 산화되어 산성가스와 에어로졸을 형성한다 대부분의 산성물질은 대기중 구름, 안개, 에어로졸 액적중에서 균일반응을 통해 생성되며, 입자표면에서 가스상 물질의 불균일반응은 에어로졸 농도가 높은 배출원근처에서 국한된다. 이와 같은 반응을 통해 생성된 산성오염물질 및 전구물질은 건성 및 습성침적 (dry and wet deposition)을 통해 지표면에 침강되어 생태계에 직ㆍ간접적인 영향을 줄뿐만 아니라 산성우 및 동식물의 호흡기 질환에 중요한 영향을 미친다. (중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.41-41
• /
• 2010

반도체 소자의 선폭이 감소함에 따른 금속배선의 저항이 증가하면서 반도체 배선물질을 copper로 대체하려는 연구가 진행되고 있다. 그러나 copper를 금속배선에 사용하게 되면 대기 상에서 노출 시 쉽게 산화가 일어나며 형성된 산화물의 미세조직이 치밀하지 못하여 계속적인 산화가 진행되고, 후속 열처리 공정 시 copper가 유전체로 확산되어 소자의 정상적인 작동을 방해하게 되는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 copper의 확산 및 산화를 방지하는 물질로 cobalt가 각광받고 있다. Cobalt는 낮은 저항과 열적 안정성이 우수하여 copper와의 연동에 문제가 없으며, 소자의 작동에도 영향을 미치지 않는다. Cobalt 박막의 적용을 위해 patterning 단계를 줄일 수 있는 선택적 증착공정의 개발도 요구되고 있다. 본 연구에서는 우수한 층덮힘(step coverage)과 양질의 박막을 증착할 수 있는 MOCVD 공정을 이용하였고, cobalt 전구체로서 $Co(hfac)_2$ (hfac: hexafluoroacethylacetonate) 전구체와 $Co_2$ (CO)8 (CO: carbonyl) 전구체를 사용하였다. 각각의 전구체에 따라 선택적 증착이 가능한 공정조건을 찾기 위한 연구를 진행하였다.