• Title/Summary/Keyword: 단일층

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Investigation of Thin Film Structures of Cobalt Silicides Formed with a Co Monolayer and a Co/Ti Bilayer (Co 단일층과 Co/Ti 이중층에 의하여 형성된 코발트 실리사이드막의 구조)

  • Lee, Jong-Mu;Lee, Byeong-Uk;Gwon, Yeong-Jae;Kim, Yeong-Uk;Lee, Su-Cheon
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.6 no.9
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    • pp.861-870
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    • 1996
  • Co 단일층과 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 코발트 실리사이드를 최종 막의 구조와 에피텍셜 성장 측면에서 조사하였다. Co 단일층은 그 두께와는 관계없이 전체 막이 CoSi2로 변화된 반면에, Co/Ti 이중층 구조에서는 Co와 Ti 막의 두께비가 최종막 구조에 상당한 영향을 주었다. 그리고 CoSi2막의 에피 성장이 Co 단일층에서 보다는 Co/Ti 이중층에서 보다 용이하였다.

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Crystallographic Etching in Double-Layer Graphene on $SiO_2$ Substrates

  • Park, Min-Gyu;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.209-209
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    • 2013
  • 그래핀(graphene)의 가장자리(edge)는 결정구조의 배향성에 따라 지그재그(zigzag)와 안락의자(armchair) 형태로 구분되는데, 나노미터 크기의 그래핀의 전자적 성질은 이러한 가장자리의 배향성에 의해 크게 영향을 받는다고 알려져 있다. 단일층 그래핀 가장자리 사이에서 일어나는 산화실리콘($SiO_2$)의 carbothermal reduction은 선택적으로 지그재그 형태의 가장자리를 생성한다고 알려져 있다. 본 연구에서는 라만 분광법과 원자 현미경(atomic force microscopy)을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 이중층 그래핀에서 일어나는 carbothermal reaction을 연구하였다. 고온 산화 방법으로 이중층 그래핀에 원형 식각공(etch pit)을 만들고 Ar 기체 속에서 700도 열처리를 진행한 후, 원형 식각공이 육각형으로 확장된 것을 관찰하였다. 이것은 이중층 그래핀도 산화실리콘의 carbothermal reduction을 유발한다는 사실을 보여준다. 그러나 이중층 그래핀의 반응속도는 단일층보다 5배 정도 느린 것이 확인되었는데, 이는 이중층 그래핀의 탄소원자와 산화제로 작용하는 산화실리콘 간의 평균 거리가 단일층보다 더 크다는 사실로 설명할 수 있다. 또한 단일층과 이중층 그래핀 모두 1 기압 Ar 분위기에서보다 진공상태에서 반응속도가 현저히 작다는 사실이 관찰되었다. 진공도와 온도에 따른 반응속도로부터 반응 메커니즘 및 활성화 에너지에 대해 고찰하고자 한다.

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적층 구조를 적용한 용액 공정 IGZO 박막 트랜지스터의 특성 분석

  • Kim, Hyeon-Gi;Choe, Byeong-Deok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.212.1-212.1
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    • 2015
  • 본 연구에서는 용액 공정을 통해 제작한 IGZO 박막 트랜지스터의 Active layer를 적층 구조로 쌓아올리고, 신뢰성 평가를 위해 Gate에 지속적인 바이어스를 인가함으로써 소자의 문턱 전압 변화를 측정 실험을 진행하였다. Active layer 제작에 사용된 용액의 비율은 In:Zn:Ga = 1:1:30%로 제작되었고, 단일층부터 이중, 삼중층까지 적층을 하였다. 각 소자의 Active layer 층이 많아질수록 이동도가 1.21, 0.87, 0.69 ($cm^2/Vs$)으로 감소하는 등의 전기적 특성이 감소하는 경향을 보였다. 하지만 Gate에 10 V를 3000초간 지속적으로 인가해주었을 때 문턱 전압의 변화가 단일층일 때 10.4 V에서 삼중층일 때 1.3 V로 감소하였다. 이것은 Active layer의 층 사이의 계면이 형성되면서 current path에 영향을 주어 전기적 특성이 감소하였지만, 적층으로 인한 surface의 uniformity가 향상되는 것으로 확인하였다. 또한 1500초에서 Dit (Interface Trap Density)를 추출한 결과, 단일층에서는 $7.53{\times}10^{12}$($cm^{-2}-1$<)로 삼중층에서 $4.52{\times}10^{12}$($cm^{-2}-1$<)의 약 두 배 정도 높게 추출되었다.

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Design, Analysis, and Comparison of Symmetric Dual-level Spiral Inductors for RF Integrated Circuits (RF집적회로용 이중층 나선형 대칭구조 인덕터의 설계 및 비교 분석)

  • Ihm, Guk-Ju;Shin, So-Bong;Lee, Sang-Gug
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.37 no.10
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    • pp.17-24
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    • 2000
  • An area efficient and symmetric dual-level spiral inductor structure is proposed and evaluated in comparison with the conventional single-level spiral inductors. Contrary to the dual-level inductor mutual coupling coefficient of the upper-and lower-level inductors of the dual-level inductor increases with the increases in the number of turns. Because of this, for the same silicon area, the inductances of the dual-level incuctors are 2.5-4 times higher than that of the single-level inductor. Furthermore, the dual-level showed better quality factor that the single-level inductors for the same inductance. It is the intention of this paper to demonstrate that the dual-level can be more useful for the RF integrated circuits than the conventional single-level spiral inductors form the aspects of area efficiency and quality factor. The proposed dual-level inductors are designed and confirmed to be perfectly symmetric, and can also be used as a high-frequency choke.

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Dielectric Characteristics due to Variation of Temperature at Interface of Composite Insulators (복합절연체 계면에서의 온도변화에 따른 유전정접 특성)

  • Park, Hee-Doo;An, Byung-Chul;Kim, Tag-Yong;Shin, Jong-Yeol;Kim, Gui-Yeol;Lee, Chun-Ho;Hong, Jin-Woong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2005.11a
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    • pp.132-133
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    • 2005
  • 고분자 절연재료의 혼합사용을 통한 계면의 전기적 특성 및 온도 특성을 조사하기 위하여 XLPE층 과 EPDM 층을 각각 단일층 및 이중층으로 적층하였으며, 온도는 상온에서 100 [$^{\circ}C$]까지 변환시키면서 유전정접을 측정하였다. 또한 data는 LABview를 이용하여 GPIB통신으로 받아들인 값을 평균치를 구하여 컴퓨터에 저장하였다. 측정결과 온도에 무관하게 이층구조는 단일층 사이의 값을 나타내며, 온도증가에 따라 XLPE 단일층의 변화가 크게 나타났으며, 이중층은 EPDM의 변화에 크게 의존함을 확인할 수 있었다.

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Raman Spectroscopy Study of Carothermal Reactions in Double-layer Graphene on $SiO_2$ Substrates

  • Park, Min-Gyu;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.387-387
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    • 2012
  • 그래핀(graphene)의 가장자리(edge)는 결정구조의 배향성에 따라 지그재그(zigzag)와 안락의자 (armchair) 형태로 구분되는데, 나노미터 크기의 그래핀의 전자적 성질은 이러한 가장자리의 배향성에 의해 크게 영향을 받는다고 알려져 있다. 단일층 그래핀 가장자리 사이에서 일어나는 산화실리콘($SiO_2$)의 carbothermal reduction은 선택적으로 지그재그 형태의 가장자리를 생성한다고 알려져 있다. 본 연구에서는 라만 분광법과 원자 현미경(atomic force microscopy)을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 이중층 그래핀에서 일어나는 carbothermal reaction을 연구하였다. 고온 산화 방법으로 이중층 그래핀에 원형 식각공(etch pit)을 만들고 Ar 기체 속에서 700도 열처리를 진행한 후, 원형 식각공이 육각형으로 확장된 것을 관찰하였다. 이것은 이중층 그래핀도 산화실리콘의 carbothermal reduction을 유발한다는 사실을 보여준다. 그러나 이중층 그래핀의 반응속도는 단일층보다 느린 것이 확인되었는데, 이는 이중층 그래핀의 탄소 원자와 산화제로 작용하는 산화실리콘 간의 평균 거리가 단일층보다 더 크다는 사실로 설명할 수 있다. 또한 본 연구에서는 반응기 내의 압력이 반응 속도에 미치는 영향과 식각공이 육각형으로 변해가는 과정에 대한 라만 분광 특성을 조사 및 분석하였다.

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단일 타겟을 이용한 반응성 마그네트론 스퍼터링 공정에 의한 나노 복합구조의 MoN-Cu 코팅층 형성 기술 개발

  • Jeong, Deok-Hyeong;Lee, Han-Chan;Sin, Seung-Yong;Mun, Gyeong-Il
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.237-237
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    • 2010
  • 에너지소비와 엔진 부품의 마모문제를 해결하기 위해, soft-phase를 doping한 hard상의 coating에 대한 실험이 최근 중요한 연구 테마로서 진행 중이다. 특히 MoN-Cu coating은 미국 Argon 연구소의 Erdemer박사 등에 의해, 고온 및 상온 윤활성이 우수한 코팅층으로 보고된 이후 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나 기존 연구는 Mo와 Cu의 원소타겟을 이용한 연구가 주력이 되었다. 높은 경도와 저온 고온에서의 낮은 나노 혼합물 코팅 종류는 일반적으로 Mo와 Cu와 같은 원소 합금을 이용한 다수 타겟을 이용한 공정에 의해 진행되어왔다. 이러한 복수의 타겟에 의해 증착 동안에는, 정확한 조성, 큰 크기의 시편들의 균일 증착을 조절하기가 쉽지 않다. 또한, 코팅층에 3번째 성분을 추가하기가 어렵다는 문제점이 있다. 본 연구에서는, 최상의 마찰계수와 표면경도를 보이는 MoN-Cu층을 형성시키기 위하여 합금으로 단일 타겟을 제조하였다. 이를 위한 최적 조성을 결정하기 위하여 Mo, Cu 단일 타겟을 이용한 Unbalanced Magnetron sputtering 법으로 다양한 Cu 함량의 MoN+Cu 합금을 제조하였으며, 이에 대한 경도 및 마찰계수 측정을 통해 최적의 Cu 함량을 결정하였다. 이러한 최적 조성의 Cu 타겟제조를 기계적 합금화와 Spark plasma sintering 기술을 이용하여 제작하였으며, 복수의 합금 타겟과 단일 합금 타겟으로 제조된 코팅층의 물성 비교를 통해 합금 타겟의 우수성 여부를 확인하고자 하였다. 증착된 두 조건의 물성을 비교 단일 타겟은 두가지 타겟으로 증착한 것보다 비슷한 조성에서 경도가 높았으며 경도가 비슷한 조성에서는 마찰계수가 낮았다. 또 입자는 10 at.% Cu 조성에 대해 단일타겟이 50nm 결정립을 갖는 반해 단일타겟은 측정이 불가능할 정도의 미세한 결정립을 가졌다. Erdemir의 연구 결과에 의하면, Cu 함량이 증가함에 따라 columnar 형태의 코팅층구조가 나노 구조로 변한다고 하였는데, 본 연구에서 복수의 원소 타겟에서는 확인이 안되었으며, 단일 합금 타겟에서 완벽한 featurless 형태의 코팅층 구조와 우수한 조도의 박막층을 얻을 수 있었다. 이렇게 제조된 다양한 코팅층에 대한 마찰계수 측정이 진행중이다.

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카드뮴 셀레나이드 양자점 기반의 역 구조 유기태양전지

  • Lee, Gyu-Seung;Sim, Jae-Ho;Yang, Hui-Yeon;Son, Dong-Ik
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.337.2-337.2
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    • 2016
  • 역 구조 유기태양전지는 가격이 저렴하고 우수한 경량성, 간단한 제조공정 그리고 휘어짐이 가능한 소자를 제작할 수 있는 것이 큰 장점이다. 또한, 광활성층과 전극 사이에 표면개질 물질을 도입하여 에너지장벽을 줄임으로써 소자 전반적인 전하수송을 증가시킬 수 있게 되었다. 나아가 용액공정과 저온 공정을 통해 유기 광전자소자의 roll-to-roll 대면적화 기술을 기반으로 가격대비 성능을 개선시켰다. 본 연구에서는 CdSe 또는 CdSe@ZnS 양자점을 표면개질 유기물질인 polyethylenimine ethoxylated (PEIE)에 정전기적 인력의 결합을 통한 양자점 단일층을 얻었고 이는 전기수송층, 광흡수층 그리고 표면플라즈몬 공명(Surface plasmon resornace)의 역할을 수행하게 되면서 태양전지 전반적인 성능 향상을 관찰 할 수 있었고 양자점 단일층으로 인해 20%가 증가된 에너지변환효율 얻었다. 또한 단일층으로 형성된 CdSe 또는 CdSe@ZnS 양자점 은 $F{\ddot{o}}rster$ resonance energy transfer (FRET) 메커니즘을 통해 PC60BM과 P3HT의 Photo luminescence 세기를 99% 감쇄시켰고, CdSe 양자점을 유기 광활성층인 PTB7:PC71BM에 적용하여 8.1%의 수치를 나타내었다.

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Design of the Fixed-Bed Catalytic Reactor for the Maleic Anhydride Production (무수마레인산 생산을 위한 고정층 촉매 반응기 설계)

  • Yoon, Young Sam;Koo, Eun Hwa;Park, Pan Wook
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.10 no.3
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    • pp.467-476
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    • 1999
  • This paper analyzed the behavior of fixed-bed catalytic reactor (FBCR) which synthesizing maleic anhydride(MA) from the selective oxidation of n-butane. The behavior of FBCR describing convection-diffusion-reaction mechanism is examined by using two-dimensional pseudohomogeneous plug-flow transient model, with the kinetics of Langmuir-Hinshelwood type. Prediction model is composed by optimum parameter estimation from temperature profile, yield and conversion of single FBCR on operating condition variations of Sharma's pilot-plant experiment. A double FBCR with same yield and conversion for single FBCR generated a $8.96^{\circ}C$ lower hot spot temperature than a single FBCR. We could predict parametric sensitivity according to the variation of possible operating condition (temperature, concentration, volumetric flow of feed reactant and coolant flow rate) of single and double FBCR. Double FBCR showed the behavior of more operating range than single FBCR. Double FBCR with nonuniform activities could assure safety operation condition for the possible variation of operating condition. Also, double FBCR had slightly higher than the single FBCR in conversion and yield.

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Extending the Single-Mode-Operation Radius of the Oxide-VCSEL by Controlling the Thickness and Position of the Oxide-Layer (Oxide층의 두께와 위치 조절을 통한 oxido-VCSEL의 단일모드 동작반경 확장)

  • 김남길;김상배
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.41 no.9
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    • pp.31-37
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    • 2004
  • We have proposed a design methodology for large active-area single-mode VCSELS, which have higher reliability and output power, and are well-suited for high-speed operation. The key idea underlying the design methodology is to reduce the effective index difference between active and cladding regions by controlling the thickness and position of the oxide layer. The idea is confirmed by the self-consistent effective index method. By placing the oxide layer position properly, we can increase the radius of the oxide aperture for single-mode operation by 3 times.