• 한국진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.353-359
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• 2000

마그네트론 스퍼터링법으로 p형 ($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$과 ($Bi_{1-x}Sb_x)_2Te_3$ 열전박막을 제조하여 스퍼터 증착 조건 및 $Sb_2Te_3$ 함량에 따른 열전특성을 분석하였다. Corning glass 기판을 10rpm으로 회전시키며 DC 스퍼터링법으로 $300^{\circ}C$에서 증착한($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$ 박막은 $(Bi, Sb)_2Te_3$ 단일상으로 결정화가 완료되고 c축 우선배향성을 나타내었으며, 다른 조건으로 증착한 ($Bi_{0.15}Sb_{0.85})_2Te_3$ 박막보다 높은 185 $\mu$V/K의 Seebeck 계수를 나타내었다. p형(Bi$_{1-x}$ Sb$_{x}$)$_2$Te$_3$ (0.77$\leq$x$\leq$ 1.0) 박막에서는 Sb$_2$Te$_3$ 함량이 증가함에 따라 Seebeck 계수와 전기비저항이 감소하였으며($Bi_{1-x}Sb_x)_2Te_3$조성에서 $0.79\times10^{-3}W/K^2$-m의 최대 출력인자를 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제9권4호
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• pp.11-16
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• 2002

본 연구에서는 $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT)박막의 고속식각에 따른 잔류물질 및 식각 손상의 영향을 조사하였다. ICP-RIE (inductively coupled plasma reactive ion etching) 의 ICP power와 CCP(capacitively coupled plasma) power를 변화시키면서 고속식각에 따른 박막의 손상과 열화를 XPS 분석과 Capacitance-Voltage (C-V) 측정을 통하여 알아보았다. ICP와 CCP의 power가 증가함에 따라 식각율이 증가하였고 ICP power가 700 W, CCP power가 200 W 일때 식각율은 900$\AA$/min이었다. 강유전체의 건식식각에 있어서 문제점이 플라즈마에 의한 강유전체 박막의 열화인데 반응가스 $Ar/C1_2/CHF_3$를 20/14/2의 비율로 사용하고 ICP와 CCP power를 각각 700w와 200w로 사용하였을 때 전혀 열화되지 않는 강유전체 박막의 특성을 얻을 수 있었다. 본 연구 결과는 Metal-Ferroelectric-Semiconductor (MFS) 또는 Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS) 구조를 가지는 단일 트랜지스터형 강유전체 메모리 소자를 만드는데 건식 식각이 응용될 수 있음을 보여준다

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.304-307
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• 2001

High quality BSCCO thin films have been fabricated by means of an ion beam sputtering at various substrate temperatures, $T_{sub}$, and ozone gas pressures, $PO_3$. The correlation diagrams of the BSCCO phases appeared against $T_{sub}$ and $PO_3$ are established in the 2212 and 2223 compositional films. In spite of 2212 compositional sputtering, Bi220l and Bi2223 phases as well as Bi2212 one come out as stable phases depending on $T_{sub}$ and $PO_3$. From these results, the thermodynamic evaluations of ${\Delta}H$ and ${\Delta}S$ S, which are related with Gibbs' free energy change for single Bi2212 or Bi2223 phase are performed.

• 한국안광학회지
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• 제7권1호
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• pp.35-38
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• 2002

자외선과 전자파를 동시에 차단하는 선글라스렌즈를 제작하기 위하여 유리기판 위에 자성재료인 페라이트 박막을 페라이트 도금법으로 제작하였다. 이들은 모두 스피넬 구조의 단일상임을 확인할 수 있었으며, 육안으로 관찰할 때 거울면과 같은 광택을 가졌으며, 손톱으로 긁었을 때 흠집이 생기지 않는 경도를 보였다. 페라이트는 400nm 부근에서부터 급격히 투과율이 떨어져 자외선을 차단하는데 효과적인 양상을 보이고 있다. 타사제품과 비교하여 자외선 차단효과는 크게 떨어지지 않으며, 전자파 차단효과가 있는 페라이트를 코팅한 선글라스를 착용함으로서 유해전자파와 자외선을 차단하는 효과를 얻을 수 있을 것이다.

• 한국표면공학회지
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• 제46권2호
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• pp.61-67
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• 2013

Thin film solar cells have attracted much attention due to their high cell efficiency, comparatively low process cost, and applicability to flexible substrates. In particular, CIGS solar cells have been widely studied and produced because they demonstrated the highest cell efficiency. However, the deposition process of CIGS films generally includes the selenization process conducted at elevated temperature using toxic $H_2Se$ gas. To avoid this selenization process, CIGS thin films were, in this study, deposited by RF sputtering using single composite CIGS target. In addition, the effects of sputtering bias voltage and heat treatment on the microstructural and morphological changes in deposited CIGS films were investigated and discussed.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.173-177
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• 2002

High quality BSCCO thin films have been fabricated by means of an ion beam sputtering at various substrate temperatures, T$\sub$sub/, and ozone gas pressures, pO$_3$. The correlation diagrams of the BSCCOphases with T$\sub$sub/ and pO$_3$ are established in the 2212 and 2223 phases come out as stable phases depending on T$\sub$sub/ and pO$_3$. From these results, the thermodynamic evaluation of ΔH and ΔS, which are related with Gibbs\` free energy change for single Bi2212 or Bi2223 phase, were performed.

• 한국표면공학회지
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• 제36권2호
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• pp.141-147
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• 2003

Silicon carbide thin film was deposited in APCVD and LPCVD system with 1,3-DSB precursor 1,3-DSB is the single precursor to deposit SiC on Si at low temperature. SiC film was deposited at $850^{\circ}C$ lower than ordinary temperature ($1000~1200^{\circ}C$) in CVD process. SiC thin film glowed to high oriented (111) plane in APCVD system. In LPCVD system, SiC film groved to preferred (220) plane at same temperature. This discrepancy between preferred planes can be described by the difference of deposition mechanism. Amorphous phase and crystal defect were observed in APCVD system with the main growth mechanism of mass transport limited region. But in LPCVD system, we got the SIC film of uniform, faceted structure and high quality.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.623-626
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• 2002

High quality BSCCO thin films have been fabricated by means of an ion beam sputtering at various substrate temperatures, Tsub, and ozone gas pressures, pO$_3$. The correlation diagrams of the BSCCO phases with Tsub and pO$_3$are established in the 2212 and 2223 compositional films. In spite of 2212 compositional sputterina Bi2201 and Bi2223 as well as Bi2212 phases come out as stable phases depending on Tsub and pO$_3$. From these results, the thermodynamic evaluation of ΔH and ΔS, which are related with Gibbs' free energy change for single Bi2212 or Bi2223 phase, was performed.

• 한국재료학회지
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• 제8권8호
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• pp.699-706
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• 1998

현재까지 박막코팅 분야에 주로 이용해 오던 플라즈마 용융분사법을 이용하여 고밀도의 두꺼운 세라믹 침적물을 제조하였다. 용융점이 2910K인 ZrO2-20wt%Y2O3분말을 이용하여 최적조건에서 이론밀도의 약 97%의 침적물을 얻었다. 고밀도 침적에 영향을 미치는 변수는 챔버 내부압력, 플라즈마동력, 플라즈마 가스조성, 분사거리, 분말입자 크기 등이었으며, 침적밀도 및 침적된 splat의 형태는 분말의 용융정도 및 챔버 내부압력에 크게 좌우되었다. 높은 밀도으 침적물을 만들기 위해서는 분말을 완전히 용융시키는 것이 중요하며, 완전히 용융된 조건에서는 챔버 내부압력이 낮고 분말분사거리가 짧은 조건 즉, 분사되는 분말이 높은 모멘텀을 가질수록 침적물의 밀도가 증가함을 알 수 있었다. 실험에서 얻어진 결과는 ANOVA 통계방법으로 분석하여 단일변수의 영향뿐만 아니라 이들 변수가 서로 조합하여 밀도에 미치는 영향도 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.304-307
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• 2001

High quality BSCCO thin films have been fabricated by means of an ion beam sputtering at various substrate temperatures, T$\sub$sub/, and ozone gas pressures, PO$_3$. The correlation diagrams of the BSCCO Phases appeared against T7ub and PO3 are established in the 2212 and 2223 compositional films. In spite of 2212 compositional sputtering, Bi2201 and Bi2223 phases as well as Bi2212 one come out as stable Phases depending on T$\sub$sub/ and PO$_3$. From these results, the thermodynamic evaluations of ΔH and ΔS, which are related with Gibbs' free energy change for single Bi2212 or Bi2223 phase are performed.