• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.111-111
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• 2011

유기박막트랜지스터는 각 박막계면의 접촉성에 따라 그 성능이 좌우 된다는 것은 널리 알려진 사실이다. 이 때문에 계면간의 접촉성 및 결함을 최소화 하고 효율적인 패턴 형성을 위해 자기조립단분자막의 이용이 최근에 많이 시도되고 있다. 고품질 자기조립단분자막의 제작을 위해 RCA 세척을 통해 웨이퍼 표면에 OH기를 도입 보다 완벽한 단분자막의 형성을 촉진 하였으며 패턴제작은수분이엄격이조절된환경에서 alkyilsilane과 aminosilane 자기조립단분자막을 각각 ${\mu}CP$과 용액공정을 통해 시도되었다. 이 과정에서 물리적 흡착이나 OH기 부족으로 생성된 결함을 보안하기 위하여 SC1용액을 사용 단순 물리흡착된 자기조립단분자 물질의 제거와 다시 OH기 도입 용액공정을 통해 자기조립단분자막 형성을 반복적으로 실시하였다. 그 결과 자기조립단분자막의 결함이 최소화 되었고 자기조립단분자막의 질에 따라 유기전극재료 증착 시 선택적인 성장 과 형성된 유기전극재료 층의 형상이 다르게 관찰 되었다. 이런 반복적인 용액공정을 통해 결함이 최소화된 고품질 자기조립단분자막은 박막계면 간 옴성접촉을 형성하여 유기박막트랜지스터 제작 시 성능 향상이 기대되어진다.

• 공업화학
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• 제22권5호
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• pp.545-550
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• 2011

바이오 분자의 고정 링커로 전기전도도가 높은 방향족 공액구조의 4-(2-(4-(acetylthio)phenyl)ethynyl)benzoic acid (APBA) 분자를 합성한 후, APBA 자기조립 단분자막을 제작하였다. 제작한 APBA 자기조립 단분자막의 구조를 분석하였고, 페로센으로 고정화시킨 APBA의 자기조립 단분자막의 전기화학적 특성을 조사하였다. 부탄티올 단분자막에 APBA를 삽입시켜 혼합 단분자막을 제조하여 XPS로 금 기판에 대한 혼합 단분자막의 수직 배향성을 조사하였다. 또한, APBA 혼합 시간에 따른 APBA와 부탄티올(BT) 혼합 단분자막에 페로센을 고정화하여 전기화학적 산화 환원 특성을 조사하였다. 혼합 단분자막의 전기화학적 활성은 혼합 시간의 증가에 따라 증가하였고, 부탄티올 단분자막 기판을 APBA 용액에 36 h 침지시켰을 때 가장 높은 페로센 분자의 산화 환원 전류값을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.260-260
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• 2010

OTFT소자는 각 박막계면간의 접촉성에 따라 그 성능이 좌우 된다는 것은 널리 알려진 사실이다. 즉 박막계면간의 접촉성 저하는 계면간의 결함을 형성하여 OTFT소자 성능을 저하시킨다. 이러한 결함을 고품질의 자기조립단분자막을 제작함으로써 박막계면간 결함을 최소화 할 수 있다. 이러한 고품질의 자기조립단분자막 형성은 박막계면간의 결함을 최소화 하기때문에 고성능OTFT소자 제작시 박막계면간 접촉성 향상에 효율적으로 적용할 수 있을것이다. 이 논문에서는 계면간의 접촉성 향상을 위해 실리콘 웨이퍼 위에 3-Aminoproplytriethoxtsilane과 용매인 무수톨루엔을 이용하여 고품질의 자기조립단분자막을 제작 하였으며 고품질을 자기조립단분자막 성장 조건을 찾기 위해 엄격한 수분조절 및 APS농도, 담근시간, 온도를 조절하여 각기 다른 조건의 샘플을 제작하였다. 또한 APS성장 분포를 알기위하여 접촉각 측정기를 이용하여 접촉각을 측정 하였고 AFM 이용하여 실리콘 웨이퍼에 생성된 박막의 균질도를 측정하였다. 그 결과 APS농도(33%) 24시간 $25^{\circ}C$, APS농도(33%) 24시간 $70^{\circ}C$, APS농도(33%) 72시간 $25^{\circ}C$, APS농도 (33%) 72시간 $70^{\circ}C$ 샘플이 기존에 알려진 APS 접촉각인 $19^{\circ}C{\sim}21^{\circ}C$ 접촉각이 나왔으며 AFM 이미지 또한 높은 균질도를 보였다. 이 결과 고품질의 APS단분자막은 농도와 시간 그리고 온도에 영향은 받으며 이렇게 완성된 단분자막은 높은 균질도를 가지게 된다. 현재 실험을 통해 얻어진 고품질의 자기조립단분자막 성장 조건을 이용하여 OTFT소자 제작하고 있으며 고품질의 자기조립단분자막 형성에 의해 결함을 최소화 하므로써 박막계면간 옴성결합을 형성하여 OTFT소자의 성능 향상이 기대되어 진다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.288-289
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• 2003

금속 박막 위의 알칸티올분자의 흡착에 의한 자기조립단분자막(SAMs)은 접착 방지, 마찰 저하 등의 기능을 가진 코팅층으로서의 응용과 분자 또는 생분자의 미세 구조물 형성을 위한 방법으로 널리 연구되어지고 있다. 이러한 연구 중에서 자기조림단분자막(SAMs)의 매우 얇은 두께(수 nm)의 특성을 활용하여 AFM tip Scratching Lithography 또는 알칸티올 포토패터닝(alkanethiol Photopatterning) 방법을 사용함으로써 microscale의 패턴을 형성하는 연구 결과가 많은 이들의 관심을 받아왔다. (중략)

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.159-159
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• 2004

금속 박막 위의 알칸티올분자의 흡착에 의한 자기조립단분자막(Self-Assembled Monolayers)은 접착 방지, 마찰 저하 등의 기능을 가진 코팅층으로서의 응용과 분자 또는 생분자의 미세 구조물 형성을 위한 방법으로 널리 연구되어지고 있다. 이러한 연구 중에서 특히 자기조립단분자막의 매우 얇은 두께와 금속 박막의 선택적 식각을 위한 안정적인 리지스트(Photo Resist)로서의 특징을 활용한 극미세 패터닝에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.(중략)

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2003년도 추계학술대회 논문요약집
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• pp.43-43
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• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2006년도 추계학술발표대회 및 제11회 신소재 심포지엄
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• pp.29.1-29.1
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• 2006

• 멤브레인
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• 제5권2호
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• pp.89-96
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• 1995

Azobenzene기를 가지는 인산형 양친매성 화합물의 기/액 계면에 있어서으 단분자막 거동이 $\pi-A$ 곡선 및 표면흡수스펙트라로 검토되었다. 분자간의 강한 수소결합력을 가지는 이 화합물들은 수면에 전개 후 즉시 결정화하여 단분자막 domain들을 형성한 회합체 흡수스펙트라를 나타내었다. 그러나 subphase의 조건(분자량이 큰 유가염의 첨가 및 pH의 상승)을 변화시킴에 의해 결정 domain 형성을 제어하는 것이 가능하였다. 한편, 금속이온 첨가는 인산령 양친매성 단분자막의 분재배향상태를 변화시켰다. 금속이온의 전하가 높을수록 ($1\leq2$ < 3 < 4 가), azobenzene기를 가지는 양친매성 화합물의 분자상태가 tilt된 배향성에 기인하는 장파장으로 이동한 흡수극대를 나타내었다. 이것은 서로 다른 전하를 가진 금속이온을 흡착시킴에 의해 단분자막의 분자배향성을 변화시켜, 단분자막의 집합상태 제어 가능성을 시사한다.

• 한국진공학회지
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• 제15권2호
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• pp.145-151
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• 2006

p-iodo-phenyl octadecyl ether (I-POE)와 p-iodo-phenyl docosyl ether (I-PDE)의 분자의 흑연표면에서의 자기조립과 이 두 분자로 이루어진 혼합물의 자기조립을 주사 터널링 현미경을 이용하여 연구하였다. 각 분자 시스템은 흑연 표면에서 head-to-tail 배향의 안정된 단분자막으로 자기조립한다. 혼합물 시스템에서는 I-POE와 I-PDE 분자들은 표면에서 섞이지 않고, 고립된 단분자막 도메인을 형성한다. 특히 I-POE 분자는 흑연 표면에서 단분자막 구조를 우선적으로 형성하는데 이는 알킬 사슬 길이와 작용기를 가진 헤드 그룹의 효과에 기인한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1422-1423
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• 2011

Passivation 막이 증착될 때 산화물 반도체의 백 인터페이스에 주는 플라즈마 데미지와 화학적으로 유도된 데미지를 최소화하기 위하여 산화물 반도체의 보호막으로서 자가조립단분자막(SAM) 적용을 제안한다. TFT가 PECVD나 용액을 기반으로 한 재료로 passivation 될 때 산화물 반도체의 back interface는 플라즈마 데미지와 화학적으로 유도되는 데미지를 피할 수 없다. 자가조립단분자막을 적용함으로써 플라즈마 데미지를 막아줌으로써 이동도와 문턱전압 이하에서의 기울기(SS)의 열화와 용액을 기반으로 한 passivation으로 인한 특성변화(Von)를 최소화 하였다.