Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Effect of Self-Assembled Monolayer (SAM) on the Oxide Semiconductor Thin Film Transistor

자가조립단분자막이 산화물반도체에 미치는 영향

  • Cho, Seung-Hwan (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, Yong-Uk (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, Jeong-Soo (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
  • 조승환 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 이용욱 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 이정수 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기컴퓨터공학부)
  • Published : 2011.07.20
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Abstract

Passivation 막이 증착될 때 산화물 반도체의 백 인터페이스에 주는 플라즈마 데미지와 화학적으로 유도된 데미지를 최소화하기 위하여 산화물 반도체의 보호막으로서 자가조립단분자막(SAM) 적용을 제안한다. TFT가 PECVD나 용액을 기반으로 한 재료로 passivation 될 때 산화물 반도체의 back interface는 플라즈마 데미지와 화학적으로 유도되는 데미지를 피할 수 없다. 자가조립단분자막을 적용함으로써 플라즈마 데미지를 막아줌으로써 이동도와 문턱전압 이하에서의 기울기(SS)의 열화와 용액을 기반으로 한 passivation으로 인한 특성변화(Von)를 최소화 하였다.

Keywords