• Journal of Welding and Joining
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• v.15 no.2
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• pp.11-18
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• 1997

이 글에서는 저항 용접기의 구성과 기본원리에 대하여 설명하였다. 구조적 형태에 의한 분류와 전원방식에 의한 분류로 나누어 논하였다. 특히 저항 용접기의 고속 제어를 위한 인버터화, 직류화의 추세에 대해 논하였다. 미래에는 전자공업과 컴퓨터 기술을 비롯한 관련 기술의 발달로 고도의 자동화 및 신뢰성 있는 저항 용접기가 출현될 것으로 생각된다. 특히 소량 다품종 생산 체제에 적합한 저항 용접 시스템의 고급화.지능화는 끊임없이 추진되고 있으며, 이 분야의 장비 국산화가 무엇보다도 시급한 실정이다. 이를 위하여 각종 전력 전자 부품 산업, 고주파 교류용 변압기, 장시간 안정적으로 사용할 수 있는 전극 및 실시간 품질 보증 기술 등의 관련 기술개발을 위하여 국가적인 지원과 인접 분야와의 협력 체제가 절실히 요구되는 바이다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.2 no.2
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• pp.117-126
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• 1989

9/65/35 PLZT 세라믹을 그레인 크기에 따라 2단소성법으로 제조하여 그 전기적, 광학적특성을 관찰하고 횡모드 복굴절방식의 반사형 디스플레이소자를 제작하여 그 동작특성을 조사하였다. P-E곡선은 슬림형의 히스테리시스를 타나냈으며 그레인이 커질수록 유기분극과 광투과율은 증가하지만 복굴절율은 감소하여 디스플레이소자 구동시 콘트라스트 비가 감소 하였다. 디스플레이소자의 동작개시 전압은 1mm전극 간격에서 300V이고, $V_{(CR.Max)}$ 전압은 550V였으며 가시각도에 따른 콘트라스트 비의 비율((60.deg./90.deg.), $G_{S}$:4.mu.m)은 0.67이었다.다.

• Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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• 2002.07a
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• pp.327-332
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• 2002

식물조직배양용 바이오리액터내 배양액의 pH, DO 농도를 on-line으로 계측하고 제어하기 위한 시스템을 개발하여 시스템의 성능시험과 경시간격별 배양액의 농도변화를 계측하였으며, 주요 연구결과는 다음과 같다. 가. 복수의 바이오리액터내 배양액의 pH, DO 농도를 전극을 이용하여 on-line으로 계측하며, 농도의 계측값과 목표값을 비교하여 피드백으로 제어할 수 있는 시스템을 개발하였다. 나. 배양액의 농도변화를 계측한 결과 pH는 배양초기 5.0에서 배양이 경과됨에 따라 서서히 떨어져 2개월 후에는 3.8까지 떨어지는 것으로 나타났다. 다. 배양액의 성분중 배양초기에는 암모니아태 질소의 흡수가 질산태 질소보다 많이 이루어져 구근으로부터 H+이온을 유출시킴으로 pH의 값이 떨어지는 것으로 나타났다. 라 오염이 발생한 리액터내의 배양액 성분은 pH의 값이 3이하로 떨어졌으며, 이로부터 배양액의 오염경보를 할 수 있는 것으로 나타났다.

• Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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• v.9 no.1
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• pp.1-7
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• 2010

A new flow mode of ER fluid available for controlling the damping force by using DME(Discrete Multi-Electrode) is presented in this study. Various characteristics about the flow of ER fluid through the experiment of ER cluster behavior visualization can be assumed. The pressure in electrode length and voltage division mode is measured. An actuator with a damping effect through DME ER damper will be developed. This damper controls the damping force by using the displacement and velocity of the plant which consists of the various electrode length and voltage modes without a controller in the real system.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.3 no.4
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• pp.271-278
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• 1990

본 논문에서는 내부전극 Pt를 갖는 적층형 압전액튜에이터의 제조와 적층수에 따른 압전액튜에이터 압전특성에 대해 조사 연구하였다. 먼저, Dr.blade방법을 사용하여 두께 ~220.mu.m의 PZT green sheet를 제작하였다. green sheet의 밀도는 결합제 양과 외부압력에 대해 크게 의존하였으며 소결체의 밀도는 green sheet의 밀도가 커질수록 더 높게 나타났다. 다음에는 적층수에 따른 압전정수의 변화에 대한 것으로써 압전정수(d$_{33}$)는 PZT세라믹스의 적층수가 증가할수록 매우 크게 증가되었으며 압전정수를 도입하여 계산된 변형량(.DELTA.l/l)은 10층 시편에 대해 2*$10^{6}$V/m의 전계에서 3*$10^{-3}$값을 얻었다. 이와같은 결과로써 적층형 압전액튜에이터는 저전압에서도 큰 변위를 나타내며 따라서 제어장치의 미세작동에 충분히 이용 될 수가 있다.다.

• Geophysics and Geophysical Exploration
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• v.5 no.4
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• pp.223-235
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• 2002

Since weak Bones or geological lineaments are likely to be eroded, there may develop weak Bones beneath rivers, and a careful evaluation of ground condition is important to construct structures passing through a river. DC resistivity method, however, has seldomly applied to the investigation of water-covered area, possibly because of difficulties in data aquisition and interpretation. The data aquisition having high quality may be the most important factor, and is more difficult than that in land survey, due to the water layer overlying the underground structure to be imaged. Through the numerical modeling and the analysis of a case history, we studied the method of resistivity survey at the water-covered area, starting from the characteristics of measured data, via data acquisition method, to the interpretation method. We unfolded our discussion according to the installed locations of electrodes, ie., floating them on the water surface, and installing them at the water bottom, because the methods of data acquisition and interpretation vary depending on the electrode location. Through this study, we could confirm that the DC resistivity method can provide fairly reasonable subsurface images. It was also shown that installing electrodes at the water bottom can give the subsurface image with much higher resolution than floating them on the water surface. Since the data acquired at the water-covered area have much lower sensitivity to the underground structure than those at the land, and can be contaminated by the higher noise, such as streaming potential, it would be very important to select the acquisition method and electrode array being able to provide the higher signal-to-noise ratio (S/N ratio) data as well as the high resolving power. Some of the modified electrode arrays can provide the data having reasonably high S/N ratio and need not to install remote electrode(s), and thus, they may be suitable to the resistivity survey at the water-covered area.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.351-352
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• 2012

UV LED에서 p-GaN층의 높은 일함수와 자체 면저항이 크기 때문에 current spreading layer인 ITO (indium tin oxide) 투명전극이 사용되고 있다. 따라서 높은 UV 파장대 투과율과 낮은 면 저항이 매우 중요하다. 본 연구에서, RF magnetron sputter를 사용하여 ITO 투명전극을 glass(boro33)에 120 nm 두께로 증착하였다. 그 후 RTA (rapid thermal annealing)을 이용해 120초 동안 $600^{\circ}C$에서 Air, $N_2$ (15 sccm), vacuum 환경에서 열처리를 하여 UV-Vis-NIR spectrophotometer를 사용해 ITO 박막의 투과율을 측정하고, Hall measurement system을 이용하여 전기적 특성을 측정하였다. Fig. 1과 같이 열처리 환경에 따라 ITO 박막의 투과율이 변하고 또한 Table 1과 같이 전기적 특성도 변함을 알 수 있었다. Air 환경에서의 열처리는 reference 샘플과 비교 했을 때 400 nm 이하의 파장에서 투과율이 증가하였지만 400 nm 이상의 파장에서는 투과율이 낮아짐을 볼 수 있고, 면 저항 (Ohm/sq)은 오히려 reference (as deposited) 샘플과 비교하여 24 Ohm/sq 증가하는 것을 알 수 있었다. 반면에 $N_2$, vacuum 환경에서 열처리는 reference (as deposited) 샘플 보다 380 nm 파장대에서 16% 정도 높은 투과율을 보였고, 면저항 역시 2배 이상 낮아졌다. 둘 다 비슷한 투과율과 면저항을 나타내었지만 vacuum 환경이 좀 더 우수한 광학적 특성을 나타내었고 반면에 $N_2$ 환경은 좀 더 낮은 면저항을 나타내었다. ITO 박막을 증착한 후 vacuum 환경에서 열처리를 통하여 제작된 UV-LED (중심 파장 380 nm)가 Fig. 2와 같이 입력 전류 450 mA에서 광출력이 46% 정도 향상 되었고 안정된 I-V 특성 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.162-162
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• 2012

Sub 100 nm의 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) 소자를 구동하기 위해서는 2.0 nm 이하의 $SiO_2$ oxide에 해당하는 전기적 특성이 요구된다. 그러나 2.0 nm 이하의 $SiO_2$에서는 누설 전류가 너무 크기 때문에 이를 대체하기 위해서 유전 상수 (dielectric permittivity)가 높은 $HfO_2$ (${\varepsilon}=25$), $Al_2O_3$, $HfO_2/Al_2O_3$ laminate 등의 high-k dielectric 물질들이 연구되고 있다[1]. High-k dielectric 물질의 전기적 특성은 박막 조성, 두께 및 전극과의 계면에 생성되는 계면 층이나 불순물(Impurity) 거동에 크게 의존하므로 High-k dielectric/전극(Metal or Si) 구조에서 조성 및 불순물의 거동에 대한 정확한 평가가 주요 쟁점으로 부각되고 있다. 이를 평가하기 위해 일반적으로 $Ar^+$ ion에 의한 depth profiling 분석이 진행되나 Oxygen 원자의 선택적 식각에 기인된 분석 깊이 분해능(Depth Resolution) 왜곡으로 계면 층의 형성이나 불순물의 거동을 정확하게 평가할 수 없다. 이러한 예로는 $Ta_2O_5$ 및 $SrBi_2Ta_2O_9$와 같은 다 성분 계 산화막에 $Ar^+$ ion 주사 시 발생하는 선택적인 식각(Preferential Sputtering) 때문에 박막의 실제 조성 및 거동을 평가하는 것은 어렵다고 보고된 바 있다[2,3]. 본 연구에서는 $90{\AA}$인 적층 $Hf_xO_y/Al_xO_y/Hf_xO_y$ 구조에서의 불순물 거동 분석 능력 확보 상 주요 인자인 깊이 분해능 개선을 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)의 primary ion 종, impact energy 및 주사 각도를 변화시켜 ~1 nm 수준까지 구현하였다. 이러한 분석 깊이 분해능의 개선은 Low Impact Energy, 입사 이온의 glancing angle 및 Cluster ion 적용에 의존하며 이들 요인의 효과에 대해 비교/고찰하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.336-336
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• 2012

유기물/무기물 하이브리드 나노 복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 유기 메모리 소자는 공정의 간편성과 휘어짐이 가능한 장점을 가지고 있어 많은 연구가 활발히 진행되고 있으나 대부분의 좋은 전기적 성능을 갖는 소자에 포함되는 나노 입자는 독성을 가지거나 가격이 비싸다는 단점을 갖고 있다. 인체진화적이며 가격이 저렴한 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자에 대한 전기적 성능의 안정성에 대한 연구는 미미한 상황이다. 이에 본 연구에서는 인체친화적 $CuInS_2(CIS)$-ZnS 코어-쉘 나노 입자가 분산되어 있는 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 박막을 사용하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 전기적 성능과 안정성에 대한 연구를 하였다. 인체친화적 CIS-ZnS 나노입자를 포함한 PMMA 용액을 Al 하부전극을 가진 p-Si (100) 기판 위에 스핀코팅 방법으로 균일하게 도포 하였다. 남아 있는 용매를 완전히 제거하기 위해 열을 가해 CIS-ZnS 나노입자가 분산되어 있는 PMMA 나노 복합체를 형성하였다. CIS-ZnS 나노입자를 포함한 PMMA 박막 위에 금속 마스크를 사용하여 Al 상부전극을 열 증착 방법으로 형성하여 비휘발성 메모리 소자를 완성하였다. 정전용량-전압 (C-V) 측정을 하여 평탄 전압 이동을 관찰하였고, CIS-ZnS 나노입자의 역할을 알아보기 위해 나노입자가 없는 PMMA 박막을 갖는 소자를 제작하여 동일한 조건에서 C-V 측정을 하였다. 소자의 안정성을 알아보기 위해 평탄 전압-유지 시간 (Vth-t) 측정을 수행하였다. Vth-t 측정은 CIS-ZnS 나노입자가 전하 포획 장소로 사용할 수 있는 것과 전기적 안정성을 갖고 있는 것을 확인하였다. C-V와 Vth-t 측정결과 및 에너지 대역도를 사용하여 CIS-ZnS 나노입자가 분산되어 있는 PMMA 박막을 포함한 나노 복합체를 사용하여 제작한 이용한 비휘발성 메모리 소자에서 전하수송 메커니즘을 설명하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.10a
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• pp.722-725
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• 2013

In this work, we have been analyzed the characteristics of ReRAM with different annealing condition and temperature. The ReRAM devices with top electrode=150nm, bottom electrode=150nm, oxide thickness=70nm and annealing temperature=$500^{\circ}C$, $850^{\circ}C$ have been used in characterization. The Set/Reset voltage, sensing window and resistivity have been characterized. From the measurement results, the Set/Reset voltage and sensing window have been enhanced as the annealing temperature has been increased. But it has been decreased as the temperature performance has been increased. In case of the annealing temperature=$850^{\circ}C$, the variation of Set/Reset voltage was lower than that of other condition. But the variation of sensing window was the lowest when the annealing temperature was $500^{\circ}C$. With considering the variation of Set/Reset voltage and sensing window, the devices annealed at $850^{\circ}C$ showed the best performance to ReRAM.