• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.44.1-44.1
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• 2010

레이저 가공기술은 공정 적용이 용이하고 응용 분야가 넓어 산업 전반에 걸쳐 널리 사용되고 있다. 특히, 태양전지 제조공정에서는 cutting, grooving, doping, ablation등의 분야에 활발하게 적용되고 있으며 최근에는 다양한 종류의 레이저를 기술을 이용하여 효율 향상과 원가 절감을 위해 많은 기관에서 활발하게 연구를 진행하고 있다. 본 연구에서는 실리콘웨이퍼에 특정 파장의 레이저를 조사하여 실리콘웨이퍼 표면의 용융과 고상화를 통해 구조적, 전기적 특성 변화를 확인하였다. Si wafer의 표면은 레이저 조사 조건에 의해 다결정화 하며 레이저의 power와 frequency, scan speed등을 조절하여 다결정 실리콘 영역의 형성 깊이를 조절 할 수 있다. 다결정화 된 부분의 구조적 특성은 SED과 XRD를 이용하여 측정하였으며, 전기적 특성은 면저항 측정을 통하여 실시하였다. 또한 이러한 특성을 이용하여 태양전지 제조 공정의 적용가능성을 평가하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2005.06a
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• pp.209-216
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• 2005

태양광 주택 보급을 위해서는 기존에 고가의 실리콘 기판을 이용한 고효율 달성을 위한 연구중심의 태양전지 개발연구가 주축을 이루어왔다. 이는 개발에 성공하더라도 고가, 고난도, 복잡한 다단계 공정기술을 이용하는 단점 때문에 보급활성화를 촉진하기 위해서는 저가의 다결정 실리콘 기판을 이용한 중 상급 태양전지 상용화 기술개발로 전환할 필요로 인하여 본 연구에서는 차세대전력용 태양광발전시스템의 요소소자인 다결정태양전지 고효율화의 열쇠가 되는 기술력 확보를 통한 저가, 대면적, 고효율, 고수율 제품 대량생산 상용화에 중점을 두었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.15-21
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• 1993

Silane과 Disilane를 사용하여 화학증착법으로 제작한 다결정 실리콘의 미세구조를 증착온도의 변화에 따라 조사하였다. Silane과 Disilane의 증착온도는 각각 550에서 640.deg.C와 485에서 620.deg.C로 변화시켰다. Disilane은 silane에 비해 반응성이 크고 비정질에서 결정으로 변하는 전이온도는 약 20.deg.C정도 높았다. 전이온도에서 증착한 시편은 실리콘 source에 관계 없이 (311)조직의 거친 표면으로 되어있었다. 900.deg.C에서 열처리하는 동안 비정질로 부터는 (111)쌍정립계를 갖는 수지상의 결정성장을 하였다. 반면에 다결정 상태로 증착한 시편은 열처리하는 동안 구조가 거의 변하지 않았고 매우 작은 결정립으로 이루어진 주상구조를 하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.18 no.6
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• pp.30-37
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• 1981

Numerical calculations have beee made of the effect of grain size on the three-dimensional carrier density, the quantum efficiency, and the AMI efficiency of 30$\mu$m polycrystalliue silicon p-n junction solar cells. Quantum efficiencies calculated for the polycrystalline silicon solar cells are compared to the monocrystalline cases. An efficiency of 12% can theoretically be obtained with grain size 100$\mu$m, and 6% for 5$\mu$m grains.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.27 no.2
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• pp.98-104
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• 1990

A study of the operation of surface and buried mode PMOSFET's is condusted. Using device with different channel length and channel implant dosage, threshold voltage lowering, transcon-diuctance and subthreshold characteristics of surface mode PMOFET are compared with those of buried mode MPOSFET. From the results, the surface channel device were more resistant to short channel effect than the buried channel device.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.12
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• pp.53-58
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• 1998

A buried channel poly-Si TFT (BCTFT) for application of high performance integrated circuits has been proposed and fabricated. BCTFT has unique features, such as the moderately-doped buried channel and counter-doped body region for conductivity modulation, and the fourth terminal entitled back bias for preventing kink effect. The n-type and p-type BCTFT exhibits superior performance to conventional poly-Si TFT in ON-current and field effect mobility due to moderate doping at the buried channel. The OFF-state leakage current is not increased because the carrier drift is suppressed by the p-n junction depletion between the moderately-doped buried channel and the counter-doped body region.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.130-133
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• 2002

엑시머 레이저를 이용한 저온($450^{\circ}C$ 이하) 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제작 시, 소오스/드레인 이온 주입에 의한 실리콘 박막의 격자 손상은 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing; ELA) 방법으로 치유한다. 그러나 게이트 전극 모서리에서의 레이저광 회절 현상으로 인해 소오스/드레인 접합부에 도달하는 레이저 에너지 밀도가 감소하여 다량의 결정 결함이 치유되지 못한 채 남게 된다. 이러한 결정 결함은 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 저하시키는 요인이 된다. 새롭게 제안한 사선 입사 엑시머 레이저 어닐링(Oblique Incidence Excimer Laser Annealing; OI-ELA) 방법으로 소오스/드레인 접합부의 결정 결함을 제거하고 다결정 박막 트랜지스터의 특성을 향상시켰다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.87-88
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• 2007

나노 다결정 실리콘 박막 증착을 하기 위해서 현재 정전결합플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma)를 이용한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정에 관한 여구가 활발히 이루어지고 있다. 유도결합플라즈마는(ICP, Inductively Coupled Plasma) 정전결합플라즈마보다 플라즈마 밀도가 높고 파워전달 효율이 좋은 것으로 알려져 있으나 대면적가 어려워 기판이 큰 TFT-LCD로는 많이 연구되고 있지 않다. 본 연구는 유도결합플라즈마를 위해 내장형 multiple U-type 선형 안테나를 이용하여 나노 다결정 실리콘 박막을 증착하여 그 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.61-61
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• 2003

다결정 실리콘 박막은 박막 트랜지스터와 실리콘 태양전지등에 응용되며, 비정질 실리콘을 재결정화 하여 얻어지는 다결정 실리콘 박막이 주로 이용되고 있다. 비정질 실리콘 박막을 금속 원소와 접촉시킨 상태에서 열처리할 경우 결정화 온도가 낮아지고 결정화에 필요한 열처리 시간이 짧아지게 된다. 금속을 실리콘 박막 표면에 가하는 방법은 진공증착법등으로 비정질 실리콘 박막 위에 금속원소 층을 형성하는 방법이 주로 이용되었다. 본 연구에서는 AlCl$_3$와 NiCl$_2$ 금속화합물 분위기에서 LPCVD 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정화 거동을 관찰하였다. 금속화합물과 결정화할 비정질 실리콘 박막을 각각 다른 온도로 가열해 줄 수 있는 노를 이용하여 열처리를 시행하였다. AlCl$_3$와 NiCl$_2$ 분말을 혼합하여 소스로 이용한 경우 48$0^{\circ}C$ 5시간 열처리로 결정화가 완료되었으며, 박막 전체에 걸친 균일도와 재현성이 우수하였다. AlCl$_3$와 NiCl$_2$를 이용한 결정화 초기 상태에는 박막 전면에 걸쳐 등근 형태의 결정립이 균일한 핵 생성으로 나타났다. 이와 같은 결과는 Al과 Ni이 고상결정화에 동시에 작용하면서 나타난 것으로, Al이 가해진 비정질 실리콘으로 인해 결정화 속도가 빨라지고 결함이 작은 결정립을 얻을 수 있었으며, Ni로 인해 결정화의 균일성과 재현성을 높일 수 있었다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.34 no.4
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• pp.391-398
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• 2010

In this paper, we propose a sensor design by using a polysilicon strain gauge bonded to a metal diaphragm. The fabrication process of the thin polysilicon strain gauges having thicknesses of $50\;{\mu}m$ was established using conventional MEMS technologies; further, the technique of glass frit bonding of the polysilicon strain gauge to the stainless steel diaphragm was established. Performance of the polysilicon strain gauge bonded to the metal cantilever beam was evaluated. The gauge factor, temperature coefficient of resistance (TCR), nonlinearity, and hysteresis of the polysilicon strain gauge were measured. The results demonstrate that the resistance increases linearly with tensile stress, while it decreases with compressive stress. The value of the gauge factor, which represents the sensitivity of strain gauges, is 34.0; this value is about 7.15 times higher than the gauge factor of a metal-foil strain gauge. The resistance of the polysilicon strain gauge decreases linearly with an increase in the temperature, and TCR is $-328\;ppm/^{\circ}C$. Further, nonlinearity and hysteresis are 0.21 % FS and 0.17 % FS, respectively.