• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.60-60
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• 2010

최근 사람의 피부나 내부 장기처럼 수축과 팽창이 일어나는 부위 등에 이식 가능한 소자 개발에 대한 연구가 많이 보고되었다. 현재 이런 stretchable electronics에 대한 연구는 channel material로서 실리콘이나 유기물, 그리고, 광학 리소그래피가 가능한 micro-electronics 에 국한되어 있다. 우리는 CVD 로 성장된 수십 나노미터의 직경을 갖는 $SnO_2$ 나노선을 슬라이딩 전이하여 실리콘 웨이퍼 상에서 소자화하고 이를 스트레칭이 가능한 PDMS 기판에 전이하여 stretchable nanowire device를 구현하였다. 해당 소자는 윗면과 아랫면 모두 폴리머로 덮여 있고 측정을 위한 전극이 따로 구성되어 있어 소자 특성의 열화가 최소화되게 제작되었으며, 수축과 팽창 시 받는 스트레인 또한 최소화하는 mechanical neutral structure를 갖게 제작되었다. 또한, 소자와 소자 혹은 소자와 전극간의 연결을 S자 형태로 구성하여 기판으로 사용된 PDMS를 수십 % 스트레칭하여도 소자의 전기적 특성이 유지되는 것을 확인하였다. 이처럼 스트레칭이 가능한 나노선 소자는 구김이나 잡아 늘여지게 되는 다양한 표면위에 간단하게는 논리회로뿐만 아니라 나노선의 장점을 이용한 다양한 센서 및 기능 소자로서 응용이 가능할 것으로 예상된다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
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• pp.55-58
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• 2003

반도체 소자의 집적도의 발전에 따라 생산과정에서의 기능적인 오류 검사 소요시간이 증가하게 되어 비용절감에 커다란 장애 요인이 되고 있다. 이러한 문제점을 효과적으로 처리하기 위하여 일괄적인 패턴과 어드레스를 발생시키는 pattern generator를 연구하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2019년도 춘계학술대회
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• pp.257-259
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• 2019

이 논문은 3차원 순차적 NOR 게이트 구조에 존재하는 전기적인 상호작용을 TCAD 시뮬레이션을 이용해 조사하였다. 3차원 순차적 NOR 게이트의 전기적 상호작용은 하층 및 대각선에 위치한 소자에 의해 발생할 수 있다. 대각선에 위치한 소자의 PgateB에 전압의 유무에 관계없이 상층 NMOSFET의 드레인 전류가 동일하게 나타났고, 대각선 방향으로의 전기적인 상호작용은 소자 특성에 영향을 주지 않는 것을 확인하였다.

• 전자공학회지
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• 제23권11호
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• pp.80-88
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• 1996

• 전기전자학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.1-8
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• 2003

본 논문에서는 고내압 및 고속 스위칭 특성을 갖는 고성능 BCD(Bipolar- CMOS-DMOS) 소자 구조를 고안하였다. 공정 및 소자 시뮬레이션을 통하여, 최적화된 공정 규격과 소자 규격을 설계하였으며, 고안된 소자의 전기적 특성을 만족시키기 위하여 이중 매몰층 구조, 트랜치 격리 공정, n-/p- 드리프트 영역 형성기술 및 얕은 접합 깊이 형성기술 등을 채택하였다. 이 스마트 파워 IC는 20V급 Bipolar npn/pnp 소자, 60V급 LDMOS소자, 수 암페어급의 VDMOS, 20V급 CMOS소자 그리고 5V급 논리 CMOS를 내장하고 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.880-883
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• 2005

본 논문에서는 유한체 GF(P)상의 순차논리머시인구성 방법의 한가지를 제안하였다. 제안한 순차논리머시인구성 방법은 먼저 GF(P)상에서의 순차논리머시인의 수학적 성질을 논의하였으며, 순차논리머시인 구성을 위하여 기본의 3가지 회로소자를 사용하여 선형제환시프트레지스터와 이에 대한 행렬표현에 대해 논의하였다. 그리고, 제안한 방법을 제산연산처리에 적용하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.20-21
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• 2000

광을 기반으로 한 논리 연산은 전자 소자의 속도 한계 및 연산 용량의 한계를 극복할 대안으로 많은 관심을 끌고 있다. 초고속 전광 논리 연산의 구현은 대부분 물질의 비선형성을 이용하며 특히 광섬유의 비선형 Ken 효과를 이용한 Sagnac 간섭계의 형태를 이용한 논리 연산이 주로 연구되어 왔다$^{(1)}$ . 그러나 광섬유의 비선형성을 이용하기 위해서는 충분히 큰 광 강도가 필요하며 회로 구성에 있어서도 크기가 크다는 단점이 있다. 최근에는 반도체 광증폭기의 비선형 이득 포화 현상을 이용한 TOAD 등이 발표되어 상대적으로 크기도 감소하고 사용되는 광 강도 역시 감소시킬 수 있었다$^{(2)}$ . 간섭계를 이용한 광논리의 구현은 Sagnac 간섭계 뿐만 아니라 비선형 특성을 갖는 도파로로 구성된 Mach-Zehnder 간섭계, Michelson 간섭계 등도 이용이 가능하다. (중략)

• 전기의세계
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• 제42권3호
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• pp.28-36
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• 1993

전력용 반도체 소자는 과거 전력 다이오드, 바이플라 전력 트랜지스터 및 사이리스터 중심의 시장구성이 80년대에 들어와 전력 MOSFET와 IGBT의 지속적인 기술 발전에 힘입어 92년 전력용 반도체소자 전체 시장 45억불의 53%에 해당하는 24억불을 전력 MOSET, IGBT, 바이플라 전력 트랜지스터가 시장을 구성하고 있으며 연간 10% 이내의 지속적인 성장이 예고되고 있다. 또한 전력 MOSFET, IGB는 개별 전력소자로서의 역할뿐만 아니라 논리회로 혹은 고성능 아나로그회로와 동일 칩상에서 모노리틱 형태로 집적화되는 스마트 전력 집적회로의 출현에 중요한 영향을 미쳤으며 스마트 전력 집적회로로의 출력단 소자에 응용되어 파워부하의 구동 및 제어의 기능을 하고 있다. 이러한 전력용 반도체소자의 기술발전은 전력 전자 산업의 핵심 반도체소자로써 전력전자 시스템, 각종 전자기기 및 가전제품에 응용되어 이들 응용제품 및 시스템의 고급화, 지능화, 소형경량화에 크게 기여하고 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.76-82
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• 2002

본 논문에서는 전류 모드 다치 논리 CMOS 회로를 이용하여 4치-2치 논리 복호기, 4치 논리 전류 버퍼 4치 논리 전가산기를 제안하였다. 제안한 전가산기는 15개의 트랜지스터를 사용하여 기존의 2치 논리 CMOS 형태의 전가산기와 Current의 전가산기에 비하여 소자수가 각각 60.5%와 48.3% 감소되었으며, 이로 인해 면적 및 내부 노드수가 감소되었다. 본 논문의 회로들은 HSPICE를 사용하여 시뮬레이션 하였고 그 결과를 통하여 각각의 회로들이 정확하게 동작함을 확인하였다. 시뮬레이션 결과, 제안한 전가산기는 1.5ns의 전달 지연과 0.45mW의 전력소모 특성을 갖는다. 또한 전가산기는 본 논문에서 설계한 복호기 및 4치 논리 전류 버퍼를 사용하면 기존의 2치 논리에 쉽게 적용할 수 있다.

• 컴퓨터교육학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.65-78
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• 2008

기존의 교육용 디지털 시뮬레이터들은 논리소자(AND, OR gate 등)의 입력 포트 수, 선의 상태변화, custom component등에 대한 제한이 있다. 본 논문에서는 이러한 제한을 완화시키고, 큰 규모의 논리를 여러 개의 도면으로 나누어 처리할 수 있는 확장형 디지털 논리 회로 시뮬레이터 XSIM (eXpandable digital logic circuit SIMulator)을 제안한다. XSIM은 큰 회로를 여러 개의 페이지로 나누어 작업이 가능함으로 복잡한 논리도면 구성이나, 팀별수업에 도움이 될 것으로 기대된다.