현재 모바일기기용 스토리지 사장은 낸드 플래시와 소형 HDD가 경쟁하고 있다. 음악플레이어를 중심으로 이 두 스토리지의 경쟁이 어제오늘 시작된 것은 아니지만 최근 낸드 메모리의 영역이었던 휴대폰에 소형HDD가 진출했다는 건 주목할 만한 일이다. 음악 플레이어 지원 휴대폰이 인기를 누리면서 벌어지는 추세이다.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.20
no.6
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pp.1-11
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2015
Recently, NAND flash memories are used for storage devices because of fast access speed and low-power. However, applications of FTL on low power computing devices lead to heavy workloads which result in a memory requirement and an implementation overhead. Consequently, studies of B+-Tree on embedded devices without the FTL have been proposed. The studies of B+-Tree are optimized for performance of inserting and updating records, considering to disadvantages of the NAND flash memory that it can not support in-place update. However, if a general garbage collection method is applied to the previous studies of B+-Tree, a performance of the B+-Tree is reduced, because it generates a rearrangement of the B+-Tree by changing of page positions on the NAND flash memory. Therefor, we propose a novel garbage collection method which can apply to the B+-Tree based on the NAND flash memory without the FTL. The proposed garbage collection method does not generate a rearrangement of the B+-Tree by using a block information table and a proxy block. We implemented the B+-Tree and ${\mu}$-Tree with the proposed garbage collection on physical devices with the NAND flash memory. In experiment results, the proposed garbage collection scheme compared to greedy algorithm garbage collection scheme increased the number of inserted keys by up to about 73% on B+-Tree and decreased elapsed time of garbage collection by up to about 39% on ${\mu}$-Tree.
Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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2011.06b
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pp.434-437
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2011
낸드 플래시 메모리는 하드 디스크와는 다른 여러가지 특성 때문에 논리 주소를 불러 주소를 변환해 주는 주소 변환 계층(FTL)이 필요하다. 최근에 고성능의 저장 장치를 제공하기 위해서 페이지 수준의 주소 변환 기법이 많이 사용되고 있는 데, 이 기법은 매핑 정보가 너무 커서 메모리에서 매핑 정보를 관리하기에는 힘들다는 문제와 데이터의 접근 지역성을 잘 활용하지 못하는 문제가 있다. 본 논문에서는 스토리지의 주소 공간을 유닛이라는 단위로 분리하여 페이지 수준의 주소변환을 사용함으로써 매핑 정보를 크기를 줄이고 또한 접근 지역성을 활용하여 가비지 컬렉션 오버해드를 줄이는 유닛 레벨 주소 변환 기법을 제시한다. 실험결과 제시한 기법은 페이지 매핑 기법보다 랜덤 접근 패턴에서 가비지 컬렉션 오버해드를 40% 감소시켰으며 매핑 데이터 량도 38% 감소시켰다.
The NAND flash memory based SSDs are considered to replace the existing HDDs. To maximize the I/O performance, SSD is composed of several NAND flash memories in parallel. However, to adopt the hybrid mapping scheme in SSD may cause degradation of the I/O performance. In this paper, we propose a new mapping scheme for the SSD called WADPM. WADPM loads only necessary mapping information into RAM and dynamically adjusts the size of mapping information in the RAM. So, WADPM avoids the shortcoming of page-level mapping scheme that requires too large mapping table. Performance evaluation using simulations shows that I/O performance of WADPM is 3.5 times better than the hybrid-mapping scheme and maximum size of mapping table of WADPM is about 50% in comparison with the page-level mapping scheme.
KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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v.5
no.11
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pp.379-384
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2016
NAND flash storage is widely used for computer systems, because of it has faster response time, lower power consumption, and larger capacity per unit area than hard disk. However, currently used I/O scheduler in the operating system is optimized for characteristics of the hard disk. Therefore, the conventional I/O scheduler includes the unnecessary overhead in the case of the NAND flash storage to be applied. Particularly, when the write requests performed intensively, garbage collection is performed intensively. So, it occurs the problem that the processing of the I/O request delay. In this paper, we propose the new I/O scheduler to solve the problem of garbage collection performs intensively, and to optimize for NAND flash storage. In the result of performance evaluation, proposed scheme shows an improvement the user responsiveness by reducing 1% of the average read response time and 78% of the maximum response time.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2012.11a
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pp.6-7
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2012
낸드 플래시 메모리는 저장장치로서 널리 사용되는 소자이다. 플래시 메모리 기반의 저장장치 시스템에서 파일 시스템의 저널링 기능을 사용할 때, 플래시 메모리의 특징을 고려해주는 것이 필요하다. 본 연구에서는 플래시 메모리 기반의 저장장치 시스템에서 파일 시스템의 저널링 연산이 미치는 영향에 대해서 분석해 보고, 오버헤드가 될 만한 부분을 찾아본다. 이러한 오버헤드가 될 만한 부분을 찾아서 제거해줌으로써 플래시 메모리의 사용성을 증대시킬 수 있다.
Lee, Yongju;Kim, Hyunwoo;Kim, Huijeong;Huh, Taeyeong;Jung, Sanghyuk;Song, Yong Ho
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.3
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pp.78-87
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2013
NAND flash memory has been widely used as a storage medium in mobile devices, PCs, and workstations due to its advantages such as low power consumption, high performance, and random accessability compared to a hard disk drive. However, NAND flash cannot support in-place update so that it is mandatory to erase the entire block before overwriting the corresponding page. In order to overcome this drawback, flash storages need a software support, named Flash Translation Layer. However, as the high performance mass NAND flash memory is getting widely used, the size of mapping tables is increasing more than the limited DRAM size. In this paper, we propose an adaptive mapping information caching algorithm based on page mapping to solve this DRAM space shortage problem. Our algorithm uses a mapping information caching scheme which minimize the flash memory access frequency based on the analysis of several workloads. The experimental results show that the proposed algorithm can increase the performance by up to 70% comparing with the previous mapping information caching algorithm.
Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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2016.10a
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pp.22-25
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2016
맵 캐시 기법을 사용하는 낸드 플래시 저장장치는 맵 데이터를 저장하기 위한 공간을 필요로 한다. 이 공간을 맵 블록이라 브르며 시스템 유지 및 성능 개선을 위해 사용되는 낸드 블록의 일부를 점유한다. 맵 블록의 개수가 너무 많을 경우 시스템 유지에 블록이 부족해지기 때문에 전반적인 성능이 하락하게 된다. 하지만 맵 블록이 너무 적은 경우에도 전체 맵 데이터를 유지하기 위한 동작이 과도하게 수행되어 성능이 크게 하락하는 문제가 발생한다. 본 논문은 맵 블록 개수에 따른 성능 변화를 분석하고 최적의 맵 블록 개수를 제안한다.
In this paper, we propose a hybrid write buffer architecture comprised of DRAM and NVRAM on SSD and a write buffer algorithm for the hybrid write buffer architecture. Unlike other write buffer algorithms, the proposed algorithm considers read pages as well as write pages to improve the performance of storage devices because most actual workloads are read-write mixed workloads. Through effectively managing NVRAM pages, the proposed algorithm extends the endurance of SSD by reducing the number of erase operations on NAND flash memory. Our experimental results show that our algorithm improved the buffer hit ratio by up to 116.51% and reduced the number of erase operations of NAND flash memory by up to 56.66%.
KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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v.8
no.10
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pp.245-250
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2019
The use of NAND flash memory has increased rapidly due to the development of mobile fields. However, NAND flash memory has a limited lifespan, so studies are underway to predict its lifespan. Workload is one of the factors that significantly affect the life of NAND flash memory, and workload analysis studies in mobile environments are insufficient. In this paper, we analyze the distribution of workload in the mobile environment by collecting traces generated by using Android-based smartphones. The collected traces can be divided into three groups of hotness. Also they are distributed in the form of heavy tails. We fit this to the Pareto, Lognormal, and Weibull distributions, and Traces are closest to the Pareto distribution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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