Proceedings of the Korean Information Science Society Conference (한국정보과학회:학술대회논문집)

  • 2011.06b
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  • Pages.434-437
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  • 2011
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  • 1598-5164(pISSN)
Korean Institute of Information Scientists and Engineers (한국정보과학회)
권호 표지

Unit Level Address Mapping Technique for Large Capacity Flash Memory Storage Devices

대용량 플래시 메모리 저장 장치를 위한 유닛 레벨 주소 변환 기법

  • Kim, Hyuk-Joong (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Shin, Dong-Kun (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University)
  • 강혁종 (성균관대학교 정보통신공학과) ;
  • 신동군 (성균관대학교 정보통신공학과)
  • Published : 2011.06.29

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Abstract

낸드 플래시 메모리는 하드 디스크와는 다른 여러가지 특성 때문에 논리 주소를 불러 주소를 변환해 주는 주소 변환 계층(FTL)이 필요하다. 최근에 고성능의 저장 장치를 제공하기 위해서 페이지 수준의 주소 변환 기법이 많이 사용되고 있는 데, 이 기법은 매핑 정보가 너무 커서 메모리에서 매핑 정보를 관리하기에는 힘들다는 문제와 데이터의 접근 지역성을 잘 활용하지 못하는 문제가 있다. 본 논문에서는 스토리지의 주소 공간을 유닛이라는 단위로 분리하여 페이지 수준의 주소변환을 사용함으로써 매핑 정보를 크기를 줄이고 또한 접근 지역성을 활용하여 가비지 컬렉션 오버해드를 줄이는 유닛 레벨 주소 변환 기법을 제시한다. 실험결과 제시한 기법은 페이지 매핑 기법보다 랜덤 접근 패턴에서 가비지 컬렉션 오버해드를 40% 감소시켰으며 매핑 데이터 량도 38% 감소시켰다.

Keywords

Acknowledgement

Supported by : 한국연구재단