• 제목/요약/키워드: 내부 전압

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Poly-tetrafluoro-ethylene와 polyethylene 튜브 내부에 형성된 유전체 장벽 방전의 전류-전압 특성에 대한 연구

  • 조용기;최유리
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.331.1-331.1
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    • 2016
  • 내부지름이 2.0 mm 이하인 PTFE와 PE 튜브에 진공장치를 이용하여 튜브 내부의 압력을 감압하여 진공상태를 형성하였다. 진공기밀 후에 반응성 가스를 인입하여 튜브 외부에 장착된 전극을 통하여 고전압의 AC 전압을 인가하여 튜브 내부에 선택적으로 유전체 장벽 방전을 유도하였다. 본 연구에서는 유전율이 3.0 이하로 낮은 PTFE와 PE 튜브에 유전체 장벽방전이 유도될 때 나타나는 전압과 전류의 파형을 분석하여 방전의 개시와 방전의 형태를 조사하였다. 주파수 40 kHz인 AC 전원(PEII, Advanced Energy)과 Loadmatch 모듈을 이용하여 4 kV 이하의 전압을 인가하여 플라즈마 방전 유도하였다. 튜브에 인가고전압 프로브와 전류 프로브를 이용하여 오실로스코프를 I-V 분석을 실시하였고, 실험 결과 대기압 방전에서 유도되는 유전체 장벽방전의 I-V 특성과 달리 방전의 형태가 유전체장벽방전과 글로우방전이 혼합된 형태로 나타났다. 또한 유전체 장벽방전을 통해 튜브 내부에 형성되는 플라즈마에 대한 분석으로 OES 광분석을 실시하여, 방전 시간과 전압 변화에 따른 고분자 표면으로부터 방출되는 활성종에 대한 분석을 실시하였다.

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외부전압을 내부소자에 적용한 GaAs MESFET 대신호 모델 (GaAs MESFET large-signal model of applying external voltage to intrinsic elements)

  • 조동준;양승인;전용구
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
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    • pp.262-266
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    • 2001
  • 본 논문에서는 Excelics사의 EFA240D 모델을 이용하여 파라미터를 추출하였고, 파라미터 중 내부소자들은 ADS(Advanced Design System)의 SDD(Symbolically Defined Device)를 이용하여 정의하였다. 또한 내부소자들을 내부전압이 아닌 외부전압으로 정의하는 방법과 채널 전류를 DC와 AC로 나누어 모델링하는 방법을 제시하였다.

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자동 온도 보상 기법을 이용한 CMOS 내부 전원 전압 발생기 (CMOS Voltage down converter using the self temperature-compensation techniques)

  • 손종필;김수원
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권12호
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    • pp.1-7
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    • 2006
  • 본 논문에서는 자동 온도 보상 기법을 사용한 on-chip CMOS 내부 전원 전압 발생기를 제안하였다. PMOSFET의 경우, 게이트 바이어스 저압에 따라 온도의 변화에 대한 소오스-드레인간 전류 특성이 달라진다. 제안된 내부 전원 전압 발생기는 서로 다른 게이트 바이어스 전압에 두 개의 PMOSFET를 놓고, 이의 온도에 대한 서로 상이한 소오스-드레인간 전류 특성을 이용하여 내부 전원 전압 발생기 전체의 온도 의존도를 줄였다. 제안된 회로는 동부-아남 $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 제작되었으며 측정 결과로 내부 전원 전압은 $-10^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 범위에서 $-0.49mV/^{\circ}C$의 온도 의존도를 보였으며 $2.2V{\sim}4.0V$의 동작 범위에서 외부 전압에 대하여 내부 전원 전압의 변화는 6mV/V를 나타내었다. 전체 전류소모는 $1.1{\mu}A@2.5V$로 저전력을 구현할 수 있었다.

밧데리 전압추정에 의한 단일충전 (A Single Mode Battery Charger)

  • 박민영;이상혁;임상길;박성준
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.139-140
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    • 2012
  • 현재의 배터리 충전기는 보편적으로 CC-CV 충전방법을 사용하면서 배터리의 과충전에 대해 안정적인 제어를 한다. 하지만 충전말기의 CV 모드는 배터리 충전이 느려 시간이 많이 낭비된다. 본 논문은 CC 단일형 충전을 하면서 과충전의 우려는 DFT를 사용하여 배터리 내부전압을 추정하면서 내부 알고리즘에 의해 배터리 내부전압이 설정값이 되었을 경우 충전을 종료하면서 CV 충전으로 낭비되는 시간을 줄인다. 이를 시뮬레이션을 통하여 그 타당성을 확인한다.

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저 유전율 고분자 튜브 내부의 유전체 장벽 방전 연구 (Dielectric barrier discharge of the inner wall of polymer tubes)

  • 조용기;반원진;정동근
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.199-199
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    • 2014
  • 좁은 관경을 갖는 상대 유전율 3 이하인 PTFE와 PE 고분자 튜브 내부에 플라즈마 방전을 일으켜 고분자 튜브 표면 그래프팅 기술을 개발 하고자 하였다. 스텐트 및 인공혈관 등에 적용이 가능한 내부지름 3 mm 이하의 원통형 고분자 생체 식립체 내부 표면을 그래프팅하는 기술이다. 좁은 고분자 튜브 내부에 생성되는 방전은 고분자의 관경에 의해 방전개시 전압이 결정되었다. 방전개시 이후 DC glow discharge 에서 나타나는 전압과 전류의 특징들이 나타났다. 전압과 전류의 파형 분석에서는 고분자 표면과 가스 간의 새로운 용량성 임피던스가 형성되는 것을 관찰하였다. 고분자 내부 표면에 플라즈마의 방전 형태는 면 방전 (surface discharge)의 형태로 나타났다.

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RF Magnetron Sputter Chamber 내부의 압력 조절 제어 시스템 (Pressure Control System of RF Magnetron Sputter Chamber)

  • 이승진;이호행;이흥호;김영준
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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    • pp.1572-1573
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    • 2007
  • RF magnetron 스퍼터에서 스퍼터링시 타겟 온도와 기판 온도가 증가함에 따라 chamber내부의 압력이 달라져 동일한 순도의 박막을 얻기가 힘들다. 본 연구에서는 gas량을 조절하는 MFC의 출력 전압을 PID 제어 시스템을 설계하여 기준전압(원하는 진공도에 해당하는 전압 값)과 진공게이지에서 출력되는 전압을 비교하여 MFC의 출력 전압을 증가 또는 감소시킴으로써 gas량을 일정하게 하여 chamber 내부의 압력이 일정하게 유지되도록 하였다.

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산업용 인버터의 출력전압 정밀도 향상기법 (Improvement Method of Output Voltage Accuracy for Industrial Inverter)

  • 유두영;정세종;김승환;이헌수
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2016년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.93-94
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    • 2016
  • 산업용 인버터는 운전상황에 따라 캐리어 주파수와 부하전류가 변하게 되며, 이 때 제어기 내부 회로 소자의 Propagation 지연에 따른 Dead Time의 왜곡 그리고 출력전류크기에 따른 전략소자 내부의 전압강하 등에 의해 전압의 왜곡이 발생하여 전동기 토크진동의 원인이 된다. 이를 방지하기 위하여 상황에 따라 출력전압을 보상해야 한다. 특히 전략소자의 전압강하는 전류의 크기에 따라 변하므로 캐리어 주파수에 의한 보상뿐만 아니라 부하전류의 크기에 따른 출력전압을 보상해야 한다. 본 연구에서는 캐리어 주파수 변화에 따른 전압보상량을 기준으로 출력전류 크기에 따른 보상방법 중 비선형적으로 변하는 저전류 영역에서의 전력소자 진압 강하량을 개선하는 보상방법을 제시하였고, 그 유효성을 실험을 통해 검증하였다.

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362 kV GIS 내부 이물질 운동에 의한 UHF 부분방전신호 검출 (Detection of partial discharge due to particle movement in the 302 kV gas-insulated switchgear structure using the UHF sensor)

  • 박기준;구선근;윤진열
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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    • pp.516-518
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    • 2000
  • 정상 상태의 gas-insulated switchgear (CIS) 내부에서 발생한 부분방전 신호를 검출 할 수 있는 UHF 부분방전 검출 센서를 실험용 362 kV GIS에 적용하였다. GIS 내부에 알루미늄 이물질을 투입한 다음 120 - 180 kVrms 전압을 단계적으로 인가하고 장시간 인가전압 위상에 대한 UHF 부분방전 신호를 측정하였다. 인가전압을 높일수록 검출된 방전신호의 간격이 늘어났으며, 이물질로 사용한 알루미늄선의 길이가 길어질수록 이물질의 상승고도는 증가하였다. GIS 내부에서 이물질의 운동에 대한 간단한 계산에서도 비슷한 경향을 보임을 확인하였다.

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가스절연개폐장치에 있어서 급준과도진동파 전압의 발생과 절연특성

  • 하촌달웅;이복희
    • 전기의세계
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    • 제38권1호
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    • pp.21-30
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    • 1989
  • 가스 절연개폐장치(GIS)에 있어서 단로기 또는 차단기의 개폐조작시나 자락고장이 생겼을 때는 급준과도전압(VFT)가 발생한다. 이 급준파의 크기는 단로기의 개폐조작시 재점호가 일어날 때가 대지절연파괴를 일으킬때의 극간전압차에 의하여 결정되며, 반사와 전반에 의해 중첩된 진행파로 되는 이른바 급준과도과전압(VFTO)로 된다. 이 VFT의 상승율은 표준뢰임펄스전압보다 크며, 최초의 파두장은 4-7[ns]의 것도 있다. 또 이 VFT전압은 GIS내부 뿐만 아니라 가공 송전선과 대지간, GIS의 용기와 대지사이 등 외부에도 나타난다. 따라서 GIS의 내부와 외부에서 VFT의 스트레스가 나타나므로 GIS의 설계시에 충분히 고려하여야만 된다. 지락고장에 의해 발생되는 용기과도전압(TEV)도 불꽃방전시에는 인가전압의 2배 정도로 되는 경우도 있으므로 절연설계 및 현장시험시에 고려할 필요가 있다. 단로기의 개폐조작시 발생하는 VFT의 피이크치를 최악의 경우로 상정할 때는 절연레벨을 상당히 저하시키며, 특히 GIS내에 돌기물과 같은 이물질이 존재하여 불평등전계를 형성할 때는 절연파괴전압이 대단히 전하된다. 변압기나 부싱 등과 같은 전력기기에서는 외함과 접지사이의 전압을 제한하여 설계할 필요가 있으며 용기와 대지사이의 외부과도과전압(FTO)를 저감시키기 위해서는 GIS의 외함을 각각 분할하여 제작할 필요가 있다.

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