GaAs MESFET large-signal model of applying external voltage to intrinsic elements

외부전압을 내부소자에 적용한 GaAs MESFET 대신호 모델

  • 조동준 (숭실대학교 RF/MW 교육센터 숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 양승인 (숭실대학교 RF/MW 교육센터 숭실대학교 정보통신전자공학부) ;
  • 전용구 (단암전자통신 주식회사)
  • Published : 2001.11.01

Abstract

본 논문에서는 Excelics사의 EFA240D 모델을 이용하여 파라미터를 추출하였고, 파라미터 중 내부소자들은 ADS(Advanced Design System)의 SDD(Symbolically Defined Device)를 이용하여 정의하였다. 또한 내부소자들을 내부전압이 아닌 외부전압으로 정의하는 방법과 채널 전류를 DC와 AC로 나누어 모델링하는 방법을 제시하였다.

Keywords