• 대한족부족관절학회:학술대회논문집
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• 대한족부족관절학회 2008년도 추계학술대회 및 총회
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• pp.37-37
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• 2008

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2022년도 추계학술대회
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• pp.620-622
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• 2022

광섬유가 방사선에 노출되면 코어 내에 컬러센터가 형성되어 광 투과성이 저하된다. 방사선 유도 손실이라 하며, 소재, 구조 등의 변화를 통해 방사선 유도 손실을 줄이고 내방사선 특성을 개선한 광섬유가 활발히 연구되고 있다. 우주, 원자력 발전소 등 극한 환경에서도 통신 및 광응용 시스템을 구축하는데 내방사 광섬유를 활용할 수 있다는 장점 때문이다. 본 발표에서는 상용 내방사 광섬유의 감마선 조사에 의한 영향을 분석한 결과를 보인다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제3권1호
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• pp.23-28
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• 1978

유기석계(有機錫系) 안정제(安定劑)를 포함하고 있는 polyvinylchloride (PVC)의 내방사성(耐放射性)은 가소제(可塑劑)로서 첨가된 dioctylphthalate(DOP)의 양의 증가와 더부러 증가하며 이와 같은 내방사성(耐放射性)의 평가는 시료의 IR 특성 상에서 안정제의 해이(解離)에 기인(起因)하고 있는 $1,540{\sim}1,640cm^{-1}$에서의 흡수대가 선량과 더부러 변화하는 거동으로 살필 수 있다. 가소화된 PVC에서의 내방사성의 증가는 DOP 분자구조의 일부를 형성하는 benzen 환(環)에서 방사 에너지가 공명흡수 되기 때문이라 사료(思料)되며 이와 같은 견해(見解)는 방사선량에 대한 도전율변화특성(導電率變化特性)의 고찰 결과와도 잘 일치 한다. 실용적면(實用的面)에서 $0{\sim}100Mrad$ 사이의 선량에 대한 충분(充分)한 내방사성(耐放射性)을 얻기 위하여는 30phr 전후의 DOP 첨가량이 필요하다.

• 한국건설순환자원학회논문집
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• 제4권4호
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• pp.496-503
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• 2016

본 연구에서는 현재 국내 공동주택 지하주차장의 누수실태를 파악하고, 실제 누수가 가장 빈빈하게 발생되고 있는 주요 누수부위를 파악하여 향후 공동주택 지하부위 누수 예방을 위한 기초자료로 기여하고자 하였다. 18개 단지를 대상으로 누수실태 조사를 진행한 결과 외방수를 적용한 전체 80% 단지에서 누수가 발생되지 않았으나, 내방수를 적용한 단지에서는 전부 누수가 발생되고 있었다. 방수와 관련된 건설분야에 종사하는 전문가를 대상으로 진행한 설문조사 결과, 현재 공동주택 지하주차장의 누수 문제는 심각한 수준으로써, 누수에 대한 대책이 요구되며, 무엇보다 정책적 기준 마련이 중요하다고 판단하고 있다. 누수 실태조사 결과와 설문조사 결과를 비교, 분석한 결과 누수가 빈번한 주요 구조부위는 외벽과 최하층 바닥 슬래브이며, 누수 취약부위는 벽체 시공 이음부와 바닥 신축줄눈으로 판단할 수 있었다. 향후 해당부위의 누수 예방을 위한 방수 설계지침 및 시공시방 등에 대한 후속적인 연구가 필요하겠다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1999년도 춘계학술발표회요약집
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• pp.370-370
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• 1999

• 원자력산업
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• 제33권5호
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• pp.98-99
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• 2013

발전소의 주요 구역과 시설을 계속적으로 모니터링 할 수 있는 내방사선 카메라 시스템은 그 중요성이 점점 커지고 있고, 전력 송출 중단 시간 (outage time)을 줄이고 작업자의 방사선 피폭량을 최소화하는 데에 기여할 것으로 원전 운영자들은 기대하고 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.1927-1934
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• 2016

본 논문에서는 일반적인 실리콘 기반 n-MOSFET(n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 절연 산화막 계면에서 방사선으로부터 유발되는 누설전류 경로를 차단하기 위하여 I형 게이트 n-MOSEFT 구조를 제안하였다. I형 게이트 n-MOSFET 구조는 상용 0.18um CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정에서 레이아웃 변형 기법을 이용하여 설계되었으며, ELT(Enclosed Layout Transistor)와 DGA(Dummy Gate-Assisted) n-MOSFET와 같은 레이아웃 변형 기법을 사용한 기존 내방사선 전자소자의 구조적 단점을 개선하였다. 따라서, 기존 구조와 비교하여 반도체 칩 제작에서 회로 설계의 확장성을 확보할 수 있다. 또한, 내방사선 특성 검증을 위하여 TCAD 3D(Technology Computer Aided Design 3-dimension) tool을 사용하여 모델링과 모의실험을 수행하였고, 그 결과 I형 게이트 n-MOSFET 구조의 내방사선 특성을 확인하였다.

• ESCO지
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• 통권32호
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• pp.20-21
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• 2005

제일 큰 변화는 ESCO자금지원 신청에 전자민원 처리를 위해 인터넷을 이용한 자금신청제도를 도입하였다. 기존 서류제출에 의한 자금신청절차를 인터넷기반을 이용한 자금신청방식으로 혁신한 것이다. 이에 따라 앞으로 ESCO업체는 공단에 내방할 필요 없이 사무실에서 공인인증서 로그인을 통해 편리하게 자금 추천신청을 할 수 있게 되었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.1405-1410
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• 2015

본 연구에서는 정상 운전이나 사고 시 발생되는 고방사선 환경에서 다양한 센서에 공통적으로 사용할 수 있는 내방사선 센서 신호처리 모듈을 설계하였다. 개발한 초기 모듈은 센서의 저항(R)과 정전용량(C) 값의 변화를 입력으로 받아 PWM 신호 변조방식으로 처리하도록 설계되었다. 이 모듈은 총 약 12 kGy 방사선 평가시험에서 Full-Scale 대비 ±10 % 오차범위를 가지고 있었다. 오차 발생의 주요 원인은 방사선 피폭량의 증가에 따른 공통회로 내 스위칭 소자의 열화와 이로 인한 펄스폭 변조회로의 듀티 비 증가로 분석되었다. 이 분석결과를 반영한 방사선 내성강화를 위해 방사선에 의한 특성변화를 상쇄하는 회로를 추가하여 재설계하였고, 20.7 kGy 범위의 TID 시험에서 Full-scale 대비 5% 이하 오차로 개선결과를 얻었다.

• 한국멀티미디어학회:학술대회논문집
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• 한국멀티미디어학회 2003년도 추계학술발표대회(하)
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• pp.945-948
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• 2003

본 논문에서는 전자상거래 사이트 구축에 사용성 공학의 관정에서 3DMax, Shockwave3D, Lingo Script 기술을 사용하여 3D 가상 시뮬레이션을 설계하고 구현하였다. 특히 본 연구에서 구현한 렌탈 사이트의 ‘내방꾸미기’ 3D가상 시뮬레이션에서는 고객이 원하는 가구를 대여하기 전에 방의 크기와 스타일에 맞추어 3 차원 공간에 동적으로 다양하게 배치해 볼 수 있도록 하여 추후에 발생할 수 있는 문제점을 사전에 방지할 수 있도록 하였다.