• Title/Summary/Keyword: 내방사선

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A high energy radiation evaluation test of the 74AC04 Hex Inverter (고준위 감마방사선 환경에서의 원격계측을 통한 74AC04 의 내방사선 영향평가 및 분석)

  • Oh, Seung-Chan;Lee, Hyun-Jin;Lee, Nam-Ho;Lee, Heung-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2009.07a
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    • pp.1788_1789
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    • 2009
  • 본 논문에서는 핵폭발과 같은 고준위방사선환경에서의 전자부품소자의 피해평가분석을 통하여 군용전자장비의 내방사선화를 하기 위한 기반기술의 확립을 위한 연구의 일환으로 74AC04(Inverter) IC에 대한 고준위감마선조사시험을 통하여 Co-60 Gamma-ray 선원을 사용하여 총 400Krad[si] 누적 선량에 대한 74AC04 소자의 동작특성 및 전기적 파라메터의 변화분석을 진행하였다. 시험평가 방법 및 절차는 MIL-STD-883G 1019.7[1] 및 ESA/SCC Basic Specification No.22900[2] 절차를 기준으로 하여 동일 lot에 대한 5개의 샘플을 이용하여 동작특성에 영향을 미치는 주요한 전기 적파라메터인 정지소비전류, 입력누설전류, VIL(Maximum Low Level Input Voltage)에 대한 변화추이를 분석하였다. 이번 조사시험을 통하여 입력게이트에서의 누적선량에 따른 TID(Total Ionizing Dose) 효과로 인한 VIL의 감소 추이를 확인 할 수 있었으며 총 누적선량 160Krad 이상에서의 VIL은 허용기준치이하로 감소하였고 정지소비전류의 경우 누적선량에 따른 점진적 증가 현상과 200Krad부근에서의 설계스펙허용치를 초과하는 결과를 확인하였다.

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A study on the radiation effect of silicon solar cells in a low Earth orbit satellite by using high energy electron beams (고에너지 전자빔을 이용하여 저궤도 인공위성의 실리콘 태양센서의 내방사선 특성 연구)

  • Chung, Sung-In;Lee, Jae-Jin;Lee, Heung-Ho
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.45 no.3
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    • pp.1-5
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    • 2008
  • This paper analyzes on the radiation effect of silicon solar cells in a low Earth orbit satellite by using high energy electron beams. Generally, the satellite circling round in a low orbit go through Van Allen belt, in which electronic components are easily damaged and shortened by charged particles moving in a cycle between the South Pole and the North Pole. For example, Single Event Upset (SEU) by radiation could cause electronic devices on satellite to malfunction. From the ground experiment in which we used the high energy electron beam facility at Knrea Atomic Energy Research Institute (KAERI), we tried to explain sun sensor degradations on orbit could he caused by high energy electrons. While we focused on the solar cells used for light detectors, We convince our research also contributes to understand the radiation effect of solar cells generating electric powers on satellites.

Analysis of Gamma Radiation Effects of Commercial Radiation-Resistant Optical Fibers (내방사 광섬유의 감마선 영향 분석)

  • Ryu, Gukbeen;Kim, Young-Woong;Kim, Jong-Yeol;Hwang, Young Gwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2022.10a
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    • pp.620-622
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    • 2022
  • When an optical fiber is exposed to radiation, a color center is formed in the core, which lowers the optical transmittance of the optical fiber. This is called the radiation-induced attenuation(RIA), and research on optical fibers having improved radiation resistance by changing materials and structures is being actively conducted. This is because radiation-resistant optical fibers have the advantage that they can be used in telecommunication and optical applications even in extreme environments such as space and nuclear power plants. In this paper, the effect of gamma irradiation of commercial radiation-resistant optical fibers was analyzed.

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비인두암의 강내방사선조사

  • Ryu Seong-Ryeol;Go Gyeong-Hwan;Jo Cheol-Gu;Yun Hyeong-Geun;Sim Jae-Won;Kim Jae-Yeong
    • 대한두경부종양학회:학술대회논문집
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    • 1993.11a
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    • pp.259.1-259.1
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    • 1993
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Radiation Hardness Evaluation of GaN-based Transistors by Particle-beam Irradiation (방사선빔 조사를 이용한 질화갈륨 기반 트랜지스터의 내방사선 특성 연구)

  • Keum, Dongmin;Kim, Hyungtak
    • The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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    • v.66 no.9
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    • pp.1351-1358
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    • 2017
  • In this work, we investigated radiation hardness of GaN-based transistors which are strong candidates for next-generation power electronics. Field effect transistors with three types of gate structures including metal Schottky gate, recessed gate, and p-AlGaN layer gate were fabricated on AlGaN/GaN heterostructure on Si substrate. The devices were irradiated with energetic protons and alpha-particles. The irradiated transistors exhibited the reduction of on-current and the shift of threshold voltage which were attributed to displacement damage by incident energetic particles at high fluence. However, FET operation was still maintained and leakage characteristics were not degraded, suggesting that GaN-based FETs possess high potential for radiation-hardened electronics.

초고효율 III-V 화합물반도체 태양전지 연구동향 및 전망

  • Kim, Yeong-Jo;Jeong, Sang-Hyeon;Kim, Hyeon-Seong;Sin, Eun-Yeong;Kim, Chang-Ju;Sin, Hyeon-Beom;Gang, Ho-Gwan
    • Bulletin of the Korea Photovoltaic Society
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    • v.4 no.1
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    • pp.5-15
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    • 2018
  • III-V족 화합물반도체 기반의 다중접합 태양전지는 광전변환 효율이 매우 높고 내열, 내방사선 특성이 우수하여 인공위성이나 우주 탐사선의 태양광 패널에 주로 활용되어 왔다. 최근에는 III-V 태양전지의 활용범위가 지상 발전용으로 점차 확대되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위한 고효율화 기술과 저가화 기술이 활발히 연구되고 있다. 본고에서는 현재 세계 최고 효율(46%)을 기록하고 있는 집광형 III-V 태양전지와 무인 항공기 및 전기 자동차의 보조 동력원으로 주목받고 있는 플렉시블 III-V 태양전지의 국내외 연구동향을 소개하고, 초고효율 III-V 태양전지의 향후 전망에 대해 논의하고자 한다.

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The Study of Radiation Hardened Common Sensor Circuits using COTS Semiconductor Devices for the Nuclear Power Plant (상용 반도체 소자를 이용한 내방사선 원전 센서신호 공통회로 연구)

  • Kim, Jong-Yeol;Lee, Nam-Ho;Jung, Hyun-Kyu;Oh, Seung-Chan
    • The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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    • v.63 no.9
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    • pp.1248-1252
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    • 2014
  • In this study, we designed a signal processing module using a radiation hardened technology that can be applied to the all measurement sensors inside nuclear power plant containment. Also, for verification that it can be used for high-level radiation environment (Harsh environmental zone inside containment of NPP), we carried out evaluation tests for a designed module using a $Co^{60}$ gamma-ray source up to 12 kGy(Si). And, we had checked radiation hardening level that it has been satisfied up to 12 kGy(Si).

열가속 열화에 따른 NBR의 산화반응과 기계적 특성

  • Kim, Ki-Yup;Kang, Hyun-Gu;Ryu, Boo-Hyung;Lee, Chung;Im, Ki-Jo
    • Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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    • 2003.05a
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    • pp.434-439
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    • 2003
  • 원전 계통에서는 gas circulator, fuel handling system 등에 수 천여 개의 봉합(seal) 부위가 존재하며, 그 형상 또한 5 mm 에서부터 600 mm로 다양하다. 이러한 sealing 재료는 사용온도가 유리전이온도 이상인 열가소성 수지이며, 유연성 있는 segment의 조합으로 자유운동을 가지게 되는데 이러한 구조는 비교적 낮은 방사선 선량에 대해 취약하며, 원전계통에서는 NBR 및 ethylene-propylene 계열의 높은 내방사선 특성을 가지는 O-ring이 주로 사용되어지며, 10년을 교체시기로 주기적으로 교체하는 실정이다[2]. 이러한 seal 부위는 공정 전체에 걸쳐 다양한 열화요인에 노출되며, 최대 20$0^{\circ}C$의 온도, 압력 40 bar, 연간 1Gy~1MGy의 방사선에 노출된다.(중략)

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Gamma-Radiation Effects of Femtosecond Direct-writing Fiber Bragg Gratings on Optical Fiber Coating Materials (광섬유 코팅 재료에 따른 펨토초 레이저 가공 FBG 센서의 방사선 영향)

  • Kim, Jong-Yeol;Lee, Nam-Ho;Sohn, Ik-Bu
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2018.05a
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    • pp.638-640
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    • 2018
  • In this paper, FBG sensor is fabricated using 800nm femtosecond laser. The sensor was irradiated with a cumulative dose of 100 kGy gamma ray, and the effect of radiation on the FBG coating material was evaluated.

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