• 한국진공학회지
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• 제21권5호
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• pp.279-285
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• 2012

주기적인 나노트랜치 패턴이 있는 기판 위에 놓인 CVD 그래핀의 전도특성을 측정하였다. 나노트랜치에 대해 평행한 방향과 수직한 방향 사이에 전도특성의 큰 비등방성을 발견하였다. 전기 전도의 방향이 나노트랜치에 수직한 경우, 약한 한곳모임의 특성에 있어서도 큰 차이점이 발견되었는데, 이는 퍼텐셜 변조에 의해 생겨나는 전하밀도의 비균일성에 의해 생겨나는 것으로 해석된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.41-44
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• 2015

소자의 집적화에 필수적인 소자 분리공정에서 화학약품의 오염 문제등을 발생시키는 화학적 기계연마기술(CMP) 공정을 사용하지 않고 벌크 finFET(fin field effect transistor) 의 트랜치 구조를 형성할 수 있는 공정에 대하여 제안하였다. 사진 감광막 도포시 발생하는 두께차이와 희생층으로 사용되는 실리콘 질화막을 사용하면 에칭 공정만을 사용하여 상대적으로 표면 위로 돌출된 부분의 실리콘 산화막 층을 에칭하는 것은 물론 finFET 의 채널로 사용되는 실리콘 트랜치 구조를 한번에 형성할 수 있는 특징을 갖는다. 본 연구에서는 AZ1512 사진 감광막을 사용하여 50 나노미터급 실리콘 트랜치 구조를 형성하는 공정을 수행하였으며 그 결과를 소개한다.