In the present study, we evaluate the sensitivity and optimal stripping voltammetry (SV) conditions of copper (Cu), which is one of the main trace heavy metals inducing the environmental contamination, using carbon nanotube (CNT) electrode. In addition, the reaction mechanism of stripping reaction of Cu is investigated. The electrochemical analyses such as squarewave stripping voltammetry (SWSV) and linear scan voltammetry (LSV) are used for the evaluations. As a result of that, the best SWSV conditions like squarewave amplitude of 15 mV, frequency of 60 Hz, deposition potential of -1.0V vs. Ag/AgCl and deposition time of 200s are determined with the measured Cu sensitivity of $1.824{\mu}A/{\mu}M$. As a driving force affecting the stripping reaction of Cu, surface reaction is more dominant one than diffusion. These results are compared with other reference results and it is confirmed that our suggested CNT electrode gives rise to better Cu sensitivity result than other references.
Synthesis of $Nd_{2x}Cd_{2-3x}SiO_4$ ($0.01{\leq}x{\leq}0.21$) [S1-S3: x=0.01, 0.11 and 0.21] solid solutions were prepared by solgel method. Powder x-ray diffraction (XRD) results show monoclinic unit cell with space group P21/m. The average crystallite sizes are found to be 20 to 45 nm. The Scanning Electron Microcopy (SEM) images show morphology of the sample is in globular nature. The energy dispersive analysis of x-rays (EDX) and X-ray mapping results confirmed that all the constituent elements of the composites were present and that were distributed in uniformly. The optical absorption band at ~750 nm was due to $^4I_{9/2}{\rightarrow}^4F_{7/2}+^4S_{3/2}$ transition optically active $Nd^{3+}$ ions. Electron Paramagnetic Resonance (EPR) lineshapes of S1-S3 at 10, 40, 77 and 300 K show a broad unresolved isotropic lineshapes were observed due to rapid spin lattice relaxation of $Nd^{3+}$.
This paper presents design and operational characteristics of 150 MW pulse power system for high current pulse forming network to control trigger time. The system is composed of two capacitor bank modules. Each capacitor bank module consist of a trigger vacuum switch, 9k 33kJ capacitor, an energy dump circuit, a crowbar circuit and a pulse shaping inductor and is connected in parallel. It is controlled by trigger controller to select operational module and determine triggering time. Pspice simulation was conducted about determining parameters of components such as crowbar circuit, capacitor, pulse forming inductor, trigger vacuum switch and predicting results of experiment circuit. The result of the experiment was in good agreement with the result of the simulation. The various current shapes with 300~650 us pulse width is formed by sequential firing time control of capacitor bank module. The maximum current is about 40 kA during simultaneous triggering of two capacitor bank modules. The developed 150 MW pulse power system can be applied to high current pulse power system such as rock fragmentation power sources, Rail gun, Coil gun, nano-powers, high power microwave.
Choi, Il Soo;Oh, Jong-woo;Um, Tae-Un;Lee, DongHoon
Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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2017.04a
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pp.87-87
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2017
농산물의 품질 및 성분을 측정하는데 있어 기존의 화학적 분석 방식은 정밀도가 높으나 측정에 소요되는 시간과 비용이 많이 들어, 현장 적용하기에는 한계가 있다. 일반적으로 근적외선 분광 분석(Near Infra Red Spectroscopy, NIRS) 방법은 가공 과정에 따라 빠르게 변화되는 단백질 조성 및 수분함량 측정 등에 이용되고 있다. 분석에 소요 시간이 많이 걸리는 켈달법(Kjeldahi method)에 비해 NIR 분광 분석을 통한 보정으로 연속적인 모니터링이 가능하다. 본 연구에서 사용된 시료를 고정시키기 위한 프레임을 제작한 후 NIR센서와 광원인 LED의 각도를 고정시키고 측정 대상체인 사절된 감자 크기에 따라 시료를 고정시킬 수 있는 프레임을 반사면에 위치시켰다. 확산 반사법을 이용하여 프레임에 씨감자 시료를 고정 시킨 후 백색 LED를 이용하여 감자 표면에 빛을 반사시켜 3일 동안 12시간 마다 해당 시료들(열처리, 비누용액 침지, 생감자)의 스펙트럼을 측정하였다. 해당 시료들은 측정 기간 동안 저온상태($4^{\circ}C$)와 실온상태($20^{\circ}C$)에서 보관되었다. 실험 결과는 파장대 145nm에서 저온상태에서 보관된 생감자는 시간경과에 따른 흡광도의 결정 계수값($r^2$)은 0.98 이었다. 이는 감자가 저온에서 생감자의 상태 변화가 일어나고 있다는 것을 의미하고 파장대 145nm에서 시간에 따른 저온상태에서 보관한 감자의 상태 변화 예측이 가능함을 의미한다. 비누용액에 침지시킨 후 실온에 보관한 감자는 시간이 경과함에 따라 파장이 증가함에 따라 흡광도가 증가하였다. 이는 감자에 들어있는 Polyphenol Oxidase 함량 변화로 갈변 현상이 일어난 것을 알 수 있다. 또한 실온에서 보관한 생감자도 시간 경과에 따라 갈변 현상이 일어났지만 용액에 침지시킨 감자보다는 갈변 현상이 36시간 이후로 발견되었다. 열처리 후 실온에서 보관한 감자의 경우에는 갈변현상이 나타나지 않았다. 저온상태에서 보관한 감자시료들 모두 갈변형상이 나타나지 않았지만, 24시간이 지난 후 용액에 침지시킨 감자는 갈변 현상이 발생되었다. 생감자와 열처리한 감자는 시간 경과에 따른 갈변현상이 일어나지 않았으므로, 감자의 갈변현상은 감자의 표면 처리 방법에 국한되지 않고 온도에 영향을 더 많이 받는다는 것을 나타내고 있다. 본 연구는 향후 감자의 품질 및 성분 측정에서 간편하게 사용될 수 있는 감자의 품질 계측 기술에 기여할 것으로 판단된다.
Transparent $TiO_2$ thin films prepared by sol-gel process using the modification of titanium(IV) alkoxide showed improved thermal stability and high refraction index. Compared to the pure $TiO_2$ film, the modified $TiO_2$ films show the increased index of refraction under proper condition at pH 2.5. Transparency of these $TiO_2$ thin films were more than 80% in the visible region. It has been demonstrated that the reaction occurs in the amorphous phase: an exchange of phase results in anatase before and after 400$^{\circ}C$, in rutile over 700$^{\circ}$C form the XRD results. The particle sizes, shapes and structures of these nanoclusters in the $TiO_2$ films have been identified through a SEM and XRD. The physical properties and structures of their powders have also been studied through a SEM, XRD, TGA and DSC. The thickness and index of refraction have been determined by the analysis of ellipsometric spectra.
Isopropanol of low boiling point was used as a solvent to prepare Al-doped ZnO(AZO) thin films. A homogeneous and stable sol was made from Zn acetate a solute whose mole concentration was 0.7mol/$\iota$ and Al chloride as a dopant. Al-doped ZnO thin films were prepared by sol-gel method as a function of post-heating temperature from 500 to $700^{\circ}C$ and the optical and electrical properties were investigated. The c-axis orientation along (002) plane was enhanced with the increasing of post-heating temperature and the surface morphology of the films showed a homogeneous and nano-sized microstructure. The optical transmittance of the films post-heated below $650^{\circ}C$ was over $86\%$, but decreased at $700^{\circ}C$. The electrical resistivity of the thin films decreased from 73 to 22 $\Omega$-cm as the post-heating temperature increased up to $650^{\circ}C$, but increased greatly to 580 $\Omega$-cm at $700^{\circ}C$. XPS analysis indicated that the deterioration of electrical and optical properties was attributed to the precipitation of $Al_2O_3$ phase on the surface of AZO thin film. This result suggests that the optimum post-heating temperature to improve electrical and optical properties is $600^{\circ}C$.
Highly c-axis oriented nanocrystalline ZnO thin films on silica glass substrates were prepared by spin coating-pyrolysis process with a zinc naphthenate precursor. Only the XRD intensity peak of (002) phase was observed for all samples. With an increase in heat treatment temperature, the peak intensity of (002) phase increases. No significant aggregation of particle was present. From scanning probe microscopy analyses, three-dimensional grain growth, which was thought to be due to inhomogeneous substrate surface and c-axis oriented grain growth of the ZnO phase, was independent on heal-treatment temperature. Highly homogeneous surface of the highly-oriented ZnO film was observed at $800^{\circ}C$. All the films exhibited a high transmittance (above 80%) in visible region except film heat treated at $1000^{\circ}C$, and showed a sharp fundamental absorption edge at about $0.38{\sim}0.40{\mu}m$. The estimated energy band gap for all the films were within the range previously reported for films and single crystal. ZnO films, consisting of densely packed grains with smooth surface morphology were obtained by heat treatment at $600^{\circ}C{\sim}800^{\circ}C$, expected to be ideal for practical application, such as transparent conductive film and optical device.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.11
no.2
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pp.409-413
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2010
We fabricated 10 nm-thick cobalt silicide($CoSi_2$) as a buffer layer on a p-type Si(100) substrate to investigate the possibility of GaN epitaxial growth on $CoSi_2/Si(100)$ substrates. We deposited 500 nm-GaN on the cobalt silicide buffer layer at low temperature with a PA-MBE (plasma assisted-molecular beam epitaxy) after the $CoSi_2/Si$ substrates were cleaned by HF solution. An optical microscopy, AFM, TEM, and HR-XRD (high resolution X-ray diffractometer) were employed to determine the GaN epitaxy. For the GaN samples without HF cleaning, they showed no GaN epitaxial growth. For the GaN samples with HF cleaning, they showed $4\;{\mu}m$-thick GaN epitaxial growth due to surface etching of the silicide layers. Through XRD $\omega$-scan of GaN <0002> direction, we confirmed the cyrstallinity of GaN epitaxy is $2.7^{\circ}$ which is comparable with that of sapphire substrate. Our result implied that $CoSi_2/Si(100)$ substrate would be a good buffer and substrate for GaN epitaxial growth.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.24
no.2
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pp.174-181
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2007
In this study, $SiO_2/poly(ethylene-co-vinyl$ alcohol)(EVOH) hybrid coating materials with gas barrier property could be produced using sol-gel method. The biaxially oriented polypropylene (BOPP) substrate with surface pretreatment was coated with the prepared hybrid sols containing various inorganic silicate component by a spin coating method. Crystallization behavior of the hybrids was investigated in terms of analysis of X-ray diffraction and cooling thermogram from DSC experiment. From the morphological observation of the $SiO_2/EVOH$ hybrid gel, it was confirmed that there existed an optimum content of inorganic silicate precursor, Tetraethylorthosilicate (TEOS), to produce hybrid materials with dense microstructure, exhibiting uniformly dispersed silica particles with average size below 100 nm. When TEOS was added at below or above the optimum content, particle clusters with large domain were observed, resulting in phase separation. This morphological result was found to be in good agreement with that of oxygen permeability of the hybrid coated films. In the case of film coated with hybrid prepared from addition of 0.01 - 0.02mol of TEOS, a remarkable improvement in barrier property could be obtained, however, with the addition of TEOS more than 0.04 mol, the barrier property was dramatically reduced because of phase separation and micro-crack formation on the film surface.
Kim, Doohyun;Ock, Hyun Geun;Ahn, Kyung Hyun;Lee, Seung Jong
Korean Chemical Engineering Research
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v.53
no.6
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pp.709-716
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2015
In this study, structural developments of polypropylene / ionomer / clay ternary composites were investigated depending on the dispersion and localization of clay. The changes in physical properties were observed adding organoclays 1~10wt% to 90% polypropylene and 10% ionomer blends. The organoclays were localized inside of the dispersed phase under the composition of 3wt%, however, over that composition, clay particles formed stiff network structure in the dispersed phase and additional clays were localized at the interface between two phases. According to the developments of microstructure, the interaction of ternary composites changed from polypropylene-ionomer to polypropylene-ionomer and ionomer-clay which affected rheological properties. The storage modulus (G') of the composites was similar to the blends when clays were localized inside of dispersed phase but increased when clays were localized at interface. Also, the fractured morphology of the composites showed phase boundary and growing radius of dispersed phase depending on addition of fillers when clays were found inside. However, when fillers found at the interface between blends, the radius of the dispersed phase decreased and compatibilized morphology were observed. The interfacial interaction of the ternary composite was quantified depending on the structural development of dispersed phase and localization of clay particles by the rheological properties. The interaction of composites at solid state which was measured through peel adhesion strength increased by growth of interfacial interaction of each component. Furthermore, the crystallinity of the composites was decreased when the clay particles were localized at the interface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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