Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.168.1-168.1
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2013
고분자유기물로 사용되는 발광층에 탄소나노튜브를 합성하여 AC로 구동되는 고분자유기물소자를 제작하였다. 고분자유기물소자는 총 4개의 층(ITO/CRS/탄소나노튜브를 함유한 MEH-PPV/Al)으로 구성하였다. ITO가 코팅된 유리기판 위에 발광층을 보호하는 역할을 하는 절연층[cyanoethyl pullulan(CRS)], 유기발광물질인 poly[2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene-vinylene](MEH-PPV)에 탄소나노튜브의 함량을 조절하여 발광층으로 사용하였으며, 절연층과 발광층은 스핀코우터를 이용하여 증착하다. 마지막으로 thermal evaporator을 이용하여 Al을 증착하였다. 고분자유기물소자는 발광층에 함유된 탄소나노튜브에 함량에 따른 전압, 전류 그리고 밝기 특성을 분석하였다. 탄소나노튜브가 0.015wt% 함유된 고분자유기물소자에서 최대 밝기 특성과 낮은 소비전력을 얻을 수 있었다. 고분자유기물에 탄소나노튜브를 합성된 효과를 알아보기 위하여 임피던스분석을 통하여 고분자유기물소자의 저항, 캐패시턴스, 기생저항을 알아보았다. 고분자유기물소자의 캐패시턴스의 변화는 탄소나노튜브와 고분자 유기물(polymer-CNT matrix) 에서 생성되는 블록들이 매우 얇은 유전층을 구성할 것으로 예상되며 이는 micro-capacitance로 고분자유기물소자의 구동에 영향을 미치는 것으로 예상된다. AC구동 고분자유기물소자에 탄소나노튜브를 함유하여 높은 효율을 얻을 수 있는 장점으로 차세대 디스플레이나 조명으로 탄소나노튜브의 쓰임새를 기대해 본다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.45
no.8
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pp.114-120
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2008
In this paper, we extract the parasitic elements of the metal-insulate-metal(MIM) capacitor using short-open calibration (SOC). The scattering matrixes of short, open, and MIM structures in strip lines are measured by full electro-magnetic (EM) simulator and vector network analyser. The full EM simulations are performed by finite element method (FEM) that was fitted three dimensional structure analysis. The electro-magnetic effects of MIM capacitor laminated in the multi-layered structures are proposed the II equivalent circuit with lumped elements, and the relations between the measured scattering parameters of the MIM structures and lumped elements in the circuits are shown by performing 2 port network analysis. The extracted lumped elements using the proposed SOC method are independent to frequencies.
Yoon, Kwang-Yeol;Lee, Seungwoo;Kim, Jang-Yeol;Rhee, Seung-Yeop;Kim, Nam
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.1
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pp.11-19
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2013
In this paper, we designed and implemented the planar monopole antenna using the coupling effect for the multi-band characteristic. A parasitic element for the multi-band characteristic based on a rectangular patch with single resonance is inserted. Spiral shaped parasitic element is used for minimizing the antenna size and obtaining the multi-resonance characteristic. The frequency characteristics are modified and optimized by varying specific parameters. By inserting an L-shaped resonator at both sides of the feed line which connected through the via hole to the ground plane, unnecessary frequency bands are eliminated. Proposed antenna dimension is $40{\times}60{\times}1mm^3$. It is fabricated on the FR-4 substrate(${\varepsilon}_r$=4.4) using a microstrip line of $50{\Omega}$ for impedance matching. By measurement results, the characteristic of the return loss under -10 dB are 1.714~2.496 GHz, 2.977~4.301 GHz, and 4.721~6.315 GHz, and the radiation patterns have omni-directional shapes.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.14
no.5
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pp.223-230
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2014
In this paper, the single-fed microstrip parasitic array antenna for low-cost three-dimensional beam steering in 5.8GHz ISM(5.725GHz~5.825GHz) band is designed and implemented. The antenna is comprised of one feed active element and four passive elements with variable reactance loads. The beam steering range of implemented antenna is achieved three-dimensional beam steering of ${\pm}28^{\circ}$ at azimuth angle ${\Phi}=0^{\circ}$, ${\Phi}=45^{\circ}$, ${\Phi}=90^{\circ}$, and ${\Phi}=135^{\circ}$ by adjusting variable reactance loads. The maximum gain of the antenna in the beam steering range have within 7.23dBi~9.36dBi and the bandwidth of return loss lower than -10dB covers 5.8GHz ISM band regardless of the beam steering angles.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.23
no.10
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pp.1137-1144
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2012
In this paper, a 2.6 GHz switched parasitic array(SPA) antenna is designed to resolve the device interference in the femtocell. The designed SPA antenna structure consists of a central ${\lambda}/4$ monopole antenna as a radiator and surrounding four parasitic elements operating as a reflector or a director depending on the switching state. In addition, open state monopoles around the parasitic elements are placed to improve the directivity. The designed antenna utilizes RF FETs as switching elements instead of conventional PIN diodes, which enables beam steering with a simple structure consuming low power. To select the proper FET switch, the performance of the SPA antenna depending on the switch characteristics is analyzed. The fabricated antenna has 65 mm radius and 35 mm height, which shows about 15 dB front-back-ratio(FBR) at 2.6 GHz and enables eight-directional beam steering.
In order to design small printed antenna restricted within narrow area of $30mm{\times}8mm$ for the Zigbee module and improve its return loss, meander slot antenna with a floating conductor as the parastic element has been proposed. The resonant frequency and bandwidth(VSWR${\leq}$2) of the antenna designed and fabricated in the present study is about 2.44GHz and 113MHz respectively. The radiation pattern is almost similar to that of dipole antenna within the operation frequency range. Also the radiation efficiency and gain of the proposed antenna is more than 60% and 2.7dBi respectively. It has been observed that the characteristics the proposed antenna mentioned above satisfy the specification required of the Zigbee application. In order to validate the proposed antenna, some simulated and measured results are presented and compared.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2003.07a
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pp.206-207
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2003
광집적회로의 등장으로 그 설계에 있어서 다양한 구조의 광배선은 필수적 요소가 되었다. 일반적으로 전기적 배선 및 소자간에 전자기파의 간섭으로 인해 신호의 왜곡이 야기될 뿐 아니라 기생정전효과 등에 의해 소자 시간지연이 유발되듯이, 광 집적회로에서도 광배선간 감쇄필드의 겹침으로 인해 원하지 않는 광결합이 발생하게 된다. 이러한 광집적회로내에서의 이러한 불필요한 광결합을 줄이기 위해서 곡선형 구조의 광배선들이 이용되며 대부분의 경우 이러한 곡선형 도파로 부분의 광결합은 무시된다. (중략)
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.106-106
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2003
반도체 소자의 고집적화에 따라 채널길이와 배선선 폭은 점차 줄어들고, 이에 따라 단채널효과, 소스/드레인에서의 기생저항 증가 및 게이트에서의 RC 시간지연 증가 등의 문제가 야기되었다. 이를 해결하기 위하여 자기정렬 실리사이드화(SADS) 공정을 통해 TiSi2, CoSi2 같은 금속 실리사이드를 접촉 및 게이트 전극으로 사용하려는 노력이 진행되고 있다. 그런데 TiSi2는 면저항의 선폭의존성 때문에, 그리고 CoSi2는 실리사이드 형성시 과도한 Si소모로 인해 차세대 MOSFET소자에 적용하기에는 한계가 있다. 반면, NiSi는 이러한 문제점을 나타내지 않고 저온 공정이 가능한 재료이다. 그러나, NiSi는 실리사이드 형성시 NiSi/Si 계면의 산화와 거침성(roughness) 때문에 높은 누설 전류와 면저항값, 그리고 열적 불안정성을 나타낸다. 한편, 초고집적 소자의 배선재료로는 비저항이 낮고 electro- 및 stress-migration에 대한 저항성이 높은 Cu가 사용될 전망이다. 그러나, Cu는 Si, SiO2, 실리사이드로 확산·반응하여 소자의 열적, 전기적, 기계적 특성을 저하시킨다. 따라서 Cu를 배선재료로 사용하기 위해서는 확산방지막이 필요하며, 확산방지재료로는 Ti, TiN, Ta, TaN 등이 많이 연구되고 있다.
The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.2
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pp.75-82
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2003
이동체 탑재형 안테나는 설치 장소의 특성상 소형화와 경량화가 필수적인 요소이다. 그러므로 이동체 탑재형 안테나의 경우 반사판형 안테나보다 마이크로스트립 어레이 안테나가 널리 쓰이고 있다. 본 고에서는 마이크로 스트립 슬롯 어레이 안테나를 설계하였다. 만족스러운 고 이득을 얻을 수 있으며 동시에 패치 소자의 개수를 줄이기 위해 패치 단일 소자가 가급적 고 이득을 낼 수 있는 구조로 설계하였다. 본 고에서 설계한 슬롯 안테나는 기생슬롯을 가진 H 자형 타입의 소자이다. 설계는 제작상의 오차를 고려하여, 운용 주파수 11.7~12.75 GHz에서 VSWR 1.8:1 이하를 목표로 하였다. 제작된 안테나의 측정결과는 11.7~12.75 GHz대역에 걸쳐 VSWR < 1.8의 만족한 결과를 보이고, 단일 소자의 시뮬레이션 이득 결과는 10 dBi를 보였으며 $4\times4$ 어레이를 했을 경우 이득은 22 dBi의 값을 보였다. 제작되어진 안테나는 추후 급전 네트웍의 최적화를 통해 상호 간섭(Mutual Coupling)을 최소화하여 효율을 최대화한다면 직접 위성 서비스를 수신하기 위한 초소형 안테나로 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2002.05a
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pp.261-263
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2002
CMOS devices have scaled down to sub-50nm gate to achieve high performance and high integration density. Key challenges with the device scaling are non-scalable threshold voltage( $V^{th}$ ), high electric field, parasitic source/drain resistance, and $V^{th}$ variation by random dopant distribution. To solve scale-down problem of conventional structure, a new structure was proposed. In this paper, we have investigated double-gate MOSFET structure, which has the main-gate and the side-gates, to solve these problem.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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