• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
• /
• v.39 no.1
• /
• pp.31-36
• /
• 2002

Low energy boron ions were implanted into the preamorphized and crystalline silicon substrates to form 0.2${\mu}m$ $p^+-n$ junctions. The rapid thermal annealing(RTA) was used to annihilate the crystal defects due to implantation and to activate the implanted boron ions, and the furnace annealing was employed to reflow the BPSG(bolo-phosphosilicate glass). The implantation conditions for Gepreamorphization were the energy of 45keV and the dose of 3$\times$1014cm-2. BF2 ions employed as a p-type dopant were implanted with the energy of 20keV and the dose of 2$\times$1015cm-2. The thermal conditions of RTA and furnace annealing were $1000^{\circ}C$/10sec and $850^{\circ}C$/40min, respectively. The junction depths were measured by SIMS and ASR techniques, and the 4-point probe was used to measure the sheet resistances. The electrical characteristics were analyzed via the leakage currents of the fabricated diodes. The single thermal processing with RTA produced shallow junctions of good qualities, and the thermal treatment sequence of furnace anneal and RTA yielded better junction characteristics than that of RTA and furnace anneal.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1997.10a
• /
• pp.146-146
• /
• 1997

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
• /
• 1998.05a
• /
• pp.20-21
• /
• 1998

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2000.11a
• /
• pp.119-119
• /
• 2000

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1994.05a
• /
• pp.77-77
• /
• 1994

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2003.03a
• /
• pp.210-210
• /
• 2003

휘스커상의 뮬라이트의 생성온도와 속도는 출발물질로 사용되는 알루미나와 실리카의 화학적 순도, 입자크기 그리고 결정형태에 의존하며, 알루미나와 실리카의 조성비에 따라 생성되는 뮬라이트의 형태가 변한다. 각 원료에 대한 반응성을 관찰하기 위하여 출발원료인 Al(OH)$_3$, 비정질 SiO$_2$, AlF$_3$를 혼합 각각 단일조성과 2상 및 3상의 원료를 혼합 분쇄하여 분무건조한 조립분말을 5$0^{\circ}C$ 구간으로 나누어 상온에서 130$0^{\circ}C$까지 튜브 로에서 열처리하였다. Al(OH)$_3$와 AlF$_3$를 단독으로 열처리하였을 경우에는 안정한 상태로 열처리가 진행되었으나, 혼합하였을 경우에는 40$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 서서히 반응하였다. 각 온도구간에서 열처리한 시편은 미세구조 관찰과 상분석을 통하여 플루오르 토파즈와 휘스커상의 뮬라이트의 생성을 관찰하였으며, 생성된 휘스커 뮬라이트는 조립의 형상을 원형대로 보존하였으며, 조립의 강도를 측정하기 위하여, 초음파 분산기와, 초음파 Homgeniger를 이용하여 처리한 결과 대부분 원래의 형상을 유지하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.49-49
• /
• 2009

카메라 모듈용 적외선 차단 필터를 설계하고 이온빔 증착 장비를 이용한 코팅 공정 후 특성을 조사하였다. 코팅 실험에 앞서 Macleod 프로그램을 이용하여 640nm 차단 필터를 설계하였으며, 실험은 Ion-Assisted Deposition 장비를 사용하여 $TiO_2/SiO_2$ 유전층을 다층 박막으로 증착하였다. 투과도 분석에서 640nm 차단 필터는 설계 곡선과 약 8nm 이내에서 일치하였으며, 갓 성장된 박막 투과도는 400~600nm에서 약 80% 이었으며, 급속열처리 및 열처리 후 약 5% 증가된 투과도를 보였다. 표면거칠기 또한 감소하였다. 따라서 열처리로 인한 재결정화 및 결함감소에 의해 필터특성이 향상되었음을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.5 no.5
• /
• pp.518-524
• /
• 1995

BST 박막을 Pt/Si$O_{2}$/Si 기판위에 co-sputtering 방법으로 형성할 때 열처리 조건이 BST 박막의 결정성과 전기적 특성에 미치는 영향에 관하여 연구하였다. BST 박막의 특성은 급속 열처리나 관상로 열처리과 같은 후열처리 온도보다 증착시의 기판온도에 따라서 민감하게 변화하였고, 기판 온도를 55$0^{\circ}C$로 하여 증착할대 Perovskite상이 가장 안정적으로 성장하여 유전율 1100, 유전손실계수 0.02로 우수한 유전특성을 나타내는 막을 형성할 수 있었다. BST 박막은 기판온도를 증가하면 정합에너지와 표면에너지를 최소로하는 (111) 방향으로 우선방위를 나타내었고 결정립의 조대화 현상으로 누설전류가 증가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.208.1-208.1
• /
• 2014

반도체 공정이나 디스플레이 공정에는 세라믹 부품이나 금속 부품이 많이 포함되어 있는데 이들 부품이 공정중에 발생하는 플라즈마 또는 여러가지 부산물에 의하여 부품의 표면에 다양한 코팅층이 형성된다. 그리고 이러한 공정에 들어가는 부품은 플라즈마 또는 각종 산에 취약한 특성을 나타내는데 이에 대하여 해결하기 위하여 세라믹 부품의 표면에 용사코팅이나 각종 물리, 화학적 방법을 이용하여 표면에 코팅층을 형성한다. 이렇게 형성된 코팅층중 특히 용사코팅에 의하여 형성된 코팅층은 플라즈마 공정이나 각종 부식성 산에 의하여 박리 또는 크랙이 발생하게 된다. 이러한 특성은 용사코팅층의 특성상 발생하고 있는 물리적 흡착에 의하여 흡착된 계면에서 박리가 발생할 가능성이 크게 된다. 이러한 현상을 줄이기 위하여 고열원을 통하여 열처리 실험을 실시한다. 특히 전자빔이나 레이저 열원은 고온 급속 가열에 의하여 고융점인 세라믹 용사코팅층 및 금속 코팅층을 재용융 및 응고과정을 통하여 미세구조를 변화시킨다. 특히 전자빔 열처리는 진공중에서 코팅층의 열처리를 행함으로써 코팅층 내에 있는 기공을 제거하거나 불순물을 제거하기에 용이하다. 본 연구에서 수행된 열처리는 기 코팅된 세라믹이나 금속재의 표면을 다량의 Electron의 Flux를 통하여 표면의 온도를 Melting point 직하 온도까지 상승하였다가 응고시킴으로써 코팅층의 특성을 변화시켰다. 이렇게 열처리된 시험편의 XRD를 통해 결정구조를 파악하고, SEM, OM을 통하여 기공의 제거, 결함의 제거 등을 확인하였으며 경도 변화를 통하여 물리적 특성의 변화를 함께 확인하였다. 평가 결과 결정구조의 변화와 더불어 경도등의 상승효과가 발생하였으며 코팅층 내에 존재하는 결함이 감소함을 확인하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
• /
• 2005.05a
• /
• pp.67-70
• /
• 2005

[ $a-Fe/Nd_2Fe_{14}B$ ]기 이상나노복합합금(two-phase nanocompositie alloy)의 자기적 특성 향상을 위하여, $Nd_9Fe_{84}B_7$ 조성의 합금을 급속 응고법과 등온열처리를 이용하여 제조한 후, 공정 조건의 변화에 따른 상, 미세조직, 자기특성의 변화 등을 조사하였다. 주어진 Nd-Fe-B 삼원계 합금을 35 m/s 이상에서 급랭 응고하였을 때 완전한 비정질 합금을 얻을 수 있었으며, 최적 자기특성을 얻기 위한 적정 열처리 구역은 $700^{\circ}C$/10 - 15분, 725$^{\circ}C$/7 - 12분, $750^{\circ}C$/5 - 7분으로 조사되었다. 이 구역들에서 열처리된 합금들은 모두 매끄러운 감자곡선(demagnetization curve)을 나타내, a-Fe와 $Nd_2Fe_{14}B$사이의 교환상호결합이 잘 일어나고 있음을 알 수 있었으며, 이때 a-Fe와 $Nd_2Fe_{14}B$의 평균 입자 크기는 각각 약 10nm와 40$\~$60 nm였다. 한편 상 전개의 차이에도 불구하고 열처리 후에는 모든 합금들이 $60\%$ 이상의 $M_r/M_s$ 비율을 나타내 열처리 조건의 변화에 관계없이 교환상호작용은 일어나고 있음을 알 수 있었다.