• Tribology and Lubricants
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• 제10권2호
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• pp.1-4
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• 1994

금속과 금속이 접합할 때 발생하는 고유 저항값은 접촉소재의 종류, 접촉면의 상태, 접촉조건(하중, 온도, 정적 또는 동적인 접촉 등), 주변환경에 따라서 변한다. 소재가 접촉할 때 발생되는 저항값의 변화특성을 적극적으로 이용한 것이 전기 저항법(Electrical Contact Resistance Method)이다. 접촉 저항법의 특징은 접촉시 발생되는 저항값이 미세하게 변화한다 할지라도 모두 계측이 가능하다는 점이다. 그동안의 연구는 ㅈ로 단일 접촉점(Single Contact Spots) 위주의 단편적인 실험적 연구를 통하여 접촉 저항법에 대한 신뢰도 확보에 노력하였으나, 최근에는 접촉점이 인접한 다른 접촉부위에 미치는 영향, 즉 다수 접촉점군(Multiple Contact Spots and Clusters)의 거동해석에 더욱 큰 연구 비중을 두고 있다. 접촉점군 상호간의 영향에 관한 연구가 많이 진행되기는 하였지만 해석모델의 적절성 여부가 실험적 데이타를 통하여 확인이 아직 안되었기 때문에 기존의 접촉저항 추정식을 직접 사용하기가 어려웠으나 최근에 볼군-원판 모델에 대한 접촉점과 다수의 접촉점군 상호간에 발생될 수 있는 접촉저항 특성을 실험적으로 해석하여 보다 정확한 해석모델이 제시되었다.

• 월간포장계
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• 제7호통권183호
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• pp.124-143
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• 2008

식품의약품안전청은 식품의 기구나 용기로 사용되는 금속제에 대해 납, 크롬, 니켈 등 용출규격을 강화하고 내분비계장애물질(환경호르몬)으로 의심되는 비스페놀 A에 대해서도 강화된 기준을 마련하여 입안 예고 했다. 식약청은 현재 분리되어 있는 금속제 및 금속관의 규격을「금속제」로 통합하고 크롬 및 니켈에 대한 용출규격을 각각 0.1mg/L 이하로 신설하고자 하며, 납 0.1% 이상 함유한 금속으로 기구 및 용기포장의 식품과 직접 접촉하는 부분을 제조 금지토록 하는 등을 주요내용으로 정했다. 본 고에서는 주요 내용과 법안을 살펴보고 신.구조문을 비교해 살펴보도록 한다.

• 전기의세계
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• 제28권4호
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• pp.3-9
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• 1979

대기오염은 인간의 건강에 중요한 영향을 미칠뿐 아니라 공업적으로도 많은 해를 초래하고 있다. 그중 한가지 예가 접촉부품에 대한 것을 열거할 수 있다. 일반적으로 모든 금속재 부품에 대해서도 같은 영향을 주나 접촉부품에서는 접촉저항 특성을 중요시하기 때문에 대기오염의 영향은 직접적으로 민감하게 미친다고 볼 수 있다. 접촉부품은 전기회로를 개폐, 절환 또는 이탈시키는 작용을 하며, 크게 나누어 개폐, 정지및 접동등 세가지 형식으로 분류할 수 있다. 이러한 견지에서 대부분의 전자장치및 전기기기에는 접촉부품이 어떠한 형태로서든지 사용하게 되며, 또한 중요한 기능과 역할을 담당하고 있음을 알 수 있다. 이러한 접촉부품에서 접점의 성능은 일반적으로 접촉저항특성, 융착특성 및 소모전이 특성 등 여러 특성으로 요약할 수 있으며 특히 소형화의 경향이 있는 접촉부에 대해서는 접촉저항특성이 중요한 요소가 된다. 일반용의 금속과 같은 과정으로 접촉부금속도 주위 분위기의 기체와 반응을 하여 접촉면에 여러 오염피막을 발생시킨다. 이러한 오염피막은 일반적으로 높은 전기저항을 표시하기 때문에 접촉저항특성을 현저하게 나쁘게 할 것이다. 이러한 입장에서 정밀하고 신뢰성 있어야 할 접촉부품이 대기오염으로 인하여 전기적성질이 저하되어 예기치 못하였든 사고발생을 추정해야 할 시기가 우리나라에도 도래한 것 같으며 공업단지내의 공장에 종사하는 기술자는 적어도 이러한 문제를 고려해야 하겠기애 몇가지 사항에 대하여 간단히 기술하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.122.2-122.2
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• 2015

n-type 실리콘은 p-type과 비교하여 더 높은 소수캐리어 lifetime 으로 금속 불순물에 대하여 더 좋은 내성을 갖는다. 고효율 실리콘 태양전지를 위하여 p-type 웨이퍼를 n-type으로 교체하여 빛을 조사했을 때, 광전자들이 형성되어 p-type과 비교하여 더 좋은 lifetime 안정성을 갖는다. n-type 태양전지의 전면 전극은 AgAl paste로 형성하였다. AgAl 페이스트는 소성 온도와 밀접하게 관련되어 전극의 접합 깊이에 영향을 미친다. p+ emitter 층에 파고드는 금속 접촉의 최적화된 깊이는 접촉 저항에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 소성 조건을 변화시킴으로써, 금속 깊이의 효과적인 형성을 위한 소성 조건을 최적화하였다. $670^{\circ}C$ 이하의 온도에서 소성을 진행 하였을 때, 충분한 접촉 깊이를 형성하지 못하여 높은 접촉저항을 갖는다. 소성 온도가 증가함에 따라, 접촉 저항은 감소하였다. 최적 소성 온도 $865^{\circ}C$에서 측정된 접촉저항은 $5.99mWcm^2$이다. $900^{\circ}C$ 이상에서 contact junction은 emitter를 통과하여 실리콘과 결합하였다. 그 결과로 접촉저항 shunt가 발생한다.

• 접착 및 계면
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• 제23권4호
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• pp.122-129
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• 2022

본 연구에서는 산소 플라즈마 처리시간을 실험 변수로 하여 금속섬유를 처리한 후 섬유표면에 산소함유 기능성 관능기를 도입하여 금속섬유의 친수성을 향상시키기 위한 연구로 플라즈마 처리 전, 후의 표면 특성 변화를 scanning electron microscope (SEM)과 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하여 관찰하였다. 또한 플라즈마 처리시간이 금속섬유의 표면에 미치는 영향을 관찰하기 위해 극성 용매와 비극성 용매에 대한 금속섬유의 접촉각 변화를 측정하였다. 측정된 접촉각을 이용해 표면 자유에너지 변화를 계산한 후 산소 플라즈마 처리 전, 후의 금속섬유에 대한 접촉각과 표면 자유에너지를 비교하였으며 접착일과의 상관관계도 고찰하였다. 이런 금속섬유의 표면 변화가 다른 소재와의 복합 시 계면에서의 전단강도 향상에 미치는 영향을 알아보기 위해 microdroplet 시편을 제조하여 계면 전단강도를 측정하였으며 접착일과의 상관관계도 함께 파악하였다. 따라서, 금속섬유의 산소플라즈마 처리는 섬유표면에 물리적인 표면적 증가로 인한 수지와의 접촉면의 증가와 표면의 산소함유 기능성 관능기의 도입에 따른 접촉각, 표면 에너지의 변화에 따른 표면 친수화로 고분자 수지와의 계면 전단강도를 향상시켜주는 결과를 얻었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.116-116
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• 2011

AZ31과 AZ80의 마그네슘합금 소재를 이용하여 분극곡선과 전기화학적 임피던스를 측정하였고, 다른 금속과 접촉하여 대기환경에 노출시킨 부식시험을 하였다. 그 결과 AZ31보다는 AZ80의 부식저항이 더 큰 것을 확인할 수 있었고, 마그네슘 모재가 이종금속과 접촉된 상황에서 Cu>Fe>Al의 접촉재 순으로 부식이 진행되었다.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권4호
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• pp.41-46
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• 2005

본 연구에서는 고 전력의 RF 신호용 직접 접촉식 스위치에서 문제가 되고 있는 접촉부위에서의 미소용접에 의한 점착 현상을 감소시키기 위해, 고 융점 금속인 텅스텐(W)과 몰리브덴(Mo)을 스위치 접촉 부위에 코팅하여 스위치의 성능을 분석하였다. 스위치의 삽입손실과 신호격리도, 전력 손실 등의 변화를 네트워크 분석기, 전력 측정기 등을 통하여 측정하였다. 측정결과로부터 RF 신호 전송에 있어서 낮은 입력 전력에서는 고융점 금속이 금(Au)보다 접촉저항이 더 크지만 입력 전력이 커지면 비교적 낮은 비저항의 고융점 금속을 사용하는 것이 고전력 전송 및 수명 연장에 있어서 유리함을 밝혀냈다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.649-652
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• 1998

본 논문에서는 MICROTEC〔3,4〕시뮬레이터를 이용하여 소트키 다이오드를 형성하고 금속-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속을 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 특성을 관찰하여 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 현상을 관찰하여 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이며 반도체는 실리콘 n/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용 보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 잘 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다.

• Tribology and Lubricants
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• 제3권1호
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• pp.26-30
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• 1987

두개의 Flat washer사이에 세개의 강구를 같은 거리로 놓고 아래의 Flat을 회전시킬때 고점성의 폴리부틴이 금속접촉에 미치는 영향을 조사하였다. 금속접촉은 EHD油膜두께(h), 표면밀도($\sigma$)의 비에 관계되며 Hertz 압력에서 윤활유의 점성-압력계수는 유막에 영향을 주며 따라서 h/$\sigma$에 영향을 줌을 알았다.

• ETRI Journal
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• 제13권4호
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• pp.88-93
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• 1991

본 연구에서는 게이트의 Schottky 접촉을 먼저 만들고 옴 접촉 공정을 그후에 하는 자기정렬 공정 (self-aligned process) 에서 다이오드의 특성 저하를 막기위하여, 내열성 금속 (refractory metal) 을 사용하여 두께와 온도에 따른 각각의 특성을 알아보았다. 내열성 금속으로는 텅스텐을 사용하였으며, 텅스텐이 게이트 금속인 Au 나 AlGaAs 에 대해 어느정도 확산에 대한 barrier의 역할을 하는 지에 대하여 알아보았다. 전류-전압 측정자료와 Auger 분석을 통하여 옴 접촉조건($480^{\circ}C$)에서 텅스텐의 두께가 30nm 이하에서는 barrier 의 역활이 어려운 것으로 나타났다. 그리고 30~60 nm 사이에서 트랜지스터의 특성에 있어서 많은 변화가 있음을 알 수가 있었으며, 90 nm 이상에서는 $530^{\circ}C$ 이상의 온도에서 Au에 대해 좋은 barrier 의 역활을 할 수 있는 것으로 나타났다.