• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.251-255
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• 2003

탄화규소 반도체에 대한 오옴성 금속 접촉 성질을 조사하기 위해 3종류의 금속 (Ni, Co, Cu)을 세척한 탄화규소 반도체 위에 직접 증착하여 전기적 성질을 조사 비교하였다. 이들 금속에 대한 오옴성 성질은 금속종류 뿐만 아니라 열처리조건에 대해서도 크게 좌우됨을 알 수 있었다. 열처리는 급속열처리 장치를 이용한 진공상태 및 환원 분위기에서 2-step 방법으로 시행하였다. 접합비 저항은 TLM 구조를 만들었으며 면저항$(R_s)$, 접촉저항$(R_c)$, 이동거리$(L_T)$, 패드간거리(d), 저항$(R_T)$ 값을 구하면 접합비저항$(\rho_c)$ 값을 구하여 알려진 계산식에 의해 추정하였다. 가장 양호한 결과는 Cu 금속에 의한 접촉 결과이었으며 접합비저항$(\rho_c)$은 $1.2\times10^{-6}{\Omega}cm^2$의 낮은 값을 얻을 수 있었다. 열처리는 진공보다 환원분위기에서 수행한 시편이 양호한 전기적 성질을 가짐을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1999.05a
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• pp.96-98
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• 1999

유기전계발광소자(OELD)의 성능 향상을 위한 많은 연구가 진행되고 있지만 아직까지 금속전극과 유기발 광층 사이의 접촉저항(Contact Resistance)에 관한 연구는 거의 보고되지 않고 있다. Ohmic 접합에서 접촉 저항은 효율적이고 신뢰성 있는 소자제작에 있어서 간과되어서는 안될 매우 중요한 부분이다. 본 연구에서는 금속전극과 유기발광충 사이의 접촉저항에 관해서 논의하고자 한다. 본 연구에서 제작된 샘플은 금속전극으로 Ag, 유기발광재료로서 Alq$_3$를 사용하였으며, Alq3의 두께를 100 $\AA$에서 500 $\AA$까지 각각 다르게 하여 서로 다른 두께의 유기발광층을 가지는 샘플을 제작하였다. 금속전극의 매트릭스 구조에 의해 형성된 적선의 크기는 3 mm x 2 mm이며, 제작된 샘플의 접촉비저항은 TLM(Transmission Line Measurement) 방법을 이용하여 구하였다. Planar한 TLM model로부터 새로운 vertical model을 유추하였으며, 이를 근거로 접촉저항 및 transfer length 등을 계산하였다. 상온에서 측정된 전체 저항값은 유기발광층의 두께가 증가함 에 따라 증가하는 경향을 나타냈으며, 이 때 계산된 접촉비저항은 1.49$\times$$10^1$ $\Omega$-$\textrm{cm}^2$ 이다. 접촉저항은 전극 사이의 거리의 증가에 따라 증가하지만, 측정시간의 thermal budget의 영향으로 상대적으로 전체저항이 감 소하였으나, 저항감소분의 포화에 따라서, 거리에 비례하여 다시 저항이 증가하였다.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.12 no.5
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• pp.285-292
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• 2007

This study was developed the metallic plate for fixation in the femur fracture for the orthopedic region and rigid fixation with plates has a firm place in fracture treatment. Most plates can be used for rigid as well as biological and dynamical fracture fixation. The device's designation and sizing has a specific with bending structural stiffness and strength, known meaning that is reliable regardless of the plate by the short type and long type. Short plate have a wrapping of femur and long plate have to preserve a pole of femur. The bending strength of the curved metallic long plate has to evaluate a 11,000N and The bending strength of the curved metallic short plate has to evaluate a 6,525N. The tensile stress through to press a plate is $1573N/m^2\;and\;1539N/m^2$. The device can be used to support Revision case of Hip Implant and to use a case of Hip screw compression of Hip Neck Fracture.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2009.05a
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• pp.159-162
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• 2009

In temperature controlled batch reactor, the effect of temperature and contact metals on the thermal stability of Exo-tricyclo[$5.2.1.0^{2,6}$]decane (tricyclodecane, exo-THDCP) were investigated by use of GC/MS. And the characteristic of metal in contact with tricyclodecane were analyzed by SEM-EDX. In fuel temperature variation test, thermal decomposition of exo-THDCP was occurred at $350^{\circ}C$. In case of fuel contact metals, Titanium was less effective to decomposition of exo-THDCP than stainless steel 304, 316.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.536-536
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• 2012

나노와이어는 센서, 메모리소자, 태양전지등과 같은 다양한 소자로 응용이 되고 있다. Bottom-up 방법으로 길러진 나노와이어들을 금속전극 위에 정렬 및 접합시킬 때, 나노와이어와 금속전극간의 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 열압착 공정과 솔더전극(Cr/Au/In/Au, Cr/Cu/In/Au)을 사용함으로써, 나노와이어를 금속전극에 압입시켜 강한 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성을 얻을 수 있는 공정을 제안하였다. 나노와이어와 금속 전극간의 접합부 분석을 위해 scanning electron microscopy (SEM)와 transmission electron microscopy (TEM)을 이용하였으며, 기계적 특성은 lateral force microscopy (LFM), 전기적 특성은 semiconductor analyzer (Keithley 4200-SCS)를 사용하여 측정하였다. 접합강도 측정결과 lateral force가 나노와이어에 가해질 때 나노와이어가 파괴되는 힘에서도 나노와이어와 금속전극간의 접합부파괴가 일어나지 않았다. 또한 나노와이어와 금속전극간의 전기적 접촉특성은 안정적인 ohmic contact을 이루었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.10 no.4
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• pp.29-33
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• 2003

Material and electrical properties of copper-based ohmic contacts on n-type 4H-SiC were investigated for the effects of the post-annealing and the metal covering conditions. The ohmic contacts were prepared by sequential sputtering of Cu and Si layers on SiC substrate. The post-annealing treatment was performed using RTP (rapid thermal process) in vacuum and reduction ambient. The specific contact resistivity ($p_{c}$), sheet resistance ($R_{s}$), contact resistance ($R_{c}$), transfer length ($L_{T}$), were calculated from resistance (RT) versus contact spacing (d) measurements obtained from TLM (transmission line method) structure. The best result of the specific contact resistivity was obtained for the sample annealed in the reduction ambient as $p_{c}= 1.0 \times 10^{-6}\Omega \textrm{cm}^2$. The material properties of the copper contacts were also examined by using XRD. The results showed that copper silicide was formed on SiC as a result of intermixing Cu and Si layer.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.335-335
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• 2012

금속 박막과 PI film 과의 접촉력을 증가시키기 위하여 remote - type modified dielectric barrier discharge (DBD) module을 이용하여 대기압 플라즈마 표면 처리를 실시한 결과, 접촉각이 매우 낮게 형성됨을 관찰 할 수 있었다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.130.1-130.1
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• 2010

분리판(Bipolar plate)은 MEA 및 GDL의 구조적지지, 연료와 산화제를 공급해 주는 통로역할, 발생한 전류의 수집 및 전달, 그리고 반응 생성물의 수송 및 제거 등의 다양한 역할을 한다. PEMFC 및 DMFC의 분리판에 주로 사용되고 있는 재질은 Graphite 및 금속 물질이다. Graphite는 내부식성이 좋고 가벼워 현재 가장 많이 사용되고 있지만, 가공이 어렵고 깨질 위험이 있으며 두껍고 비교적 값이 비싸다. 금속은 가공성이 좋고 높은 전기 전도도를 가지며 가격이 저렴한 반면, 내부식성이 좋지 않은 단점이 있다. 연료전지를 실용화하는데 있어 중요한 문제 중 하나는 전지 성능의 수명과 경제성이며, 위와 같은 Graphite와 금속의 특성으로 인하여, Graphite 분리판을 금속 분리판으로 대체하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 원가절감을 위한 대량생산공정 중 하나인 염욕질화공정의 도입 및 적용을 위한 목적으로, 다양한 처리조건에 의해서 금속 표면을 처리하였으며, 표면처리된 금속은 부식특성, 접촉저항, 및 내구성 등을 평가하고 이를 통하여 금속계 분리판 적용성에 대해 알아보고자 한다.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2000.11a
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• pp.171-174
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• 2000

금속간 접촉에서의 Passive IMD는 Contact의 비선형 요인에 의해 발생된다고 알려져 있다. 금속접촉을 이루는 RF Conntctor의 PIMD 측정은 측정환경의 변화로 인해 재현성 있는 측정이 어렵다. 본 논문에서는 접촉력, 온도 및 습도로 인한 접촉조건의 변화에 의해 발생하는 PIMD 특성을 연구하고자 4 종류의 도금 재질을 갖는 어댑터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댑터의 PIMD 측정결과. PIMD 수준이 주로 접촉력 및 온도에 영향을 받으며, 측정환경의 명확한 규정이 PIMD의 측정 및 제어에 필수적임을 확인하였다.

• The Journal of Korean Academy of Prosthodontics
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• v.61 no.3
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• pp.198-203
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• 2023

Purpose. The aim of this study was to evaluate the proximal contact with a dental floss compared to a celluloid strip and a metal strip in normal dental arch and investigate what the most effective method for measuring is. Materials and methods. The subjects of this study was consisted with 20 healthy adults (10 males and 10 females) who had normal dentition. A dentist with more than 5 years of clinical experience evaluated the proximal contacts using a dental floss method, a celluloid strip method, and a metal strip method. Statistical analysis were performed by the use of Mann-Whitney U test. A P-value < .05 was considered statistically significant in all analysis. In addition, in the evaluation of proximal contact using a dental floss, the measurement of proximal contact using a celluloid strip and a metal strip was compared. Results. 80 % of all proximal contact was proper. Proper proximal contact was observed at the posterior area compared to the anterior area (P < .05). And male had proper proximal contact at the anterior area, female had proper proximal contact at the posterior area (P < .05). The consistency analysis between the results of the celluloid strip and the metal strip experiment on the results obtained from the floss using the consistency scale Kappa index shows that using celluloid strip is more advantageous than using the metal strip. Conclusion. Only 80% of all proximal contact was proper. Using celluloid strips with various thickness for evaluating of proximal contact is considered to be helpful for accurate measuring of proximal contact.