• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.36 no.4
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• pp.266-272
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• 2016

This paper presents the investigation of the propagation behavior of bulk longitudinal waves generated by an ultrafast laser system in thin films. A train of femtosecond laser pulses was focused onto the surface of a 150-nm thick metallic (chromium or aluminum) film on a silicon substrate to excite elastic waves, and the change in thermoreflectance at the spot was monitored to detect the arrival of echoes from the film/substrate interface. The experimental results show that the film material characteristics such as the wave velocity and Young's modulus can be evaluated through curve-fitting in numerical solutions. The material properties of nanoscale thin films are difficult to measure using conventional techniques. Therefore, this research provides an effective method for the nondestructive characterization of nanomaterials.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.239.1-239.1
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• 2015

1차원 탄소나노재료이며 한 겹의 흑연을 말아 놓은 형태인 단일벽 탄소나노튜브(Single-walled carbon nanotubes, SWNTs)는 감긴 형태에 따라 반도체성, 금속성 성질을 나타내는 특이성과 우수한 기계적 성질을 지니고 있어 광범위한 분야로 응용이 기대되어왔다. 이러한 SWNTs의 응용가능성을 실현시키기 위해서는 보다 경제적, 산업적인 면에서 손쉬운 합성방법의 개발이 필요한 실정이다. SWNTs의 합성 방법들로는 아크방전법과 레이저 증발법, 그리고 열화학기상증착법(Thermal chemical vapor deposition, TCVD) 등이 이용되었다. 이 중 TCVD법은 대면적의 균일한 CNTs를 합성할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 탄화수소가스를 효율적으로 분해하기 위하여 $800^{\circ}C$ 이상의 고온 공정이 요구되며, 이는 경제적, 산업적인 면에서 사용이 제한적이다. 따라서 저결함, 고수율의 SWNTs를 저온합성 할 수 있는 공정의 개발이 지속적으로 필요하다. 본 연구에서는, TCVD법을 이용하여 에틸렌 원료가스로 SWNTs의 저온합성 가능성을 확인하였다. 합성을 위한 기판과 촉매로는 실리콘 산화막 기판(SiO2/Si wafer)에 철 나노입자를 지닌 ferritin을 스핀코팅 후 산화하여 이용하였다. 저온합성 공정의 변수로는 합성온도와 원료가스인 에틸렌의 분율을 설정하여, 변수가 SWNTs의 결정성과 수율에 미치는 영향을 고찰하였다. 합성된 SWNTs의 분석의 용이함과 손지기(Chirality)의 제어를 위하여 나노 다공성 물질인 제올라이트(Zeolite)를 보조 기판으로 사용하였다. 실험결과 에틸렌 원료가스로 합성한 SWNTs는 $700^{\circ}C$ 부근의 저온에서도 합성이 가능함을 확인하였다. 또한 에틸렌 원료가스의 분율과 합성시간의 정밀한 제어를 통해 SWNTs의 합성온도를 더욱 감소시키는 것도 가능할 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.454-455
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• 2009

Selective emitter structure have an important research subject for crystalline silicon solar cells because it is used in production for high efficiency solar cells. A selective emitter structure with highly doped regions underneath the metal contacts is widely known to be one of the most promising high-efficiency solution in solar cell processing. Since most of the selective emitter processes require expensive extra masking and double steps process. Formation of selective emitters is not cost effective. One method that satisfies these requirements is the method of screen-printing with a phosphorus doping paste. In this paper we researched two groups of selective emitter structure process. One was using dopant paste, and the other was using solid source, in order to compare their uniformity, sheet resistance and performance condition time.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.48-48
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• 2009

최근 나노광전소자 응용에 큰 관심을 받는 물질인 산화물 나노선은 앞으로 불어 올 나노소재 시대를 여는 선두 물질이다. 이러한 산화물 나노선 가운데 가장 큰 관심을 받는 물질로는 산화아연 나노선을 들 수 있다. 삼화아연 나노선은 상온에서 큰 엑시톤 결합에너지 및 큰 밴드갭을 가지고 있으며 투명성 및 소자구동시 안정성을 지니고 있어 그 응용이 기대된다. 하지만 이러한 나노선을 이용한 광전소자 응용은 bottom-up 방식을 기초로 한 대면적 소자제작이 어렵다. 이러한 bottom-up 방식의 나노소자 제작에서 필요한 나노선 성장기술은 금속 catalyst 없이 대면적 성장, 나노선 수직어레이, 나노선의 고온성장, 기판 사이에 발생하는 자발적 계면층 제거 등으로 대표된다. 또한 나노선의 결정성 및 광특성 향상을 위해서는 고온성장이 불가피한데, 실리콘 기판과 같이 격자상수 불일치도가 큰 기판에서는 나노선 성장이 이루어지지 않고 다시 탈착되어 구조물이 성장되지 않는다. 본 연구에서는 선택적 삼원계 단결정 씨앗층을 이용하여 길이/직경 비가 매우 향상된 MgZnO 나노와이어를 interfacial layer 없이 수직으로 고온에서 성장하여 산화물 전계방출 에미터로서의 가능성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.16 no.2
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• pp.66-70
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• 2006

Various kind of structural defects are observed to be present on the oxidized surface of the silicon crystal which was previously damaged mechanically. The formation of such defects was found to depend on the amount of damage induced and the temperature of thermal oxidation. It was confirmed by the measurement of minority carrier life time that gettering capability decreases as the size of the defects increase. The strained layer which is formed due to smaller amount of damage or lower oxidation temperature believed to has higher capability of gettering over defects like dislocation loops or stacking faults.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.2 no.4
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• pp.393-398
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• 1991

An experimental reactor system was devised and employed to examine catalytic coal gasification. A 4-kw tungsten halogen lamp heater combinded with a graphite sample basket coated with silicon nitride film made rapid heating and cooling possible. Also a small graphite cap on the thermocouple tip which located just beneath the sample basket helped remarkably to read real temperatures. Silicon nitride film on the basket and the cap showed very good protection against the reaction between graphite and oxidant gases during the experiments. The weight of specimen could be continuously measured without disturbance.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.346-354
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• 1993

The diamond particles and films were deposited on Si and qurtz substrate for $CH_4-H_2$ mixed gas by using RF plasma CVD. The temperature of substrate and the thinkness of films deposited on Si substrate were uniformly kept up by inserting metal plate between substrate and substrate holder. On increasing the reaction pressure in the same discharge power, the morphologies of films were changed from well-defind films to micro-crystal or ball-like. When diamond films were deposited on Si substrate from $CH_4-H_2$ mixed gas, we obtained well-defined diamond films at lower concentration than 0.5 vol% of $CH_4/H_2$. The deposited diamond films were indentified by SEM, XRD and Raman spectroscopy.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.34.2-34.2
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• 2011

본 연구에서는 1986년에 국내 섬 지역에 설치된 태양전지 모듈을 대상으로 전기적 특성값의 열화 및 열화 원인에 대한 분석을 실시하였다. 태양전지 모듈의 초기 최대 출력값은 50 W였고, 5인치 단결정 실리콘 태양전지 36개로 구성되어 있었다. 첫째로, 육안 검사를 통해서 태양전지 모듈의 열화 현상을 관찰하였다. 태양전지 모듈의 절연성은 IEC 61215의 기준으로 측정하였다. 태양전지 모듈의 전기적 특성평가를 통해서 최대 출력값의 변화량을 측정하였고, EL(Electroluminescence) 측정을 통해서 태양전지의 열화를 분석하였다. 이를 통해 분석된 주요 열화 모드는 봉지재 (Encapsulant)의 변색(Discoloration) 및 박리(Delamination)현상이었다. 봉지재의 변색된 부분 및 변색되지 않은 부분의 태양광 반사도를 측정한 결과 변색된 부위의 반사도가 증가한 것을 확인하였다. 두번째로 최대 출력전압을 태양전지 모듈에 인가한 상태에서 태양전지 각각의 온도를 T.C (Thermocouple)을 이용하여 측정하였고, 이를 통해서 태양전지의 열화와 온도와의 관계를 분석하였다. 마지막으로 태양전지 모듈의 단면분석을 통해서 봉지재의 박리현상 및 리본와이어의 솔더 접합계면을 관찰하였다. 또한, 봉지재를 제거한 후에 SEM&EDX를 통해서 리본와이어 및 금속전극의 부식현상을 분석하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.18 no.9
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• pp.507-510
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• 2008

Electrical properties of multi-channel metal-induced unilaterally precrystallized polycrystalline silicon thin-film transistor (MIUP poly-Si TFT) devices and circuits were investigated. Although their structure was integrated into small area, reducing annealing process time for fuller crystallization than that of conventional crystal filtered MIUP poly-Si TFTs, the multi-channel MIUP poly-Si TFTs showed the effect of crystal filtering. The multi-channel MIUP poly-Si TFTs showed a higher carrier mobility of more than 1.5 times that of the conventional MIUP poly-Si TFTs. Moreover, PMOS inverters consisting of the multi-channel MIUP poly-Si TFTs showed high dynamic performance compared with inverters consisting of the conventional MIUP poly-Si TFTs.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.04b
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• pp.1-5
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• 2000

As the semiconductor devices are miniaturized, the number of the unit cleaning processes increases. In order to processes by conventional RCA cleaning process, the consumption of volume of liquid chemical and DI water became huge. Therefore, the problem of environmental issues are evolved by the increased consumption of chemicals. To resolve this matter, an advanced cleaning process by Electrolyzed Water was studied in this work. The electrolyzed water was made by an electrolysis equipment which was composed of three chambers of anode, cathode, and middle chambers. In the case of electrolyzed water with electrolytes in the middle chamber, oxidatively acidic water of anode and reductively alkaline water of cathode were obtained. The oxidation/reduction potentials and pH of anode water and cathode water were measured to be +l000mV and 4.8, and -530mV and 6.3, respectively. The Si-wafers contaminated with metallic impurities were cleaning with the electrolyzed water. To analysis the amounts of metallic impurities on Si-water surfaces, ICP-MS(Inductively Coupled Plasma-Mass spectrometer) was introduced. From results of ICP-MS measurements, it was concluded that the ability of electrolyzed water was equivalent to that of the conventional RCA cleaning.