• 제목/요약/키워드: 금속사

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금성사의 시험시설( 가전기기공장을 중심으로)

  • 김경수
    • 전기의세계
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    • 제16권4호
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    • pp.19-23
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    • 1967
  • 금성사는 전기, 전자, 통신기술뿐 아니라 기계, 금속화공등 각종전문기술의 총합으로 이루어진 회사인만큼 실험설비나 측정기구도 다양다종하기 이를바 없다. 그러므로 여기서는 다만 가전기기공장 시설중에서 대표적인것만 한종류씩 들어서 간단히 소개하고저 한다.

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백색광주사간섭계에서 편광을 고려한 반사시 위상 변화에 대한 연구 (Phase change on reflection in a white-light interferometer as polarization is changes)

  • 김영식;김승우
    • 한국광학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.331-336
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    • 2004
  • 백색광주사간섭계는 금속 물질의 반사시 발생하는 위상 변화에 의해 금속의 두께 측정에서 수십 나노 미터(nm)의 오차를 갖는다. 실제로 반도체 공정이나 초 정밀가공 부품에 많이 쓰이는 금, 은, 알루미늄, 크롬 등의 금속은 약 10∼30 nm의 측정 오차를 야기 시킨다. 본 논문에서는 수치 해석을 통해 백색광의 편광을 고려한 반사시 위상 변화에 의해서 간섭무늬의 두 정점, 위상 정점과 가시도 정점이 이동함을 보인다. 또한 백색광의 두 편광성분, 수직 편광성분과 수평 편광성분에 의해 재구성된 간섭 무늬식을 제안한다.

단백질계 배지로 이루어진 금속사의 분석과 보존처리 - 16세기 임백령 묘 출토 단령의 직금 흉배를 중심으로 - (Analysis and Conservation of Metal Thread Made of Proteinaceous Substrate - Golden Decorative Rank Badge of an Official Uniform Excavated from Baekryeong Im's Tomb in the 16th Century of Korea -)

  • 노수정;오준석
    • 복식
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    • 제58권9호
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    • pp.129-141
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    • 2008
  • Jikgeum(woven with supplementary golden wefts) hyungbae(rank badge) of danryung(official uniform) excavated from Im Backryung'tomb($1498{\sim}1546$) of the Joseon dynasty($1392{\sim}1910$) at Goyang, Gyunggi-Do in 2007, was in a critical condition because of serious collapse of substrate in metal thread. For conservation of hyungbae, metal thread was examined by different scientific methods(Light Microscope, Scanning Electron Microscope and Energy Dispersive X-Rray Spectrometry(SEM-EDS), Fourier Transform Infrared Spectroscopy(FT-IR)). Analytical data showed that metal thread was gilt membrane strip composed of gold leaves and proteinaceous substrate which was probably parchment. To protect collapse of substrate, 1% solution of Paraloid B-72 was infilterated into substrate for consolidation of substrate and it was adhered to warp of fabric in hyungbae, before wet cleaning. After wet cleaning, the most of the gold leaves were restored, which was confirmed by both the examination with the naked eye and the microscopic examination.

방사광을 이용한 Si 웨이퍼 표면불순물 검출감도 향상 (Improvement of detection sensitivity of impurities on Si wafer surface using synchrotron radiation)

  • 김흥락;김광일;강성건;김동수;윤화식;류근걸;김영주
    • 한국진공학회지
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    • 제8권1호
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    • pp.13-19
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    • 1999
  • 방사광을 이용한 전반사 형광 분석법으로 Si 웨이퍼 표면 금속 불순물의 검출능을 향상시켰다. 측정장치는 특정 단색광 에너지만을 선택할 수 있는 모노크로메팅부, 측정챔버안으로 유입되는 방사광은 차폐하고 원하는 크기의 단색광을 선택하는 슬릿부 그리고 Si 웨이퍼 표면에서 전반사에 의해 발생하는 형광 X-선을 검출하는 측정부로 구성되어 있다. 단색광의 에너지는 10.90 KeV로 선택하였고, 최적의 전반사 조건을 확립하기 위하여 소멸시간과 Fe의 형광 X-선의 강도비의 관계를 이용하였다. 기존 X-선원을 이용하여 관찰한 결과와 비교하였을 경우에, 최대 약 50배까지 검출감도를 향상 시킬 수 있었다. 특히, TRXFA(Total Reflection X-ray Fluorescence Analyzer)법으로는 검출하기 어려운 $5\times10^{10}\textrm{atomas/cm}^2$ 수준의 금속오염은 방사광을 이용한 TRSFA(Total Reflection Synchrotron Fluorescence Analyzer)법으로는 충분히 검출할 수 있고, $5\times10^{9}\textrm{atomas/cm}^2$금속 불순물가지 검출할 수 있는 방법 및 장치를 개발하였다. 이를 이용하여 차세대 Si 웨이퍼의 초극미량 금속 불순물 분석에 이용할 수 있는 방법으로 기대된다.

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