• 제목/요약/키워드: 그래핀 기술

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Synthesis, Properties, and Applications of Graphene (그래핀의 합성, 물성 및 소자응용 기술)

  • Choi, S.Y.;Kim, J.Y.;Choi, H.K.;Kim, J.H.;Choi, C.G.;Zyung, T.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.26 no.3
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    • pp.61-70
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    • 2011
  • 2011년 현재 세상에서 가장 뜨겁게 이슈가 되고 있는 물질이 바로 그래핀이다. 탄소 원자 한 층의 2차원 물질인 그래핀은 2004년 발견된 이래 여러 가지 새롭고 우수한 물성으로 인하여 많은 연구자들의 주목을 받고 있으며, 특히 2010년 노벨 물리학상이 단원자층 그래핀을 최초로 분리한 가임과 노보셀로프 두 사람에서 수여됨으로써 전 세계의 연구자들뿐만 아니라 일반인들의 많은 관심을 끌고 있다. 그래핀은 지금까지 알려진 물질 중에 가장 얇으면서도, 전기나 열을 가장 잘 전도할 수 있을 뿐 아니라 가장 강하면서도 유연한 물질이다. 그래핀을 실질적으로 응용하기 위해서 품질이 우수한 그래핀을 대량으로 제조하고 물성을 제어할 수 있는 기술과 그래핀의 물성에 적합한 응용 소자를 개발하는 것이 그래핀 연구의 큰 주제이다. 본 고에서는 그래핀의 물리적 특성, 합성법 그리고 지금까지 연구된 여러 소자로의 응용 기술 동향을 정리하고 앞으로의 연구 전망을 소개하고자 한다.

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Graphene-based Electronic and Optoelectronic Devices (그래핀 기반 전자소자 및 광전소자 기술)

  • Kim, J.T.;Kim, K.C.;Yu, Y.J.;Youn, D.H.;Chung, K.H.;Choi, M.H.;Choi, C.G.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.27 no.5
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    • pp.1-9
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    • 2012
  • 탄소 원자가 육각형의 벌집 모양으로 이차원구조체를 이룬 그래핀은 2004년 처음 실험적으로 흑연으로부터 떼어낼 수 있는 방법이 발표되면서 그 존재가 확인되었고 이후 여러 가지 독특하고 우수한 물성들이 속속 발표되면서 많은 연구자들의 주목을 받고 있다. 수많은 그래핀 연구자들은 천연 그래핀뿐만 아니라 대면적의 그래핀을 성장하고 숨겨진 전기적, 광학적 물성을 밝히고 제어하는 기술에 대한 기초 연구로부터 제어된 그래핀의 물성을 이용한 다양한 전자소자 및 광전소자로의 응용 기술에 대해 많은 연구를 진행하고 있다. 본고에서는 최근에 이루어진 그래핀 기반의 전자소자와 광전소자에 관한 연구 동향을 몇 가지 예와 함께 소개하고 ETRI 그래핀소자창의연구실의 연구주제와 앞으로의 연구 방향에 대해 살펴보고자 한다.

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Fabrication of Printed Graphene Pattern Via Exfoliation and Ink Formulation of Natural Graphite (천연흑연 박리를 통한 그래핀 잉크 생산 및 프린팅)

  • Gyuri, Kim;Yeongwon, Kwak;Ho Young, Jun;Chang-Ho, Choi
    • Clean Technology
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    • v.28 no.4
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    • pp.293-300
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    • 2022
  • The remarkable mechanical, electrical, and thermal properties of graphene have recently sparked tremendous interest in various research fields. One of the most promising methods to produce large quantities of graphene dispersion is liquid-phase exfoliation (LPE) which utilizes ultrasonic waves or shear stresses to exfoliate bulk graphite into graphene flakes that are a few layers thick. Graphene dispersion produced via LPE can be transformed into graphene ink to further boost graphene's applications, but producing high-quality graphene more economically remains a challenge. To overcome this shortcoming, an advanced LPE process should be developed that uses relatively cheap natural graphite as a graphene source. In this study, a flow-LPE process was used to exfoliate natural graphite to produce graphene that was three times cheaper and seven times larger than synthetic graphite. The optimal exfoliation conditions in the flow-LPE process were determined in order to produce high-quality graphene flakes. In addition, the structural and electrical properties of the flakes were characterized. The electrical properties of the exfoliated graphene were investigated by carrying out an ink formulation process to prepare graphene ink suitable for inkjet printing, and fabricating a printed graphene pattern. By utilizing natural graphite, this study offers a potential protocol for graphene production, ink formulation, and printed graphene devices in a more industrial-comparable manner.

그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조 합성

  • Jeong, Sang-Hui;Song, U-Seok;Lee, Su-Il;Kim, Yu-Seok;Cha, Myeong-Jun;Kim, Seong-Hwan;Jo, Ju-Mi;Jeong, Min-Uk;Park, Jong-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.613-613
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    • 2013
  • 그래핀은 저차원계 구조에서 기인하는 뛰어난 전기적, 물리적, 기계적 성질을 지니고 있어 실리콘 기반 기술을 대체할 전계 효과 트랜지스터 이외에도 투명전극, 초고용량 커패시터, 전계방출 디스플레이 등 다양한 응용분야에 적용 가능하다. 최근에는 이러한 응용 연구분야에서 그래핀과 탄소나노튜브 각각의 단점을 최소화하고 장점을 극대화하기 위한 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조에 대한 연구들이 진행되고 있는 추세이다. 이전 연구들에서 환원된 그래핀 산화물(Reduced Graphene Oxide, RGO)을 이용한 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조가 제작되었는데, 이는 RGO의 제작과정에서 복잡한 공정과 긴 합성과정이 요구될 뿐 아니라, 복합 물질에서 탄소나노튜브의 밀도 제어가 어렵다는 단점을 지닌다. 또한 현재까지 제작된 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조의 경우, 열 화학기상증착법으로 합성된 다층(few-layers)의 그래핀과 탄소나노튜브 혼성 나노구조를 제작하였다 [1-6]. 본 연구에서는 우수한 전기적 특성을 가진 단층(monolayer)의 그래핀을 열 화학기상증착법으로 합성한 후, 그래핀 위에 단일벽 탄소나노튜브를 성장시킴으로써 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조를 제작하였다. 합성된 그래핀-탄소나노튜브의 구조적 특징은 주사 전자 현미경과 라만 분광기 측정을 통해 확인하였고, 촉매의 표면 형상 및 화학적 상태는 원자힘 현미경과 X선 광전자 분광법을 통해 확인하였다. 또한 그래핀 기반의 전계 효과 트랜지스터의 경우, 상온에서 그래핀은 우수한 전하 이동도를 가지며 웨이퍼 스케일에서 제작하기 쉬우나 밴드 갭이 없으므로 높은 Ion/Ioff를 가지는 그래핀 기반의 트랜지스터를 만드는 것이 과제이다. 반면 탄소나노튜브는 큰 에너지 갭을 가지고 있으므로 높은 Ion/Ioff를 구현하는 소자 제작이 가능하다. 그리하여 제작된 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조의 소자 제작을 통해 전기적 특성을 조사하였다.

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Improvement of PDMS graphene transfer method through surface modification of target substrate (폴리디메틸실록산(PDMS)을 이용한 그래핀 전사법 개선을 위한 계면처리 연구)

  • Han, Jae-Hyung;Choi, Mu-Han
    • Journal of the Korean Applied Science and Technology
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    • v.32 no.2
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    • pp.232-239
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    • 2015
  • In this paper, we study the dry transfer technology utilizing PDMS (Polydimethylsiloxane) stamp of a large single-layer graphene grown on Cu-foil as catalytic metal by using Chemical Vapor Deposition (CVD). By changing the surface property of the target substrate through $UV/O_3$ treatment, we can transfer the graphene on the target substrate while minimizing mechanical damages of graphene layer. Multi-layer (1~4 layers) graphene was stacked on $SiO_2/Si$ wafer successfully by repeating thetransfer method/process and then optical transmittance and sheet resistance of graphene layers have been measured as a quality assessment.

Design and Simulation Study on Three-terminal Graphene-based NEMS Switching Device (그래핀 기반 3단자 NEMS 스위칭 소자 설계 및 동작 시뮬레이션 연구)

  • Kwon, Oh-Kuen;Kang, Jeong Won;Lee, Gyoo-Yeong
    • Asia-pacific Journal of Multimedia Services Convergent with Art, Humanities, and Sociology
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    • v.8 no.6
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    • pp.939-946
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    • 2018
  • In this work, we present simple schematics for a three-terminal graphene-based nanoelectromechanical switch with the vertical electrode, and we investigated their operational dynamics via classical molecular dynamics simulations. The main structure is both the vertical pin electrode grown in the center of the square hole and the graphene covering on the hole. The potential difference between the bottom gate of the hole and the graphene of the top cover is applied to deflect the graphene. By performing classical molecular dynamic simulations, we investigate the nanoelectromechanical properties of a three-terminal graphene-based nanoelectromechanical switch with vertical pin electrode, which can be switched by the externally applied force. The elastostatic energy of the deflected graphene is also very important factor to analyze the three-terminal graphene-based nanoelectromechanical switch. This simulation work explicitly demonstrated that such devices are applicable to nanoscale sensors and quantum computing, as well as ultra-fast-response switching devices.

Sol-gel 방식을 통한 Al2O3 게이트 절연체를 갖는 그래핀 Field Effect Transistor 센서에 관한 연구

  • Bae, Tae-Eon;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.431.1-431.1
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    • 2014
  • 최근, 높은 캐리어 이동도와 유연성, 투명성의 우수한 전기적 기계적 특성을 갖는 그래핀에 관한 연구가 활발해지고 있으며 이를 기반으로 한 그래핀 field effect transistor (FET) 센서 응용 또한 관심이 커지고 있다. 작은 소자 크기, 견고한 구조, 빠른 응답속도와 CMOS 공정과의 호환성이 좋은 FET 기반의 센서의 감지 특성은 주로 전해질과 직접 접촉하는 게이트 절연체의 고유 특성에 의해 결정된다. 이러한 게이트 절연체는 일반적으로 스퍼터링, atomic layer deposition (ALD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 등의 진공 방법에 의해 형성되며, 이 공정 기술은 고가의 장비, 긴 공정 시간과 높은 제조비용이 요구된다. 더욱이, 위의 방식들은 소자 제작 동안에 플라즈마 발생 또는 열처리를 필요로 하게 되며 이는 그래핀 기반의 소자의 제작에 있어 큰 손상을 발생시키게 된다. 이러한 이유로 인해, 그래핀 FET 센서의 게이트 절연체의 형성에 있어 진공 증착 기술은 적절하지 않다. 본 연구에서는, 진공 증착 기술의 문제점을 극복하기 위해 sol-gel 방식을 통한 Al2O3 게이트 절연체를 갖는 그래핀 FET 센서를 제작하였다. Sol-gel 방식은 적은 비용, 공정의 단순화, 높은 처리량 뿐 아니라 소자의 대면적화 제작에 유리하다는 장점을 가지며, 또한 게이트 절연체를 증착함에 있어서 플라즈마가 발생하지 않기 때문에 그래핀 FET 제작에 쉽게 적용될 수 있다. 특히, 게이트 절연체 중 Al2O3은 우수한 화학적 안정성과 감지 특성으로 인해 본 실험에 사용하였다. 결론적으로, sol-gel 방식을 통한 Al2O3 게이트 절연체를 갖는 그래핀 FET 센서는 우수한 전기적 특성과 감지 특성 측면에서 매우 전망적이다.

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PMMA와 TRT전사을 이용한 그래핀의 전기적 특성 비교

  • Min, Jeong-Hong;U, Jeong-Min;Lee, Dong-Seon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.285-286
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    • 2012
  • 육각형 구조를 지닌 2차원의 물질인 그래핀은 우수한 전도도와 투과율로 투명전극의 신소재로 각광 받고 있다. 특히, 그래핀은 현재 투명전극으로 가장 많이 사용되고 있는 Indium Tin Oxide(ITO)로는 구현하기 힘든 Flexible display의 어플리케이션으로 사용하기 위한 목적으로 많은 기술 개발이 이루어지고 있다. 이러한 그래핀의 응용은 가장 먼저 그래핀의 생산이 안정적이고 원활히 이루어질 때 실질적으로 가능할 것이다. 하지만, 탄소로 이루어진 그래핀의 성장은 제한된 기판 위에서만 가능하기 때문에 성장이 이루어진 그래핀을 다른 기판에 전사시켜야하는 문제점이 있다. 그래핀 전사방법에는 직접전사, PMMA 전사, TRT 전사, 금속전사, 망전사, PDMS 전사 등 다양한 방법이 있다. 이 중에서 현재 가장 많이 사용되고 있는 전사방법으로는 직접전사, PMMA 전사, TRT 전사 방법이 있다. 직접전사의 경우 니켈위에 성장된 다층의 그래핀을 전사시킬 때 많이 사용되는 방법으로 니켈 에천트에 전사 시킬 그래핀을 띄워 니켈을 녹인 후 원하는 기판을 이용하여 전사하는 간단한 방법이다. 직접전사는 전사가 이루어진 후 그래핀에 남는 결함이 거의 존재 하지 않는 장점이 있지만 문제점은 단일층의 그래핀의 경우 니켈 에천트위에서 잘 보이지 않을 뿐 아니라 에천트에서 기판으로 전사할 때 너무 얇은 막으로 인해 다 찢어져버린다는 것이다. 이를 해결하기 위해 사용되는 전사 방법으로 TRT를 이용하여 구리위에 성장된 그래핀을 상온 시에는 점성을 가진 테이프를 이용해 부치고 구리에 천트에 구리를 녹인 후 원하는 기판위에 놓고 열을 가해 그래핀을 전사하는 방법이 있다. TRT 전사방법은 얇은 막의 그래핀을 찢어지지 않도록 지지해주어 대면적 기판위에도 전사 할 수 있는 장점이 있지만 전사 후 그래핀에 남아 있는 잔여물들이 많고(그림 1. (b)), 테이프를 이용한다는 점에서 그래핀의 얇은 막이 손상될 수 있는 단점이 있다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 직접전사와 TRT전사의 문제점들인 전사 후 잔여물와 그래핀 단일층의 손상을 최소화할 수 있는 방법으로 PMMA전사를 가장 적합한 전사방법이라는 것을 라만 분석, 면 저항측정, 그래핀을 이용한 LED제작을 통해서 살펴 보았다. 먼저 라만 분석을 이용해 TRT전사 후 상당히 많은 빈 공간이 생김을 확인할 수 있었으며, 결과적으로 면 저항이 약 $1.5k{\Omega}$~$3M{\Omega}$까지 PMMA의 약 0.9~1.2 $k{\Omega}$와 비교했을 때 큰 차이가 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 이후 각각의 전사방법으로 얻은 그래핀을 LED의 스프레딩 층으로 제작한 결과에서도 TRT전사방법보다 PMMA전사방법의 결과가 좋음을 알 수 있었다(그림 2).

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Graphene xylophone: physics and applications

  • Kim, Hak-Seong;Yun, Ho-Yeol;McAllister, Kirstie;Sin, Dong-Hun;Lee, Sang-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2016.02a
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    • pp.99.2-99.2
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    • 2016
  • 본 발표에서는 공중에 떠있는 그래핀 기반 나노전기역학 시스템 (NEMS)의 기본 물성과 응용 방법에 대해 소개하고자 한다. 단겹 그래핀을 리본형태로 패턴하고 마이크로 전사기술을 통해 공중에 띄우는 공정을 이용한 그래핀 NEMS 소자 제작 방법을 먼저 소개하고 우리 연구그룹에서 지금까지 측정한 이 구조의 기본 역학적 물성 연구 결과를 소개한다. 미세 질량이 공중에 매달린 그래핀에 더해짐에 따라 역학적 공명 주파수가 줄어드는 현상을 이용하여 그래핀 기반 초미세 질량 센서 응용 방법에 대해 먼저 말하고 이후 같은 구조로 역학적 공명주파수를 이용한 RF 소자 응용 가능성에 대해서 이야기 하고자 한다. 마지막으로 다시 같은 구조를 통해 그래핀 자체에서 강한 가시광선이 발광되는 현상을 처음으로 발견한 내용에 대해 소개하고 이 현상에 대한 물리적 분석과 함께 응용 가능성을 제안하며 발표를 마무리하고자 한다.

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Discovering the Knowledge Structure of Graphene Technology by Text Mining National R&D Projects and Newspapers (국가R&D과제와 신문에서 텍스트마이닝을 통한 그래핀 기술의 지식구조 탐색)

  • Lee, Ji-Yeon;Na, Hye-In;Lee, Byeong-Hee;Kim, Tae-Hyun
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • v.21 no.2
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    • pp.85-99
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    • 2021
  • Graphene, called the "dream material" is drawing attention as a groundbreaking new material that will lead the era of the 4th Industrial Revolution. Graphene has high strength, excellent electrical and thermal conductivity, excellent optical permeability, and excellent gas barrier properties. In this paper, as the South Korean government recently announced Green New Deal and Digital New Deal policy, we analyze graphene technology, which is also attracting attention for its application to Corona 19 biosensor, to understand its national R&D trend and knowledge structure, and to explore the possibility of its application. Firstly, 4,054 cases of national R&D project information for the last 10 years are collected from the National Science & Technology Information Service(NTIS) to analyze the trend of graphene-related R&D. Besides, projects classified as green technology are analyzed concerning the government's Green New Deal policy. Secondly, text mining analysis is conducted by collecting 500 recent graphene-related articles from e-newspapers. According to the analysis, the field with the largest number of projects was found to be high-efficiency secondary battery technology, and the proportion of total research funds was also the highest. It is expected that South Korea will lead the development of graphene technology in the future to become a world leader in diverse industries including electric vehicles, cellular phone batteries, next-generation semiconductors, 5G, and biosensors.