• Title/Summary/Keyword: 구조적/광학적 특성

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전기화학증착법으로 성장된 n-ZnO 나노구조/p-Si 기판의 특성연구

  • Kim, Myeong-Seop;Lee, Hui-Gwan;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.102-102
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    • 2011
  • ZnO는 우수한 전기적, 광학적 특성으로 LED, solar cell 등과 같은 광전자소자의 응용을 목적으로 많은 연구가 진행되고 있다. 최근에는 ZnO 동종접합을 만들고자 많은 연구가 진행되고 있으나 p형 ZnO의 낮은 용해성과 높은 불순물에 따른 제조의 어려움으로 현재까지는 n형 ZnO만이 전도성 기판 위에 성장되어 응용되고 있다. 전도성 기판으로서 Si의 경우 낮은 가격, 공정의 용이함 등으로 GaN, SiC 등의 기판에 비하여 많은 응용이 가능하다. 따라서 본 연구에서는 전기화학증착법을 이용하여 p-n 접합을 형성하기 위하여 p형 Si 기판 위에 n형 ZnO 나노구조를 성장하고 그 특성을 분석하였다. 전기화학증착법은 낮은 온도 및 간단한 공정과정으로 빠른 성장 속도를 가지고 나노구조를 효과적으로 성장할 수 있는 방식이다. Seed 층 및 열처리에 따른 n형 ZnO 나노구조의 성장 특성 분석을 위하여 radio frequency (RF) magnetron 스퍼터를 사용하여 ZnO 및 Al doped ZnO (AZO) seed 층을 p형 Si 기판 위에 증착 후 다양한 온도로 열처리를 수행하였다. 질산아연(zinc nitrate)과 HMT가 희석된 용액에 KCl 촉매를 일정량 첨가한 후 다양한 공정 온도, 공정시간 및 질산아연의 몰농도를 변화시켜 n형 ZnO 나노구조를 성장하였다. 성장된 나노구조의 특성은 field emission scanning microscopy (FE-SEM), energy dispersive X-ray (EDX), photoluminescence (PL) 등의 장비를 사용하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다.

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광학관련 최근 대법원 판례 소개

  • Korea Optical Industry Association
    • The Optical Journal
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    • s.99
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    • pp.76-79
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    • 2005
  • 본 고에서는 최근 광학관련 특허출원 제1991-6896호 대법원 판례를 소개하고자 한다. 본 사례는 1991년 특허출원을 했으나 그에 앞서 유사한 내용으로 유럽 쪽에서 낸 특허내용에 비해 진보성이 떨어진다는 판단아래 특허청, 특허심판원, 특허법원 등에서 번번이 기각이 됐고, 최종적으로 지난해 4월 28일 대법원이 원심판결 파기환송을 함으로써 특허출원인의 손을 들어줬던 사건이다. 이번 사건을 통해 주목해야 할 것은 특허청구범위에 기재된‘구성’의 의미가 포괄하는 범위이다. 즉, 발명을 이루는 구조적요소, 수단 및 그 결합관계의 한정이‘발명이 구성에 해당된다’는 것. 또한 구조적 요소에 의해서만 특정하는 것은 곤란하고 구조만으로 특정하려 할 때 종래기술과, 기술적으로 구별하기 어렵다면 구조적 사항 외에 요소도 발명의 구성에 해당된다는 것. 마지막으로 성질 또는 특성 등에 의하여 물건을 특정하려고 하는 기재를 포함하고, 성질 또는 특성이 그 발명의 내용을 한정하는 사항이라면 이것 역시 발명의 구성에 해당된다는 것이다.

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Modeling and Analysis of Optical Property for High Power LED (고출력 LED 모델링 및 광학적 특성 분석)

  • Han, Jeong-A;Kim, Jong-Tae
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.18 no.2
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    • pp.111-116
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    • 2007
  • A high power LED which is being used in many illumination applications as a new light source was simulated for its physical structure and then its optical properties were analyzed. To obtain accurate results from the designed LED model, properties of the die chip and reflector cup were varied. As a result, a high power LED model which has a radiation pattern of a Lambertian with its viewing angle of approximately $140^{\circ}$ and total included angle of $160^{\circ}$ was designed.

전기화학적증착법(ECD)을 사용해 형성한 성장 시간에 따른 Al-doped ZnO 나노결정체의 구조적 성질 및 광학적 성질

  • Chu, Dong-Hun;Kim, Gi-Hyeon;No, Yeong-Su;Lee, Dae-Uk;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.262.2-262.2
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    • 2013
  • ZnO는 광학적 및 전기적 성질의 여러 가지 장점 때문에 메모리, 나노발전기, 트랜지스터, 태양전지, 광탐지기 및 레이저와 같은 전자소자 및 광소자로 여러 분야에서 다양하게 사용되고 있다. Al이 도핑된 ZnO 나노결정체를 전기화학적 증착법을 이용하여 형성하고, 형성시간의 변화에 따른 구조적 및 광학적 성질을 관찰했다. ITO로 코팅된 유리 기판에 전기화학증착법을 이용해 Al 도핑된 ZnO를 성장시켰다. Sputtering, pulsed laser vapor deposition, 화학기상증착, atomic layer epitaxy, 전자빔증발법 등으로 Al 도핑된 ZnO 나노구조를 형성할 수 있지만, 본 연구에서는 간단한 공정과정, 저온증착, 고속, 저가의 특성 등으로 경제적인 면에서 효율적인 전기화학증착법을 이용했다. 반복실험을 통하여 Al의 도핑 농도는 Zn와 Al의 비율이 98:2이 되도록, ITO 양극과 Pt 음극의 전위차가 -2.25 V가 되도록 실험조건을 고정했고, 성장시간을 각각 1분, 5분, 10분으로 변화하였다. 주사전자현미경 사진을 보면 Al 도핑된 ZnO는 성장 시간이 증가함에 따라 나노구조의 직경이 커지는 것을 알 수 있다. 광루미네센스 측정 결과는 산소 공핍의 증가로 보이는 500~600 nm대의 파장에서 나타난 피크의 위치가 에너지가 큰 쪽으로 증가했다. 위 결과로부터 성장 시간에 따른 Al 도핑된 ZnO의 구조적 및 광학적 특성변화를 관찰했고, 이 연구 결과는 Al 도핑된 ZnO 나노구조 기반 전자소자 및 광소자에 응용 가능성을 보여주고 있다.

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다성분계 $TiO_2$-ITO 투명 전극의 고효율 인광 유기발광 다이오드 특성평가 연구

  • Im, Jong-Uk;Kim, Han-Gi
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.109.2-109.2
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    • 2012
  • 연구에서는 co-sputtering 시스템을 이용하여 아나타세 $TiO_2$의 도핑 농도 변화에 따른 다성분계 $TiO_2$-ITO (TITO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성 변화를 알아보고 고 효율을 가지는 인광 유기발광 다이오드를 제작 하였다. 상온에서 최적화된 다성분계 TITO 투명 전극의 급속 열처리 시 $600^{\circ}C$ 급속 열처리 조건에서 매우 낮은 18.06 ohm/sq.면저항, $5.1{\times}10^{-4}$ ohm-cm 비저항과 가시광선 영역 400~550 nm 에서 87.96 %이상의 높은 광학적 투과율과 4.71 eV의 일함수를 확보할 수 있었다. 또한TITO 박막을 양극으로 하여 OLED 소자를 제작한 후 그 성능을 평가하였다. 기존의 ITO 전극과 비교하면 다성분계 TITO 인광 유기 발광 다이오드의 quantum efficiencies (21.69 %)와 power efficiencies (90.92 lm/W)로 ITO 투명전극과 매우 유사함을 알 수 있었고 아나타세 $TiO_2$가 도핑된 TITO 투명 전극의 급속 열처리 공정에도 불구하고 매우 평탄한 표면을 나타냄을 SEM 이미지를 통하여 확인할 수 있었다. 이러한 TITO 투명 전극의 우수한 전기적, 광학적, 구조적 특성은 indium saving 투명 전극으로써 고가의 ITO 박막의 대치가능성을 나타낸다.

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Optical and Structural Characteristics of Europium Doped Organic-Inorganic Hybrid Film by Sol-Gel Process (졸겔 공정을 이용하여 Europium을 doping한 유기-무기 복합막의 광학적 및 구조적 특성)

  • 김진균;오동조;김유항;황진명
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.106-106
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    • 2003
  • 최근 집적형 광소자, 레이저 재료, 자료 저장 또는 통신 기술부문에서 제어된 광학적 성질을 갖는 유기-무기 나노 복합체를 만드는 연구가 많은 관심과 주목을 받고 있다. 유기물인 PEG는 대다수의 금속염을 고정시키는 용매 역할을 하는 polymer로써 액체와 같은 특징을 나타내며 무기물인 silica의 network는 순수한 PEG 시스템보다 좋은 기계적 물성을 나타내며, 투명한 물질을 얻을 수 있게 해 준다. 이에 본 연구에서는 SiO2-PEG의 matrix에 우수한 광학적 성질을 지닌 europium을 doping하여 유기-무기 나노 복합막을 합성하여 europium의 농도와 PEG 분자량에 따른 구조적 및 광학적 성질을 알아보고자 한다.

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The structure and optical properties of n-type and p-type porous silicon (n-type과 p-type 다공성 실리콘의 구조와 광학적 특성에 관한 연구)

  • 박현아;오재희;박동화;안화승;태원필;이종무
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.12 no.4
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    • pp.257-262
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    • 2003
  • The structure and optical properties of n-type and p-type porous silicon (PS) prepared by the chemical etching in the light and the dark, respectively, are reported in this paper. Microstructural features of the samples are mainly investigated by SEM, AFM XRDGI techniques. Also, their optical properties are investigated by photoluminescence (PL) and Fourier transform infrared absorption measurements. In the n-type PS, the room temperature photoluminescence is observed in a visible range from 500 nm to 650 nm in contrast to that in the blue region (400∼650 nm) in p-type PS. Further, semi-transparent Cu films in thickness range of ∼40 nm are deposited by rf-magnetron sputtering on PS to investigate the I-V characteristics of the samples.

Shallow Emitter형 태양전지 적용을 위한 In2O3:Sn 박막층 가변에 따른 광학적, 구조적 특성 변화에 대한 연구

  • Bong, Seong-Jae;Kim, Seon-Bo;An, Si-Hyeon;Park, Hyeong-Sik;Lee, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.349-349
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    • 2014
  • ITO는 결정질 실리콘 태양전지의 anti-reflection coating (ARC) 층으로써 적합한 물질이다. ARC layer로써 구조적, 전기적 그리고 광학적 최적 조건의 특성을 얻기 위해는 높은 figure of merit(FOM)를 가져야 하고 결정방향 제어를 해야 한다. 본 연구에서는 결정질 실리콘 태양전지에 가장 적합한 ITO ARC layer의 특성 찾기 위해 Radio frequency magnetron sputter를 이용하여 공정 조건가변 실험을 진행 하였으며 높은 FOM을 갖는 ITO 반사방지막을 shallow emitter형 결정질 실리콘 태양전지에 적용하였으며 ITO 박막은 shallow emitter층과 완벽한 ohmic 접합을 이루었다. ITO ARC layer를 적용한 Shallow emitter형 태양전지는 81.59%의 fill factor와 $35.52mA/cm^2$의 단락전류를 보이며 17.27%의 광변환 효율을 보였다.

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선택적 투과막에 이용 가능한 지르코니아 박막의 광학적 특성 평가

  • Bang, Gi-Su;Im, Jeong-Uk;Lee, Seung-Yun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.217.2-217.2
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    • 2013
  • 태양전지의 기본구조는 전면전극, 후면전극, 그리고 이들 사이에 위치하는 광흡수층으로 구성된다. 여기에 더하여 광흡수층에서 반사되거나 투과되는 빛 에너지의 손실을 줄이기 위해 윗면에는 반사방지막을, 아랫면에는 고반사막을 적용한다. 투명 태양전지의 경우 고반사막을 대신하여 선택적 투과막을 적용할 경우 변환효율을 향상 시킬 수 있다. 본 연구에서는 투명 태양전지의 구성물질로서 이용 가능한 선택적 투과 특성을 보이는 지르코니아 박막의 광학적 특성을 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 지르코니아 박막을 증착하고 두께에 따른 광학적 특성 및 표면 형상 변화를 관찰하였다. 투과율 및 반사율을 측정한 결과 지르코니아 박막의 투과율은 400 nm 이상의 파장에서 약 85% 이상의 양호한 값을 나타내었다. 반사율은 평균적으로 적외선 영역에서 약 35%의 수치를 나타내었다. 이러한 광학적 특성으로부터 지르코니아 박막은 선택적 투과막으로 적합한 물질이라는 결론을 얻을 수 있다.

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Development of the 3 Dimensional ZnO Nanostructures for the Highly Efficient Quantum Dot Sensitized Solar Cells

  • Kim, Hui-Jin;Yong, Gi-Jung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.672-672
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    • 2013
  • 본 연구에서는 수열합성법을 기반으로 한 3차원 ZnO 나노구조의 합성을 통해 효율적인 양자점 감응형 태양전지로의 응용을 하고 그 특성을 평가하였다. 기존의 1차원 ZnO 나노구조의 경우 높은 전자이동도와 구조적으로 얻을 수 있는 방향성 있는 전자의 효율적인 전달을 통해 효과적인 광전극으로 많은 관심을 받아왔다. 하지만 나노파티클 기반의 필름에 비해 표면적이 크게 떨어지기 때문에 효과적인 흡광이 어렵다는 단점이 존재하여 높은 효율특성을 내지는 못하였다. 본 연구에서는 이러한 단점을 극복하면서 기존 ZnO 나노선의 장점을 극대화 하기 위해 성장시킨 ZnO 나노선 위에 추가적으로 가지를 형성하여 표면적 향상과 효과적인 전자전달 특성을 얻고자 하였다. 3차원 ZnO 나노구조는citrate 계열의 capping agent의 첨가를 통한 수열 합성법을 통해 1차원의 ZnO 나노선 위에 nanosheet 형식의 가지를 형성하였고 이는 빛의 효과적인 산란특성 및 표면적 향상을 통한 CdS, CdSe의 양자점 증착량을 증가시키는 효과를 얻을 수 있었다. 이러한 태양전지의 소자 특성은 SEM, TEM을 통한 구조 특성평가 및 DRS, J-V curve 및 IPCE를 통한 광학적 특성평가를 통해 확인하였다.

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