Abstract
The structure and optical properties of n-type and p-type porous silicon (PS) prepared by the chemical etching in the light and the dark, respectively, are reported in this paper. Microstructural features of the samples are mainly investigated by SEM, AFM XRDGI techniques. Also, their optical properties are investigated by photoluminescence (PL) and Fourier transform infrared absorption measurements. In the n-type PS, the room temperature photoluminescence is observed in a visible range from 500 nm to 650 nm in contrast to that in the blue region (400∼650 nm) in p-type PS. Further, semi-transparent Cu films in thickness range of ∼40 nm are deposited by rf-magnetron sputtering on PS to investigate the I-V characteristics of the samples.
n-type과 p-type 다공성 실리콘 (PS)의 구조에 따른 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. 먼저 화학적 에칭에 의하여 다공성 실리콘 시편을 준비했다. 이 시편의 미세구조의 특징을 주로 SEM, AFM, XRD 분석에 의하여 관찰하였으며 그들의 광학적 화학적 특성을 PL과 FTIR을 통해 측정하였다. n-type다공성 실리콘의 상온 PL파장은 p-type 다공성 실리콘이 남색 영역 (400-650 nm)임에 반해 500-650 nm로 이동함을 알 수 있었다. 또한 PS층 위에 ∼40 nm 두께의 반투명한 Cu박막을 rf 스퍼터링법으로 증착하여 PS내의 pore를 Cu로 충전한 시편의 I-V 특성과 EL 특성을 관찰했다.
