• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.281-281
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• 2013

본 연구에서는 고출력 금속 인쇄회로기판(Metal PCB) 개발을 위해 절연층으로 양극산화막을 형성하고 이 절연층 위에 Screen Printing 법을 이용하여 Ag paste를 패턴 인쇄한 알루미늄 기판을 사용하였다. 이 기판 위에 무전해 방식으로 구리 박막을 성장시켜, 무전해 도금 조건이 구리 박막 성장에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 무전해 도금 시, pH 농도와 plating 온도를 변화시켜 이 변화에 따른 무전해 구리도금 박막의 물리적/전기적 특성을 비교 분석하여 무전해 도금에 의해 형성된 구리 박막과 기판과의 상관 관계도 비교 검토하였다. XRD (X-ray Diffraction), 광학현미경, FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope)등을 이용하여 성장된 구리 박막 및 기판의 결정성, 표면 및 단면 형상 등을 측정하였고, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 무전해 도금에 의한 Cu의 화학구조 및 불순물 상태를 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.83-84
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• 2007

Damascene 공정을 이용하여 80nm급의 trench 패턴 내에 구리 배선 형성을 위해 무전해 구리 도금법을 이용하였다. 화학 반응으로 진행되는 무전해 도금법에 의한 구리이온의 초미세 패턴 내 환원 과정에 구리 이온의 물질 전달과정이 구리 도금층의 표면 특성과 superconformality에 미치는 영향을 살펴보았다. 회전 전극에 고정된 칩의 회전 속도가 증가함에 따라 구리 도금층의 비저항이 감소하고, trench 내 균일 도금성이 향상되는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.87-88
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• 2007

무전해 구리 도금 공정에서 첨가제로 사용되는 HIQSA 화합물이 Damascene 공정을 이용한 60nm급 trench 패턴 내 무전해 구리 배선 형성 과정에 미치는 효과를 전기 화학적 기법과 광학적 기법을 이용하여 관찰하였다. HIQSA 농도별 open circuit potential의 변화를 관측한 결과, 3ppm 수준으로 첨가되었을 때, 무전해 도금 과정 중 가장 안정한 전위가 유지됨을 볼 수 있었다. 무전해 도금액 내 HIQSA 농도가 높아짐에 따라 구리 도금층의 두께는 지수적으로 감소하였으며, 표면의 결정 크기도 감소하였다. 60nm급 trench 내 무전해 구리 도금 시, 용액 내 침적 시간 60초가 무결함 superconformal copper filling을 얻기 위한 최적 시간이었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.133-134
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• 2013

본 연구는 비전도성 소재 상에 무전해 동도금(Electroless Copper)시 수행되는 씨앗층이나 촉매공정 없이 직접 구리 석출물을 얻는 방법 중 하나에 관한 연구이다. 실리콘 웨이퍼상에 확산방지를 위한 Ta 금속확산방지(Metal barrier)막층 형성 후 무전해 동도금에 침지 후 최소한의 전류를 인가한 결과 균일한 구리피막을 얻을 수 있었으며, 표면 및 단면 조직 분석결과 이를 확인할 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.45 no.4
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• pp.384-390
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• 2007

In this study, electroless plating of copper was performed on PET film by using the blend of supercritical $CO_2$ and plating solution. The optimum volumetric ratio of supercritical fluid and plating solution was found to be 1:9 and dispersion property was poor at $CO_2$ vol% langer than 10%. Electroless plating of copper was best at $25^{\circ}C$ and 15 MPa. Role of added supercritical $CO_2$ is not to increase solubility but to disperse and maintain Cu-particles as the 1st particles.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.1
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• pp.116-123
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• 1996

CVD와 무전해 도금법을 이용하여 TiN 기판상에 구리막을 성장시켰고 그 각각에 대해 증착조건에 따른 성장막의 morphology, 성장기구 및 비저항, 막의 치밀성 등의 물리적 특성을 조사하였다. CVD 증착막의 결정립 크기와 입간의 기공은 막두께에 비례하여 커지는 경향을 나타내었으며 비저항은 4.7$\mu$$\Omega$cm로 구리의 체적비저항값과 거의 비슷한 것으로 나타났다. 무전해 도금막은 초기에는 layer-by-layer mode로 나중에는 is-land growth mode로 성장하는 경향을 보였다. CVD구리막의 막질은 후열처리 분위기에 따라서도 상당한 차이를 보였다. CVD구리막의 막질은 후열처리 분위기에 따라서도 상당한 차이를 보였으며, 활성화 에너지로부터 35$0^{\circ}C$를 기준으로 증착기구가 변하는 것을 확인할 수 있었던 반면, 무전해 도금은 60-8$0^{\circ}C$의 온도 구간에서 증착기구는 변하지 않았으나 도금 온도가 높을수록 막표면이 거칠어지는 경향을 나타내었다. 7:1 BHF 에칭 실험의 결과 무전해도금에 의한 구리막에 비해 CVD구리막의 에칭속도가 더 빨랐으며 막질도 덜 치밀한 것으로 나타났다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.07a
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• pp.100-103
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• 2001

In this study, the adhesion and thermal property of the electroless-deposited Cu thin film were investigated. The multilayered structure of Cu/TaN/Si was fabricated by electroless-depositing the Cu thin layer on the TaN diffusion barrier which was deposited by MOCVD on the Si substrate. The thermal stability was investigated by measuring the resistivity as post-annealing temperature far the multilayered Cu/TaN/Si specimen which was annealed at Ar gas. The adhesion property of Cu 171ms was evaluated by the scratch test. The adhesion of the electroless-deposited Cu film was compared with other deposition methods of thermal evaporation and sputtering. The scratch test showed that the adhesion of electroless plated Cu film on TaN was better than those of sputtered Cu film and evaporated Cu film.

• Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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• 1998.10a
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• pp.497-500
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• 1998

고분자 물질에 처리하는 전자기파 차폐처리 방법으로서 무전해 도금법은 차폐 처리하고자 하는 매트릭스 표면에 균일한 금속 필름을 형성할 수 있으며 차폐효과가 크고 시료의 형태가 복잡하여도 응용 가능한 가공방법으로 알려져 있다. [1,2] 무전해 구리 도금의 경우, 도금용액 중에 포함되는 환원제의 산화반응에 의해 유리되는 전자에 의하여 금속이온을 환원함으로써 금속 피막을 석출시키며 이때 일어나는 반응 메카니즘은 다음과 같다. [3] (중략)

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.15 no.2
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• pp.17-21
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• 2008

The electroless plating of copper and tin were investigated for the fabrication of Sn-Cu bump. Copper and tin were electroless plated in series on $20{\mu}m$ diameter copper via to form approximately $10{\mu}m$ height bump. In electroless copper plating, acid cleaning and stabilizer addition promoted the selectivity of bath on the copper via. In electroless tin plating, the coating thickness of tin was less uniform relative to that of electroless copper, however the size of Sn-Cu bump were uniform after reflow process.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.55 no.2
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• pp.264-269
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• 2017

To improve heating characteristics of graphite fibers, graphite fibers were copper-plated by electroless plating. The Cu-plated graphite fibers were investigated by thermos-gravimetric analysis in air to calculate quantities of copper on surface of graphite fiber according to plating time. Also, the surface temperature with applied voltage was observed by thermos-graphic camera using a strand of graphite fiber. According to the increment of plating time, the higher quantities of plated copper on graphite fiber were obtained. The electric conductivity of plated graphite fiber for 20 minutes was resulted in 1594.3 S/cm, and surface temperature of this sample showed the maximum temperature $57.2^{\circ}C$. These result could be attributed that copper having great electric conductivity are growing on graphite fiber and followed improving heating characteristics.