MgO thin films with 1000 $\AA$ thickness were deposited on Cu substrates by using an electron gun evaporator at room temperature. A 1000 $\AA$ thick Al layer was deposited on the MgO for removing the charging effect of the MgO thin film during the measurements of the sputtering yields. A Ga ion liquid metal was used as the focused ion beam(FIB) source. The ion beam was focused by using double einzel lenses, and a deflector was employed to scan the ion beams into the MgO layer. Both currents of the secondary particle and the probe ion beam were measured, and they dramatically changed with varying the applied acceleration voltage of the source. The sputtering yield of the MgO layer was determined using the values of the analyzed probe current, the secondary particle current, and the net current. When the acceleration voltage of the FIB system was 15 kV, the sputtering yield of the MgO thin film was 0.30. The sputtering yield of the MgO thin film linearly increases with the acceleration voltage. These results indicate that the FIB system is promising for the measurements of the sputtering yield of the MgO thin film.
Journal of the Korea Institute of Building Construction
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v.23
no.4
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pp.393-404
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2023
This research evaluates the antibacterial and transparency properties of UV-curable paint augmented with 20wt% copper particles. The transparency assessment indicated that the paint maintained a total luminous transmittance of 90% or above, thereby matching or surpassing the performance of standard UV-curing paints. To further test its antibacterial capabilities, wooden flooring boards were coated with the UV-curable paint laced with 20wt% copper particles, which had been surface-modified with a silane coupling agent. Following the fatigue tests of these treated boards, an impressive bacterial reduction rate of 99.9% was noted after a span of 6 hours, demonstrating the paint's exceptional antibacterial performance.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.2
s.35
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pp.129-134
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2005
Electroplating copper is the important role in formation of 3D stacking interconnection in SiP (System in Package). The I-V characteristics curves are investigated at different electrolyte conditions. Inhibitor and accelerator are used simultaneously to investigate the effects of additives. Three different sizes of via are tested. All via were prepared with RIE (reactive ion etching) method. Via's diameter are 50, 75, $100{\mu}m$ and the height is $100{\mu}m$. Inside via, Ta was deposited for diffusion barrier and Cu was deposited fer seed layer using magnetron sputtering method. DC, pulse and pulse revere current are used in this study. With DC, via cannot be filled without defects. Pulse plating can improve the filling patterns however it cannot completely filled copper without defects. Via was filled completely without defects using pulse-reverse electroplating method.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2013.05a
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pp.68-69
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2013
금속 씨드 층(seed layer)을 직경 $10{\mu}m$, 깊이 $100{\mu}m$, 고종횡비 10:1 비아에 스퍼터링하였다. 금속 씨드 층의 두께는 스퍼터링 시간, 압력, 및 타겟파워를 변화하여 조절하였다. 금속 씨드층 스퍼터링 후 전기도금에 의해 구리 충전을 시도하였다. 비아의 고종횡비가 증가하면 비아 폭이 좁아져 비아의 하부층과 하단 측면 두께는 비아 상부 측면 두께만큼 충분하지 않아 문제가 될 수 있다. 스퍼터링 조건을 최적화 함으로써 씨드층의 특성을 높이고, 비아 홀 지름의 감소 속도를 줄일 수 있었다. 종래의 스퍼터링 방식을 이용하여 비아 입구의 opening percentage를 약 64%로 하고, 하부 씨드층 두께가 46.7 nm 인 금속 씨드층을 형성할 수 있었다. 이 씨드층 상에 전기도금으로 Cu filling을 성공적으로 할 수 있었다.
An, Jong-Hwan;Lee, Seok-Jun;Kim, Lee-Chul;Hong, Sang-Jeen
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.548-549
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2007
과거 PCB 제조의 주된 화제는 다양한 산업분야의 발전을 위해 한정된 시간 안에 좀 더 많은 PCB를 양산하는 기술 개발에 집중되어 있었지만, 현재는 비정상적인 공정 상태를 파악함으로써 제조 공정 환경에서의 오류를 줄여 전체 수률을 높이는 방법에 시선을 돌리고 있다. PCB 에칭의 경우 에칭 용액의 상태를 실시간으로 모니터링 하는 것이 중요하다. 본 논문에서는 기존 애칭용액의 상태를 판단할 때 사용되는 ORP 센서 대신, RGB 센서를 이용하여 실시간으로 용액의 상태를 모니터링 할 수 있는 시스템을 개발 하였다. 개발된 시스템을 이용하여 기존 ORP 시스템과의 비교 분석을 및 RGB 센서률 이용한 모니터링 방법이 ORP 센서를 이용한 방법 보다 좀 더 쉽고 정확하게 에칭 액의 상태를 모니터링할 수 있다는 것을 확인 하였다.
This study compared the correlation between the accumulated copper content in earthworms and the copper concentration rate of soil measured using several methods to extract heavy metals from soil. For the experiment, a microcosm soil test was carried out using copper contaminated soil from the vicinity of copper-roofed buildings and earthworms (Eisenia fetida). Soils from the study area were used to produce 6 treatments; control, 1C (contamination level with the lowest treated copper concentration rate), 2C, 4C, 8C, and 16C (contamination level with the highest treated copper concentration rate). Microcosm soil test using the 6 treatments proved that as the copper content in soil and the experiment time increased, the growth rate of and the accumulated copper concentration rate in earthworms increased as well. The degree of the increase corresponded to the order of the treated copper concentration levels in microcosm soils. Standard method of the ministry of environment and EPA method 3051 were used to obtain the copper concentration in soil and the total copper content in soil, respectively. The correlation coefficient (r) of 0.9875~0.9993 between the copper content extracted by the standard method and the total copper content shows high positive correlation. The correlation coefficient of the copper content in soil extracted by the standard method and the accumulated copper content in earthworms, and the correlation coefficient of the total copper content in soil and the accumulated copper content in earthworms were ranged from 0.9193 to 0.9728 and from 0.9282 to 0.9844, respectively, showing highly significant positive correlation. Due to the high correlation between the copper concentration in soil and the accumulated copper content in earthworms, it is concluded that earthworms are suitable to be used as biological indicator species or for bio-monitoring against copper contamination of soil.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.16
no.3
s.96
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pp.62-71
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1999
Integrating micro-machined sensors and actuators on the conventional devices with the copper power lines was incompatible to fabricate the mass produced micro electromechanical system (MEMS) devices. To achieve the compatibility of the wiring method between MEMS parts and devices, we developed the three-dimensional sputter-evaporation system that coats micropatterned thin copper films on the surface of the MEMS element. The system consists of a process chamber, two branch chambers, the substrate holder, and a linear-rotary motion feedthrough. Thin copper film was sputtered and evaporated on the biocompatible polymer, Pellethane$^{circed{R}}$ and silicone, catheter that is 2 mm in diameter and 700 mm in length. The metal film coating technique with three-dimensional thin film sputter-evaporation system was developed to apply the power and signal lines on the micro active endoscope. In this paper, we developed the three-dimensional metal film sputter-evaporation system operated on the low temperature for the biopolymeric substrates used in the medical MEMS devices.
Indium oxide ($In_2O_3$) single layer and $In_2O_3$/copper (Cu) bi-layer films were prepared on glass substrates by RF and DC magnetron sputtering without intentional substrate heating. In order to determine the effect of the Cu bottom layer on the optical, electrical and structural properties of $In_2O_3$ films, 3-nm-thick Cu film was deposited on the glass substrate prior to deposition of the $In_2O_3$ films. As-deposited $In_2O_3$ films had an optical transmittance of 79% in the visible wavelength region and a sheet resistance of 2,300 ${\Omega}/{\square}$, while the $In_2O_3$/Cu film had optical and electrical properties that were influenced by the Cu bottom layer. $In_2O_3$/Cu films had a lower sheet resistance of 110 ${\Omega}/{\square}$ and an optical transmittance of 71%. Based on the figure of merit, it can be concluded that the Cu bottom layer effectively increases the performance of $In_2O_3$ films for use as transparent conducting oxides in flexible display applications.
Polyimide (PI) surface modification was carried out by ion-beam treatment and silane-imidazole coupling agent to improve the adhesion between polyimide film and copper. Silane-imidazole coupling agent contains imidazole functional groups for the formation of a complex with copper metal through a coordination bonding and methoxy silane groups for the formation of siloxane polymers. The PI film surface was first treated by argon (Ar)/oxygen ($O_2$) ion-beam, followed by dipping it into a modified silane-imidazole coupling agent solution. The results of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra revealed that the $Ar/O_2$ plasma treatment formed oxygen functional groups such as hydroxyl and carbonyl groups on the polyimide film surface and confirmed that the PI surface was modified by a coupling reaction with imidazole-silane coupling agent. Adhesion between copper and the treated PI film by ion-beam and coupling agent was superior to that with untreated PI film. In addition, adhesion of PI film treated by an $Ar/O_2$ plasma to copper was better than that of PI film treated by a coupling agent. The peeled-off layers from the copper-PI film joint were completely different in chemical composition each other. The layer of PI film side showed similar C1s, N1s, O1s spectra to the original Upilex-S and no Si and Cu atoms appeared. On the other hand the layer of copper side showed different C1s and N1s spectra from the original PI film and many Si and Cu atoms appeared. This indicates that the failure occurs at an interface between the imidazole-silane and PI film layers rather than within the PI layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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