The morphological characteristics, carbon and nitrogen concentrations, stable isotope values and photosynthetic rates of Porphyra yezoensis were studied at the main purple lavers production areas on southwestern coast of Korea. The morphological characteristics of leaf length, leaf width and weight of Porphyra blades were between 11.6~16.3 (average 13.8) cm, 4.6~6.3 (average 5.4) cm, $1.1{\sim}2.6(average\;1.86)g\;DW\;m^{-2}$, respectively. Photosynthetic pigment of Chl a concentration of Porphyra blades was between $2.18{\sim}17.77(average\;9.65)mg\;DW\;Chl\;a\;m^{-2}$. Carbon and nitrogen concentrations of Porphyra blades was between $201{\sim}317(average\;240)mg\;DW\;g^{-1}$, $39.8{\sim}50.0(average\;43.5)mg\;DW\;g^{-1}$ and C/N ratio 5.0~6.7 (average 5.5). The range of average ${\delta}^{13}C$ and ${\delta}^{15}N$ values of Porphyra blades was between - 25.6 to - 24.0 (average - 24.7)‰ for ${\delta}^{13}C$, and 1.3 to 4.1 (average 2.1)‰ for ${\delta}^{15}N$. Photosynthetic characteristics of seaweeds measured by pulse amplitude modulation (PAM) fluorometry was used as an indicator of photosynthetic activity. We use Diving-PAM fluorometry to examine photosynthetic rates of the seaweeds Porphyra yezoensis at each station. Maximum quantum yield of Porphyra blades was between 0.46~0.55 (average 0.52), the variance of the effective PS II maximum quantum yield of the station was broadly similar. Maximum relative electron transport rate (rETRmax) of Porphyra blades was between $4.71{\sim}5.84(average\;5.33){\mu}mol\;electrons\;m^{-2}\;s^{-1}$, the changes of maximum relative electron transport rate (rETRmax) of Porphyra yezoensis were similar to those of PS II maximum quantum yield. Photosynthetic efficiency (${\alpha}$) was between 0.027~0.045 (average 0.036). Minimum saturating irradiance ($E_k$) range was $139{\sim}180(average\;156){\mu}mol\;photons\;m^{-2}\;s^{-1}$. Minimum saturating irradiance ($E_k$) made a difference by station within the area on southwestern coast. Carbon and nitrogen concentrations and photosynthetic rates of Porphyra blades production areas on southwestern coast were broadly similar. The photosynthetic characteristics showed low photosynthetic rates because the low maximum quantum yields and low maximum relative electron transport rate.
Kim, Kang Min;Jeong, Kyung Mi;Park, No-Kuk;Lee, Tae Jin;Kang, Misook
Clean Technology
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v.21
no.4
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pp.271-277
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2015
A photocatalyst which mixed by the commercialized P25-TiO2 and a synthesized AgxO was used in an appropriate weight ratio to effectively produce hydrogen gas in this study. The AgxOs were synthesized with the conventional sol-gel method, and tetramethylammonium hydroxides were added at the synthesis process in order to stabilize the solutions, and then the solutions were heat-treated at the temperatures of -5, 25, and 50 ℃, resulted to obtain the three types of silver oxides. Physicochemical properties of the synthesized AgxOs were identified through X-ray diffraction analysis (XRD), scanning emission microscopy (SEM), ultraviolet-visible spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In the photolysis results of water/methanol (weight ratio 1:1) solution, the mixture of P25-TiO2/AgxO exhibited a significantly higher hydrogen gases evolution, compared to that of pure P25-TiO2. Additionally, the addition of H2O2 as an supplement oxidant and in AgxO synthesized at 50 ℃ improved the hydrogen production efficiency. In particular, the emitted hydrogen gases reached to 13,000 μmol during 8 hours when a mixed catalyst, AgxO of 0.1 g and P25-TiO2 of 0.9 g, were used.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.161-161
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2010
InAsSb alloy system 은 HgCdTe 를 대체하는 적외선 광소자 및 검출기 등에 응용이 가능한 유망한 물질이지만 정확한 유전함수 및 전이점의 연구는 미흡한 실정이다. 본 연구에서는 타원 편광 분석법을 이용하여 1.5 ~ 6 eV 의 분광 영역에서 As 조성비를 각기 (x = 0, 0.127, 0.337, 0.491, 0.726 및 1.00) 다르게 한 $InAs_xSb_{1-x}$ alloy의 유전함수를 측정하였다. 또한 표면에 자연산화막을 제거하기 위하여 Methanol 과 DI Water 로 표면을 세척 한 후 $NH_4OH$, Br in Methanol, HCl 등으로 적절한 화학적 에칭을 하여 산화막을 제거함으로서 순수한 InAsSb 의 유전함수를 측정할 수 있었다. 측정된 InAsSb 유전함수를 Standard analytic critical point line shape 방법으로 As 조성비에 따른 에너지 전이점을 얻을 수 있었다. 또한 얻어진 에너지 전이점 값을 이용하여 linear augmented Slater-type orbital 방법으로 전자 밴드 구조 계산을 하였고, 이를 바탕으로 $E_0$, $E_1$, $E_2$ 전이점 지역의 여러 전이점 ($E_1$, $E_1+\Delta_1$, $E_0'$, $E_0'+\Delta_0'$, $E_2$, $E_2+\Delta_2$, $E_2'$, $E_2'+\Delta_2$, $E_1'$) 의 특성을 정확히 정의할 수 있었다. 또한 As 조성비가 증가하면서 $E_2$, $E_2+\Delta_2$, $E_2'$, $E_2'+\Delta_2$ 전이점들이 서로 교차 되는 것을 발견하였고, 저온에서만 관측이 가능하였던 InSb 의 두 saddle-point (${\Delta_5}^{cu}-{\Delta_5}^{vu}$, ${\Delta_5}^{cl}-{\Delta_5}^{vu}$)를 상온에서 찾아내었다. 타원 편광 분석법을 이용한 전이점 연구 및 물성 분석은 InAsSb alloy 의 광학적 데이터베이스를 확보하는 성과와 더불어 새로운 디바이스기술 및 광통신 산업에도 유용한 정보가 될 것이다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.140-140
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2016
유기전계발광소자 (Organic Light Emitting Diode : OLED)는 보조광원이 필요 없고 천연색 표현이 가능하며, 낮은 소비 전력 및 저전압 구동 등의 장점으로 이상적인 디스플레이 구현이 가능하여 차세대 디스플레이로써 많은 이목을 끌고 있으나 제한된 수명과 안정성의 문제점을 안고 있다. 따라서 OLED의 열화 원인을 분석하고 수명을 연장하기 위한 체계적인 방법과 기술 개발이 중요하다. Impedance Spectroscopy는 이온, 반도체, 절연체 등의 벌크 또는 계면 영역의 전하 이동을 조사하는데 사용될 수 있어, OLED에서도 Impedance Spectroscopy를 이용하여 전하수송과 전자주입 메커니즘 등 폭넓은 전기적 정보를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 Impedance Spectroscopy를 이용하여 경과시간에 따른 OLED의 임피던스 특성을 측정하여 열화 메커니즘을 분석하였다. 본 연구에서 OLED는 ITO / 2-TNATA (4,4,4-tris2-naphthylphenyl-aminotriphenylamine) / NPB (N,N'-bis-(1-naphyl)-N, N'-diphenyl-1,1'- biphenyl-4,4'-diamine) / Alq3 (tris(quinolin-8-olato) aluminum) / Liq / Al으로 구성된 녹색 형광 OLED를 제작하였다. OLED의 전계 발광 특성을 측정하기 위한 전원 인가장치로 Keithley 2400을 사용하여 전압과 전류를 인가하였고, 소자에서 발광된 휘도 및 발광 스펙트럼은 Photo Research사의 PR-650 Spectrascan을 사용하여 암실 환경에서 측정하였다. 임피던스 스펙트럼은 컴퓨터 제어 프로그래밍이 가능한 KEYSIGHT사의 E4990A를 사용하여 측정하였다. 임피던스 측정 전압은 0 V부터 2 V 간격으로 8 V까지, 주파수는 20 Hz에서 2 kHz의 범위로 설정하여 측정하였다. I-V-L과 임피던스 특성은 24 시간의 간격을 두고 실온에서 측정하였다. 그림은 경과시간에 따른 녹색 형광 OLED의 인가전압 2 V, 6 V의 Cole-Cole plot을 나타낸 것이다. 문턱전압 미만인 인가전압 2 V에서는 소자를 통하여 전류가 흐르지 않아 큰 반원 형태를 나타내었고, 시간이 경과함에 따라 소자 제작 직후엔 실수 임피던스의 최댓값이 $8982.6{\Omega}$에서 480 시간 경과 후엔 $9840{\Omega}$으로 약간 증가하였다. 문턱전압 이상인 인가전압 6 V에서는 소자 제작 직후 실수 임피던스의 최댓값이 $108.2{\Omega}$으로 작은 반원 형태를 나타내나 시간이 경과함에 따라 방사형으로 증가하는 것을 확인 할 수 있었고, 672 시간 경과 후엔 실수 임피던스의 최댓값이 $9126.9{\Omega}$으로 문턱 전압 미만 일 때와 유사한 결과를 나타내었다. 이러한 임피던스의 증가 현상은 시간이 경과함에 따라 OLED의 열화에 의한 것으로 판단된다.
We have investigated the characteristics of $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$/GaN heterostructures with and without low-temperature (LT) AlN interlayer grown by metalorganic chemical vapor deposition. The structural and optical properties were systematically studied by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), X-ray diffraction (XRD), optical microscopy (OMS), scanning electron microscopy (SEM), and photoluminescence (PL). The Al content (x) of 55% and the structural properties of $Al_xGa_{1-x}N$/GaN heterostructures were investigated by using RBS and XRD, respectively. We carried out OMS and SEM experiments and obtained a decrease of the crack network in $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$ layer with LT-AlN interlayer. A two-dimensional electron gas (2DEG)-related PL peak located at ${\sim}3.437eV$ was observed at 10 K for $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$/GaN with LT-AlN interlayer. The 2DEG-related emission intensity gradually decreased with increasing temperature and disappeared at temperatures around 100 K. In addition, with increasing the excitation power above 3.0 mW, two 2DEG-related PL peaks were observed at ${\sim}3.411$ and ${\sim}3.437eV$. The observed lower-energy and higher-energy side 2DEG peaks were attributed to the transitions from the sub-band level and the Fermi energy level of 2DEG at the AlGaN/LT-AlN/GaN heterointerface, respectively.
Indium Tin Oxide (ITO) thin films were prepared by RF magnetron sputtering with different flow rates of $O_2$ gas from 0 to 12 sccm. Electrical and optical properties of these films were characterized and analyzed. ITO deposited on soda lime glass and RF power was 2 kW, frequency was 13.56 MHz, and working pressure was $1.0{\times}10^{-3}$ Torr, Ar gas was fixed at 1,000 sccm. The transmittance was measured at 300~1,100 nm ranges by using Photovoltaic analysis system. Electrical properties were measured by Hall measurement system. ITO thin films surface were measured by Scanning electron microscope. Atomic force microscope surface roughness scan for ITO thin films. ITO thin films secondary electron emission coefficient(${\gamma}$) was measured by ${\gamma}$-Focused ion beam. The resistivity is about $2.4{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ and the weighted average transmittance is about 84.93% at 3 sccm oxygen flow rate. Also, we investigated Work-function of ITO thin films by using Auger neutralization mechanism according to secondary electron emission coefficient(${\gamma}$) values. We confirmed secondary electron emission peak at 3 sccm oxygen flow rate.
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.33
no.2
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pp.385-390
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2016
In our study, ceramics coatings by additives of nano alumina and magnesia have cured on 304 stainless steel at $170^{\circ}C$ 2h. We designed and experimented the coated specimens that were characterized by laser induced fluorescence spectroscopy using the charge coupled device and scanning electronic microscopy(SEM). The result was revealed the ceramic coatings added fillers has more excellent on adhesive property and scratch resistance, and less weight loss in acid solution than ceramic coatings non-added fillers. Therefore, this study has designed and manufactured the electromagnetic spectrometry with CCD and then analyzed the coatings on 304 stainless steel using the High Resolution Charge Coupled Device in improving the corrosion resistance of 304 stainless steel. Nowadays, coatings of stainless steel have increased by industrial demand in hygienes, aviation, instrumentations and robotics as the industry special application develops.
Kim, Yeong-Hun;Park, Jun-Gyun;Jeong, Yeong-Jong;No, Yong-Han
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.237.1-237.1
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2015
OLED의 낮은 외부 광자 효율 문제를 해결하기 위해서는 발광층은 물론 전극 재료에 대한 연구가 함께 진행되어야 한다. 최근 플렉서블 디스플레이(Flexible Display) 분야에서 투명전극(Transparent Electrode)은 큰 주목을 받고 있다. 기존 전자소자의 투명전극으로는 인듐산화물(ITO, Indium Tin Oxide)이 널리 사용되어 왔으나, ITO의 주원료인 인듐(Indium)은 희소성으로 인해 앞으로 30년 후에 고갈될 것으로 예상되어 ITO를 대체할만한 투명전극 재료가 필요하게 되었다. 인듐이 포함되지 않은(Indium-free) 투명전극을 개발하려는 많은 연구들이 진행 중인데, 본 연구에서는 PEN(Polyethylene Naphthalate) 유연기판 상에 그래핀(Graphene)을 투명전극으로 구현하여 OLED의 효율을 높이는데 이용하고자 하였다. 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 Cu 호일 위에 그래핀을 성장시킨 후 PEN 유연기판에 전사하여 그래핀 투명전극을 구현하면서 그래핀 성장층을 단층 또는 다층으로 구분하여 성장시켜 각각의 투명전극을 구현해보았다. 유연기판 상의 그래핀의 상태를 확인하기 위해 라만 분광(Raman Spectroscopy) 분석을 이용하여 그래핀 고유의 라만 꼭지점(Raman peak)인 G 꼭지점(G peak: 1580 cm-1), 2D 꼭지점(2D peak: ~2700 cm-1)을 확인하였는데 그래핀 전사 상태가 양호하여 D 꼭지점(D peak: ~1360 cm-1)은 나타나지 않았다. 원자힘 현미경(AFM, Atomic Force Microscope) 분석을 통해 다층 및 단층 그래핀 표면의 거칠기(Roughness) 및 두께(Thickness)를 각각 확인할 수 있었고 자외선-가시광선 분광법(UV-Visible Spectroscopy) 분석으로 그래핀 투명전극과 유연기판의 투과도(Transmittance)를 분석하였으며, 단층 그래핀 투과도가 90%수준의 높은 값이 나타나 ITO보다 개선됨을 확인하였다. 그래핀 면저항은 TLM(Transmission Line Measurement)법을 통해 측정하였는데, 단층 그래핀의 경우 $800{\Omega}/{\square}$ 내외 수준임을 확인할 수 있었다. 본 연구에서는 근자외선 영역에서 높은 투과도와 우수한 전기적 특성을 가지는 그래핀 투명 전도성 전극 구조를 제안하고, 나아가 가시영역에서 ITO를 대체할 수 있는 투명 전도성 전극 물질을 개발함으로써 발광다이오드의 광효율을 높일 수 있는 투명 전도성 전극을 구현하였다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.24
no.3
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pp.94-98
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2014
$LiCoO_2$ thin film has received diverse attention as cathodes material of thin-film micro-batteries. In this study, $LiCoO_2$ thin films were synthesized on Au substrates by sol-gel spin coating method and an annealing process. Their structures were studied using X-ray diffraction and Raman Spectroscopy. The particle morphologies of these thin films were observed by Scaning electron microscope. From the results of X-ray diffractometry and Raman Spectroscopy analyses, it was found that as-grown films had the structure of spinel (LT-$LiCoO_2$) and layered-Rock-salt (HT-$LiCoO_2$) at $550^{\circ}C$ and $750^{\circ}C$ respectively. The annealed films at $650^{\circ}C$ were presumed to be the mixed state of these two types. Throlugh the scanning electron microscope, It was estimated that the particle size in as-grown films at $750^{\circ}C$, were larger crystilline particle than in those at the other lower temperature and well distributed in the film.
In this work, the surface of gold nanoparticles (AuNPs) was modified with small molecules including mercaptoundecanoic acid (MUA) and L-lysine for the development of highly sensitive lateral flow (LF) sensors. Uniformly sized AuNps were synthesized by a modified Turkevich-Frens method, showing an average size of $16.7{\pm}2.1nm$. Functionalized AuNPs were then characterized by transmission electron microscopy, UV-vis spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and Fourier transform infrared spectroscopy. The stable conjugation of AuNPs and antibodies was obtained at pH 7.07 and the antibody concentration of $10{\mu}g/mL$. The functionalized AuNP-based LF sensor exhibited lower detection limit of 10 ng/mL for hepatitis B surface antigens than that of using the bare AuNP-based LF sensor (100 ng/mL).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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