• 미생물학회지
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• 제52권4호
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• pp.398-405
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• 2016

이전의 연구에서, bacterioferritin comigratory protein (BCP)을 인코딩하는 Schizosaccharomyces pombe의 구조유전자를 shuttle vector인 pRS316에 클로닝하여 BCP 과잉발현 플라즈미드인 pBCP10을 제조한 바 있다. 본 연구에서는, 플라즈미드 pBCP10을 사용하여 고온 스트레스에 대한 BCP의 열저항적 성질을 평가하였다. 대수기의 초기까지 성장시킨 S. pombe 세포의 배양 온도를 $30^{\circ}C$에서 $37^{\circ}C$나 $42^{\circ}C$로 전이시키는 경우, pBCP10 함유 S. pombe 세포가 벡터 대조 세포보다 $37^{\circ}C$와 $42^{\circ}C$ 모두에서 유의하기 더 잘 성장하였다. 높은 배양 온도로 전이한 뒤 6시간에서, pBCP10 함유 S. pombe 세포가 벡터 대조 세포보다 낮은 활성산소종(ROS)과 일산화질소(NO)의 지표로 측정된 아질산염(nitrite) 함량을 갖고 있음이 확인되었다. 온도 전이 뒤에, 총 글루타치온(total glutathione) 함량과 총 수퍼옥사이드 디스뮤타제(superoxide dismutase) 활성은 대응되는 벡터 대조 세포보다 pBCP10 함유 S. pombe 세포에서 현저하게 높다는 사실도 확인되었다. 종합하면, S. pombe BCP는 열저항적 역할을 보유하는 데, 활성산소종과 일산화질소에 대한 하강시키는 활성과 총 글루타치온과 수퍼옥사이드 디스뮤타제 등의 항산화 성분들을 상승시키는 활성, 즉 종합적으로 열안정성을 유지하는 활성에 근거하는 것으로 추정되었다

• 한국세라믹학회지
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• 제39권5호
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• pp.479-483
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• 2002

저온($320^{\circ}$C)에서 $SiH_4$와 $N_2O$ 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 $SiO_2$ 후막을 제조하였으며, 공정변수로는 $N_2O/SiH_4$ 유량비와 RF power에 변화를 주었다. 증착된 시편은 $N_2$ 분위기의 열처리로에서 $1050{\circ}$에서 2시간동안 열처리하였다. $N_2O/SiH_4$ 유량비가 증가함에 따라 증착속도는 $9.4~2.9{\mu}m /h$까지 감소하였으며, RF power가 증가함에 따라 증착속도는 $4.7~6.9{\mu}m /h$까지 증가하였다. 두께 및 굴절률은 Prism Coupler를 이용하여 분석하였다. 화학적 성질 및 구조적 성질은 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS)와 Fourier Transform-Infrared Spectroscopy(FT-IR)를 이용하여 분석하였으며, Scanning Electron Microscopy(SEM)를 이용하여 시편의 단면을 관찰하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권2호
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• pp.136-142
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• 2004

출발물질로 zinc acetate dihydrate(Zn($CH_3$COO)$_2$$.$2$H_2O$)를 사용하였고, 이 물질을 isopropanol(($CH_3$)$_2$CHOH)-monoethanolamine(MEA:H$_2$NCH$_2$C$H_2O$H) 용액에 용해하여 균일하고 안정한 sol을 만들었다. Sol-gel spin-coating 법에 의해 ZnO 박막을 제조시 예열 온도에 따른 박막의 c-축 배향성과 그 물리적 특성을 조사하였다. c-축으로의 성장은 예열 온도의 변화에 따라 차이를 보였으며. 275$^{\circ}C$에서 예열 후 $650^{\circ}C$에서 최종 열처리한 ZnO 박막은 XRD 측정결과 기판에 수직한 (002) 방향으로 강한 배향성을 나타내었다 200∼30$0^{\circ}C$에서 예열 후, $650^{\circ}C$에서 최종 열처리한 ZnO 박막은 UV-vis측정결과 가시광선 영역에서 온도에 따른 투과도의 변화를 보이지만 평균 85% 이상의 높은 투과도를 보였다. 또한 370nm 부근에서 흡수단을 나타내었으며, 광학적 밴드갭은 약 3.22 eV로 나타났다. 발광방출(PL) 측정결과, 황색(620nm, 2.0 eV)발광이 관찰되어, 무기발광 소자로의 응용 가능성을 나타내었다.

• 한국식품과학회지
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• 제28권4호
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• pp.624-631
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• 1996

가정용 냉장고의 제상 횟수와 제상에 따른 온도 상승이 냉동식품의 품질에 미치는 영향을 조사하기 위하여, 육류, 생선, 과일 및 아이스크림을 냉동실에 저장하면서 품질변화를 측정하였다. 냉동실의 제상 주기가 16시간 정도이고, 제상시 온도는 $-5^{\circ}C$로 상승하는 기존의 일반 냉장고와, 제상주기가 30시간 정도이고 제상시 온도는 $-15^{\circ}C$로 조절되어 제조된 냉동실에서의 품질변화를 비교하였다. 냉동저장 중에 일어난 육류와 생선의 단백질 변성 정도와 육즙의 생성율 및 육류의 색깔 변화 정도는, 제상 주기가 짧고 온도 상승폭이 보다 큰 기존의 냉동실에서 변화가 훨씬 심한 것으로 나타났다. 냉동저장 중 얼음의 재결정화로 인한 조직의 파괴 정도와 얼음 결정의 크기를 광학현미경과 전자현미경으로 각각 관찰한 결과, 온도 변동이 심할 경우 육류의 조직이 더욱 많이 파괴되었고, 아이스크림에서는 얼음 결정이 훨씬 커진 것을 알 수 있었다. 시간-온도 지시계에 의한 냉동실의 저장 효과를 비교한 결과 위에 서 측정한 품질변화 속도와 잘 일치하였다. 따라서 냉동실의 제상 주기를 길게 하고 제상시 온도 상승폭을 줄인다면 가정용 냉장고에서 유발되는 냉동식품의 2차적인 품질 저하를 크게 감소시킬 수 있음을 알았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권6호
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• pp.313-318
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• 2017

본 연구에서는 가스터빈용 Co계 합금인 ECY768 as-cast 합금 시편의 melt/mold 온도에 따른 결정구조 및 미세조직 및 변화를 고찰하였다. As-cast ECY768 샘플들은 전반적으로 amorphous 특성을 보여주고 있으며 기지인 Co상과 금속탄화물상으로 구성되어 있음을 확인하였으며, mold의 온도에 따른 XRD 패턴에서의 결정성 변화를 고찰하였다. 광학현미경(OM)을 이용하여 as-cast 샘플들의 결정립계에 석출물을 관찰하였다. 또한 FE-SEM에 의한 미세구조 분석시 Co기지상과 금속 탄화물의 석출물이 발견되는 영역이 관찰하였으며 EDS 분석에 의해 금속과 탄소의 화학양론이 확연히 다른 $M_{23}C_6$ 및 MC-type 조직으로 확인할 수 있었다. 여기서 $M_{23}C_6-type$의 탄화물은 Cr 원소를 주성분으로 하는 것을 확인할 수 있었으며, MC-type 탄화물은 Ta 원소가 주성분임을 확인할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권1호
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• pp.79-87
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• 1997

졸-겔 스핀코팅법을 이용하여 VDT 기판에 반사방지 및 정전기방지 복층막을 코팅하고 코팅졸과 겔분말의 특성 및 코팅막의 전기적, 광학적, 기계적 특성을 조사하였다. 1층막은 복층막의 간섭조건을 만족시키는 굴절율을 얻기위해 투명 전도성 재료인 ATO(Antimony doped Tin Oxide) 졸과 SiO2 졸을 몰비 68:32로 혼합한 ATO-SiO2 복합졸을, 2층막에는 저굴절율의 SiO2 졸을 사용하였다. 각 코팅막을 45$0^{\circ}C$에서 30분간 열처리하였을 때 잔류 유기물은 완전히 제거되었다. ATO막의 표면저항은 3mol%의 Sb 첨가시 약 6$\times$107$\Omega$/$\square$로 최소를 나타내었고 SiO2 졸과의 혼합시 약 30mol% 까지는 표면저항이 완만히 증가하다가 그 이후에는 급격히 증가하는 경향을 나타내었으며, 간섭조건을 만족시키는 조성인 32mol%에서는 약 3$\times$108$\Omega$/$\square$를 나타내었다. 복층막의 반사율은 550nm의 기준파장에서 약 0.64%를 나타내었으며 광투과율은 약 3.20% 증가하였다. 복층막의 미소경도는 약 471.4kg.f/mm2로 코팅하지 않은 VDT기판의 경도와 유사한 값을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.348-348
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• 2014

차세대 디스플레이 구동 회로 소자를 위한 재료로서, Amorphous Oxide Semiconductor (AOS)가 주목받고 있다. AOS는 기존의 Amorphous Silicon과 비교하여 뛰어난 이동도를 가지고 있으며, 넓은 밴드 갭에 의한 투명한 광학적 특성을 가지고 있다. 이러한 장점을 이용하여, AOS 박막은 thin film transistor (TFT)의 active channel로 이용 되고 있다. 하지만, AOS를 이용한 TFT의 경우, 시간이 경과함에 따라 $O_2$ 및 $H_2O$ 흡착에 의해 전기적 특성이 변하는 현상이 있다. 이러한 현상은 소자의 신뢰성에 있어 중요한 문제가 된다. 이러한 문제를 연구하기 위해 본 논문에서는, AOS 박막을 이용하여 bottom 게이트형 TFT를 제작하였다. 이를 위해 먼저, p-type Si 위에 건식산화방식으로 $SiO_2$(100 nm)를 성장시켜 게이트 산화막으로 이용하였다. 그리고 Zn과 Sn이 1: 2의 조성비를 가진 ZnSnO (ZTO) 용액을 제조한 후, 게이트 산화막 위에 spin coating 하였다. Splin coating된 용액에 남아 있는 솔벤트를 제거하기 위해 10분 동안 $230^{\circ}C$로 열처리를 한 후, 포토리소그래피와 에칭 공정을 이용하여 ZTO active channel을 형성하였다. 그 후, 박막 내에 남아 있는 불순물을 제거하고 ZTO TFT의 전기적인 특성을 향상시키기 위하여, $600^{\circ}C$의 열처리를 30분 동안 진행 하여 junctionless형 TFT 제작을 완료 하였다. 제작된 소자의 시간 경과에 따른 열화를 확인하기 위하여, 대기 중에서 2시간마다 HP-4156B 장비를 이용하여 전기적인 특성을 확인 하였으며, 이러한 열화는 후처리 공정을 통하여 회복시킬 수 있었다. 열화의 회복을 위한 후처리 공정으로, 퍼니스를 이용한 고온에서의 열처리와 microwave를 이용하여 저온 처리를 이용하였다. 결과적으로, TFT는 소자가 제작된 이후, 시간에 경과함에 따라서 on/off ratio가 감소하여 열화되는 경향을 보여 주었다. 이러한 현상은, TFT 소자의 ZTO back-channel에 대기 중에 있는 $O_2$ 및 $H_2O$의 분자의 물리적인 흡착으로 인한 것으로 보인다. 그리고 추가적인 후처리 공정들에 통해서, 다시 on/off ratio가 회복 되는 현상을 확인 하였다. 이러한 추가적인 후처리 공정은, 열화된 소자에 퍼니스에 의한 고온에서의 장시간 열처리, microwave를 이용한 저온에서 장시간 열처리, 그리고 microwave를 이용한 저온에서의 단 시간 처리를 수행 하였으며, 모든 소자에서 성공적으로 열화 되었던 전기적 특성이 회복됨을 확인 할 수 있었다. 이러한 결과는, 저온임에도 불구하고, microwave를 이용함으로 인하여, 물리적으로 흡착된 $O_2$ 및 $H_2O$가 짧은 시간 안에 ZTO TFT의 back-channel로부터 탈착이 가능함과 동시에 소자의 특성을 회복 가능 함 의미한다.

• 한국균학회지
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• 제14권3호
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• pp.215-223
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• 1986

원형질체(原形質體)를 이용한 버섯의 육종연구(育種硏究)를 하는데 있어서 원형질체(原形質體) 재생(再生) 및 환원(還元)은 필수적인 과정이라고 할 수 있다. 식용(食用)버섯의 일종(一種)인 P. cornucopiae 노랑 느타리버섯의 원형질체(原形質體) 재생(再生)에 적합한 제조건(諸條件)에 대해서 조사한 바를 요약하면 다음과 같다. 원형질체(原形質體) 재생(再生)에 적합한 삼투압 조절제(調節劑)와 농도(濃度)는 0.6M sucrose로 MCM에서 5.21%의 높은 재생률(再生率)을 보였고, agar를 포함하지 않은 0.6M sucrose 삼투압 조절제(調節劑)나 0.6M液 sucrose+MMM 체배지(體培地)만을 overlaying한 경우에 재생률(再生率)이 높았다. 노랑 느타리버섯의 균사(菌絲) 생장(生長)을 촉진시킨 아미노산, 핵산 구성 성분의 종류(種類)와 원형질체(原形質體) 재생률(再生率)을 증가시킨 종류(種類)는 유사하며 큰 차이가 없었으나 비타민에서는 다소 다른 경향을 나타냈다. 재생률(再生率)을 증가시킨 영양원(營養源)들을 혼합했을 때 무첨가 배지 MMM에 비해 아미노산 혼합, 핵산 구성 성분 혼합에서는 재생률(再生率)이 증가했으며 비타민 혼합에서는 오히려 감소하였고 아미노산, 핵산 구성 성분, 비타민 모두가 첨가된 데서 가장 높은 재생률(再生率)을 나타냈다. 고체(固體) 배지(培地)에서 원형질체(原形質體)가 $1{\sim}2$일 배양(培養)되었을 때 광학 현미경하에서 재생(再生) 형태(形態)를 첫째, one or two directgerm tube, 둘째, bud like structure, 세째, yeast-likecell chain, 네째는 한 원형질체(原形質體)에서 direct germ tube와 yeast-like cell chain을 형성하는 형태를 관찰할 수 있었으며 $3{\sim}4$일 배양(培養)때는 균사(菌絲)가 branch를 형성하며 성장하였고 결국 완전한 균사체(菌絲體)로 되어 노랑 느타리 자실체(子實體)를 형성하였다.

• 한국진공학회지
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• 제22권2호
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• pp.79-85
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• 2013

희토류 이온 $Eu^{3+}$와 $Dy^{3+}$가 각각 도핑된 $CaMoO_4$ 광체 분말을 고상반응법으로 합성하였다. 모든 형광체 분말의 결정 구조는 활성제 이온의 종류와 농도비에 관계없이 주 회절 피크(112)를 갖는 정방 정계이었다. $Eu^{3+}$ 이온이 도핑된 형광체의 경우에, $Eu^{3+}$ 이온의 농도가 0.01~0.10 mol 영역에서 결정 입자의 크기는 전반적으로 증가하였고, 비교적 균일한 크기 분포를 가지면서 조약돌 형태를 나타내었으며, 흡광 스펙트럼은 311 nm를 정점으로 넓게 퍼져있는 전하 전달 밴드와 파장 영역 360~470nm에서 약한 피크를 갖는 다수의 흡수선이 관측되었으며, 주 발광 스펙트럼은 $Eu^{3+}$ 이온의 $^5D_0{\rightarrow}^7F_2$ 전이에 의한 618 nm에 피크를 갖는 강한 적색 발광이었다. $Dy^{3+}$ 이온이 도핑된 분말의 경우에, 흡광 스펙트럼은 303 nm에 피크를 갖는 전하 전달 밴드와 상대적으로 세기가 약한 다수의 $Dy^{3+}$ 이온의 전이 신호가 발생하였으며, 주 발광 스펙트럼은 $^4F_{9/2}{\rightarrow}^7H_{13/2}$ 전이에 의한 578 nm에 피크를 갖는 황색 발광 스펙트럼이 관측되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.358-359
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• 2012

최근 분극 특성이 상이한 무분극 GaN 에피성장에 관한 심도 있는 연구와 함께 전자-전공 캐리어의 주입 및 캐리어의 거동, 방출되는 편광 특성 및 다양한 물리적 특성들에 대해 보고되고 있으며, 광학적 특성 및 물리적 특성의 확보를 위한 많은 연구가 활발히 진행 중이다 [1]. GaN의 ohmic 접촉(ohmic contact)의 형성은 발광 다이오드(light emitting diode), 레이저 다이오드(Laser), 태양전지(solar cell)와 같은 고신뢰도, 고효율 광전자 소자를 제조하기 위해서는 매우 중요하다 [2]. 그러나 이와 함께 병행 되어야 할 무분극 p-GaN 의 ohmic contact에 관한 연구는 많이 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 본 논문에서는 r-plane 사파이어 기판 상에 성장된 p-GaN에서의 ohmic 접촉 형성 연구를 위하여 Ni/Au ohmic 전극의 접촉저항 특성을 연구하였다. 본 실험에서는 성장된 a-plane GaN의 Hole농도가 $3.09{\times}1017cm3$ 인 시편을 사용하였다. E-beam evaporation 장비를 이용하여 Ni/Au를 각각 20 nm 그리고80 nm 증착 하였으며 비접촉저항을 측정하기 위해 Circle-Transfer Length Method (C-TLM) 패턴을 사용하였다. 샘플은 RTA (Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 $300^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도를 변화시키며 전기적 특성을 비교하여 그림 1(a) 나타내었다. 그림에서 알 수 있듯이 $400^{\circ}C$에서 가장 낮은 비접촉저항 값인 $6.95{\times}10-3{\Omega}cm2$를 얻을 수 있음을 발견하였다. 이 때의 I-V curve 도 그림1(b)에 나타낸 바와 같이 열처리에 의해 크게 향상됨을 알 수 있다. 그러나, $500^{\circ}C$ 이상 온도를 증가시키면 다시 비접촉 저항이 증가하는 것을 관찰하였다. XRD (x-Ray Diffraction) 분석을 통하여 $400^{\circ}C$ 이상열처리 온도가 증가하면 금속 표면에 $NiO_2$가 형성되며, 이에 따라 오믹특성이 저하 된다고 사료된다. 또한 $Ni_3N$의 존재를 확인 하였으며 이는 nonpolar surface의 특성으로 인해 nitrogen out diffusion 현상이 동시에 발생하여 계면에는 dopant로 작용하는 질소 공공을 남기고 표면에 $Ni_3N$을 형성하여 ohmic contact의 특성이 저하되기 때문인 것으로 사료된다.