• Title/Summary/Keyword: 광학적 흡수도

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고효율 태양전지를 위한 ICP-RIE기반 결정질 실리콘 표면 Texturing 공정연구

  • Lee, Myeong-Bok;Lee, Byeong-Chan;Park, Gwang-Muk;Jeong, Ji-Hui;Yun, Gyeong-Sik
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.315-315
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    • 2010
  • 결정질 실리콘을 포함하는 태양전지의 광전효율은 표면에 입사되는 태양광의 반사를 제외하면 흡수된 광자에 의해 생성되는 전자-정공쌍의 상대적인 비율인 내부양자효율에 의존하게 된다. 실제 생성된 전자-정공쌍은 기판재료의 결정상태와 전기광학적 물성 등에 의해 일부가 재결합되어 2차적인 광자의 생성이나 열로서 작용하고 최종적으로 전자와 정공이 완전히 분리되고 전극에 포집되어 실질적인 유효전류로 작용한다. 16% 이상의 고효율 결정질 실리콘 태양전지양산이 요구되고 있는 현실에서 광전효율 개선 위해 가장 우선적으로 고려되어야 할 변수는 입력 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘 표면반사율을 최소화하여 광흡수를 극대화하는 것이라 할 수 있다. 이의 해결을 위하여 대기와 실리콘표면 사이의 굴절률차이가 크면 클수록 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘의 광반사는 증가하기 때문에 상대적으로 낮은 굴절률의 $SiO_x$$SiN_x$와 같은 반사방지막을 광입력 실리콘표면에 증착하여 광반사율 저감공정을 적용하고 있다. 이와 더불어 결정질 실리콘표면을 화학적으로 혹은 플라즈마이온으로 50-100nm 직경의 바늘형 피라미드형상으로 texturing 함으로 광자들의 다중반사 등에 기인하는 광흡수율의 증가를 기대할 수 있기 때문에 태양전지효율 개선에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 이해된다. 본 실험에서도 고효율 다결정 실리콘 태양전지 양산공정에 적용 가능한 ICP-RIE기반 결정질 실리콘표면에 대한 texturing 공정기술을 연구하였다. Double Langmuir 플라즈마 진단시스템(DLP2000)을 적용하여 사용한 $SF_6$$O_2$ 개스유량과 챔버압력, 플라즈마 파워에 따른 이온밀도, 전자온도, 포화이온전류밀도, 플라즈마포텐셜의 공간분포를 모니터링하였고 texturing이 완료된 시료에 대하여 A1.5G 표준태양광스펙트럼의 300-1100nm 파장대역에서 반사율을 측정하여 그 변화를 관찰하였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 간략히 정리하면 Si texturing에 가장 적합한 플라즈마파워는 100W, $SF_6/O_2$ 혼합비는 18:22, 챔버압력은 30mtorr 등이고 이에 상응하는 플라즈마의 이온밀도는 $2{\sim}3{\times}10^8\;ions/cm^3$, 전자온도는 14~15eV, 포화전류밀도는 $0.014{\sim}0.015mA/cm^2$, 플라즈마포텐셜은 38~39V 범위 등이었다. 현재까지 얻어진 최소 평균반사율은 14.2% 였으며 최적의 texturing패턴 플라즈마공정 조건은 이온에 의한 Si표면원자들의 스퍼터링과 화학반응에 의한 증착이 교차하는 플라즈마 에너지 및 밀도 상태인 것으로 해석된다.

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Control of a- and c-plane Preferential Orientations of p-type CuCrO2 Thin Films

  • Kim, Se-Yun;Seong, Sang-Yun;Jo, Gwang-Min;Hong, Hyo-Gi;Kim, Jeong-Ju;Lee, Jun-Hyeong;Heo, Yeong-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.119-120
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    • 2011
  • Kawazoe는 1997년 p-type TOS를 만들기 위해서는 3가지가 충족되어야 한다고 언급한바 있다. 첫 번째, 가시광영역에서 투명하기 위해서 cation의 d10s0이 가득 차야 한다. 가득 차지 않은 d10 shell은 광 흡수가 가능하여 투과도를 떨어뜨린다. N-type을 예로 들어 ZnO, TiO, In2O3가 각각 Zn2+, Ti4+, In3+가 되어 d shell을 가득 차게 만드는 것을 볼 수 있다. 두 번째, cation d10s0 shell은 산소의 2p shell과 overlap 되어야 한다. 이 valence band는 홀 전도를 더욱 좋게 한다. 예를 들어 Cu1+(3d), Ag1+(4d)가 해당한다. 세 번째로, 양이온과 산소간의 공유결합을 강하게 하기 위해서 결정학적 구조는 매우 중요하다. Delafossite 구조는 산소가 pseudo-tetrahedral 구조로서 공유결합에 유리하다. 이러한 환경은 O2- (2p6)을 형성하고 홀의 이동도를 증가시킨다. 예를 들어 Cu2O의 경우 앞의 2가지를 만족시키지만 광학적 특성에서 좋지 않다. 그 이유가 3번째 언급한 결정학적인 요인에 있다. 결정 계의 환경은 Cu2O를 따라가면서 3차원적인 연결을 2차원적으로 변형된 delafossite 구조에서는 quantum well이 형성되어 band gap이 커진다. 본 연구에서는 전기적 이방성을 가지고 있는 delafossite CuCrO2 상에서 우선배향을 일으키는 인자 중 기판을 변화시켜 실험을 진행하였다. 결과적으로 기판변화를 통해 우선배향조절이 가능하였으며 CuCrO2 박막을 시켰으며, 결정방향에 따른 전기적 물성의 이방성에 관한 연구는 계속 진행 중에 있다. c-plane sapphire 기판위에는 [00l]로 성장하는 반면, c-plane STO 기판 위에는 [015] 방향으로 성장하는 것을 확인하였다. 이러한 원인은 기판과 증착되는 박막간의 mismatch를 최소화 하여 strain을 줄이고, 계면에서의 Broken boning 수를 줄여 계면에너지를 낮추는 방법이기 때문일 것으로 예상된다. C-plane sapphire 기판위에 증착될 경우 증착온도가 증가함에 따라 c-축으로의 성장이 온전해지며 이에 따라 캐리어농도의 감소와 모빌리티의 증가가 급격하게 변하는 것을 확인할 수 있다. 반면 c-plane STO 기판에서는 증착온도에 따른 박막의 배향변화가 없으며 전기적 물성 변화 또한 비교적 작은 것을 간접적으로 확인하였다.

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Analyses of Additives Applied in a Polycarbonate (폴리카보네이트에 사용된 첨가제의 분석)

  • Kim, Seog-Jun
    • Analytical Science and Technology
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    • v.13 no.3
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    • pp.282-290
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    • 2000
  • In this study, polymer additives were extracted and separated by Soxhlet extraction method and the dissolution-precipitation method from a polycarbonate (optical grade) which completely absorbed UV light below 390 nm. Analytical techniques such as UV-Vis spectroscopy, FT-IR, and HPLC were applied to analyze additives in polycarbonate. Separated materials from the polycarbonate may be a complex mixture containing additives such as UV stabilizer, antioxidants (primary and secondary), monomers, and oligomers. Several compounds such as bisphenol A, Irganox 1010, and Cyasorb UV-5411 were identified by chromatograms and UV spectra obtained from RP HPLC analysis using Bondapak $C_{18}$ column, methanol mobile phase, and a photodiode array (PDA) detector. Also, the content of UV-5411 in the polycarbonate was about 0.12 wt% by a quantitative analysis through UV spectroscopy.

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Textured Surface Epitaxial Base Silicon Solar Cell (Textured 표면을 갖는 에피텍셜 베이스 실리콘 태양전지)

  • 장지근;임용규;정진철
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.10 no.2
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    • pp.33-37
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    • 2003
  • The new textured surface epitaxial base(TSEB) cell as a high efficiency Si solar cell was fabricated and its eletro-optical characteristics were investigated. The fabricated device showed the open circuit voltage of 0.62 V, the short circuit current of 40 mA, the fill factor of 0.7, and the efficiency of 16% under the incident light of AM-1 100 mW/$cm^2$. The TSEB cell proposed in this paper has the structural superiority in the fabrication of high efficiency solar cell due to the carrier drift transport in the optical absorption region and the formation of back surface field by $P^-/P^+$ epitaxial base, and the low emitter series resistance by insertion of $n^+$ buried contact.

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Radiative Heat Transfer in Radiatively Particpating Finite Cylindrical Media - Exact and P-N Solutions - (복사에 관여하는 유한 원통형 매질에서의 복사열 전달)

  • 서인수;손종관;임승욱;이준식
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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    • v.12 no.6
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    • pp.1428-1437
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    • 1988
  • An analysis of radiative heat transfer has been conducted on axisymmetric finite cylindrical media. It is assumed that the temperature in the media is uniformly distributed and the boundaries are diffusely emitting and reflecting at a constant temperature. The scattering phase function is represented by the delta-Eddington approximation to account for highly forward scattering by particulates just as in the combustion system. Exact numerical solutions are obtained by Gaussian quadrature method and compared with P-1 and P-3 approximation solutions to verify their engineering application limit. The effects of optical thickness, scattering albedo, wall emissivity and aspect ratio are investigated. The results show that P-3 approximation is found to be in good agreement with the exact solution.

Method of Analyzing the ISAR image of Electrically Large Objects Partially Coated with RAM Using PO Technique (PO 기법을 이용한 부분 코팅된 전기적 대형물체의 ISAR 해석 방법)

  • Noh, Yeong-Hoon;Kim, Woobin;Yook, Jong-Gwan;Hong, Ic-Pyo;Kim, Yoon-Jae;Oh, Wonseok
    • Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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    • v.23 no.4
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    • pp.328-336
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    • 2020
  • This paper presents an asymptotic analysis method using the PO(physical optics) approximation technique to analyze the scattering contribution of an electrically large object partially coated with a radar absorbing material(RAM). By using the feature of the PO technique that can calculate the equivalent current value for each mesh independently, instead of analyzing the entire structure, scattering analysis was performed only by calculating the current on the area where the RAM coating is applied. By the numerical examples, the accuracy and the computation time of the proposed method were verified, and the computational efficiency of inverse synthetic aperture radar(ISAR) of the electrically large objects that require enormous resources is improved.

Qantum Transition properties of Si in Electron Deformation Potential Phonon Interacting Qusi Two Dimensional System (준 2차원 시스템에서 전자 변위 포텐셜 상호 작용에 의한 Si의 양자 전이 특성)

  • Joo, Seok-Min;Cho, Hyun-Chul;Lee, Su-Ho
    • Journal of IKEEE
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    • v.23 no.2
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    • pp.502-507
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    • 2019
  • We investigated theoretically the quantum optical transition properties of qusi 2-Dinensinal Landau splitting system, in Si. We apply the Quantum Transport theory (QTR) to the system in the confinement of electrons by square well confinement potential. We use the projected Liouville equation method with Equilibrium Average Projection Scheme (EAPS). In order to analyze the quantum transition, we compare the temperature and the magnetic field dependencies of the QTLW and the QTLS on two transition processes, namely, the phonon emission transition process and the phonon absorption transition process. Through the analysis of this work, we found the increasing properties of QTLW and QTLS of Si with the temperature and the magnetic fields. We also found the dominant scattering processes are the phonon emission transition process.

[Mössbauer] Spectroscopic Study of La1/3Sr2/3FeO2.96 under the External Magnetic Field (산소결핍 페롭스카이트 La1/3Sr2/3FeO2.96의 외부 자기장 하에서의 Mössbauer분광학적 연구)

  • Yoon, Sung-Hyun;Jung, Jong-Yong
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.15 no.2
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    • pp.81-84
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    • 2005
  • The origin for the charge disproportionation (CD) transition in polycrystalline $La_{1/3}Sr_{2/3}FeO_{2.96}$ was examined using X-ray diffraction and the external field $M\ddot{o}ssbauer$ssbauer spectroscopy. In order to see how the external magnetic field affects the CD state above its transition temperature, an external magnetic field of up to 6 T was applied either parallel or perpendicular to the $\gamma-ray$ direction with the sample temperature fixed at 225 K, which was above the CD transition temperature. Without an external magnetic field, a completely paramagnetic singlet was obtained in the temperature range of the averaged valence state above the transition temperature, which was interpreted as coming from the average valence $Fe^{3.6+}$. In the longitudinal geometry, a magnetic Zeeman with its intensity ratio 3:0:1:1:0:3 is superimposed to the central singlet. In the transverse geometry, however, the central singlet disappears and only a magnetic component with its intensity ratio 3:4:1:1:4:3 emerges. The existence of a singlet is understood as an evidence of the fast electron-transfer among Fe ions. Since the singlet still exists under the magnetic field, the application of an external field has little effect on the conduction mechanism of hopping electrons.

Behavior of surfacial and optical properties of CdTe thin films by CMP process (CMP공정에 의한 CdTe 박막의 표면 및 광학 특성 거동)

  • Park, Ju-Sun;Na, Han-Yong;Ko, Pil-Ju;Kim, Nam-Hoon;Yang, Jang-Tae;Lee, Woo-Sun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.111-111
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    • 2008
  • 태양전지는 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시켜주는 광전 소자로서 구조적으로 단순하고 제조 공정도 비교적 간단하지만, 실용화를 위해서는 비용적인 측면이 많은 걸림돌이 되고 있다. 기존의 실리콘 태양전지는 낮은 광흡수율, 고비용임에도 불구하고 가장 많이 활용되고 있는 태양전지 기술이다. 그러나 태양전지의 경제성 향상과 실용화를 위해서는 기존의 실리콘 태양전지 보다 고효율 및 고신뢰도의 박막형 태양전지의 개발이 필요하다. 박막헝 태양전지의 재료로는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘. CIGS, CdTe 등이 있다. 그 중에서도 박막형 태양전지에 광흡수층 물질로는 밴드갭 에너지 (l.4eV 부근), 변환 효율, 경제성 등을 고려했을 때 II-VI족 화합물인 CdTe가 가장 적합한 것으로 각광받고 있다. 하지만 아직까지 실리콘 태양전지에 비해 효율이 많이 떨어지는 단점을 가지고 있기 때문에 효율을 더 끌어올리기 위한 연구가 활발히 진행되고 있는 실정이다. 또한 CMP(chemical mechanical polishing) 공정은 반도체 박막 분야뿐만 아니라 물리, 화학 반응의 기초 연구에도 널리 응용이 되는 기술로써, 시료와 연마 패드 사이의 회전마찰에 의한 기계적 연마와 연마제 (abrasive) 에 의한 화학적 에칭으로 박막 표면을 평탄화하는 기술이다. 본 연구에서는 sputtering 법에 의해 증착된 CdTe 박막에 CMP 공정을 적용하여 표면 특성을 개선한 뒤 태양전지 변환 효율과 직접적인 연관성을 가지고 있는 표면 및 광특성의 변화를 CMP 공정 전과 후로 비교하였다. 표면의 변화를 관찰하기 위해서 AFM(atomic forced microscope) 과 SEM(scanning electron microscopy) 을 이용하였으며, 광특성의 비교를 위해서 흡수율과 PL특성을 측정하였다.

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Selective Transmission Properties of Al-Ti Based Oxide Thin Films (Al-Ti계 산화물 박막의 조성에 따른 선택적 투과 특성)

  • Bang, Ki Su;Jeong, So Un;Lim, Jung Wook;Lee, Seung-Yun
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.22 no.1
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    • pp.13-19
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    • 2013
  • It is expected that progress in building-integrated photovoltaic (BIPV) systems, improving the functionality and design of buildings, will be accelerated in the coming years. While the dye sensitized solar cell is considered one of the most important technologies in the BIPV field, the transparent silicon based thin film solar cell fabricated by thin film processes has drawn attention as a novel alternative. When the selective transmitting layer is applied to the solar cell, the conversion efficiency is improved due to the re-reflection of infrared light into an absorber layer with the transmission of visible light through the solar cell. In this work, we prepared Al-Ti based oxide thin films using cost-effective sputter deposition and examined their selective transmitting characteristics with various compositions. The transmittance and reflectance of the Al-Ti based oxide thin film changed with the variation of its composition, and the selective transmitting property was observed in the sample with the 25 nm-thick AlTiO layer. It is considered that the realization of transparent solar cells and the improvement of their conversion efficiency can be achieved by introducing the Al-Ti based selective transmitting layer.