A light deflector integrated laser diode(LD) was fabricated and the characteristics of LD and ourput beam deflection as a function of deflector injection current were measured. To integrate the deflector with LD, a passive waveguide was integrated with the LD and a triangular-type light deflector was fabricated on the upper clad of the passive waveguide section. Light deflection from the fabricated light deflector is controlled by the effective refractive index variation induced by carrier injection. To characterize the effect of the deflector injection current, threshold current, slope efficiency, and output beam spectrum were measured as a function of deflector injection current. From these measured data, the increment in the threshold current and the decrement of the slope efficiency were observed. However, the output beam spectrum was not affected by the deflector. The Beam Propagation Method(BPM) was used to simulate the proposed device and the light deflection was measured by the far-field pattern of the output beam as a function of the deflector injection current. In the fabricated deflector integrated LD, the deflection angle of 1.9$^{\circ}$ at the injection current of 15 ㎃ was obtained.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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pp.10-10
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2004
유전율이 서로 다른 물질을 나노 크기로 주기적으로 배열하여 황자 띠간격(Photonic bandgap)을 이루게 하는 광결정(Photonic crystal)에 인위적인 결함을 부가하여 광파워 분배 및 Mux/Demux 등 광회로 기능 수행을 할 수 있도록 집적화한 광도파로 소자가 미래형 정보통신사회를 위한 초고집적화, 초고속화, 저전력 및 신기능 등의 특성을 위하여 요구된다. 이러한 나노 광결정 소자는 다양한 방법으로 제작이 시도되고 있는데, 나노 임프린트 기술은 실장밀도가 높으며, 수십 나노급의 패턴이 주기적으로 배열된 구조물의 성형에 큰 장점이 있어서 본 연구에서 다루어졌다.(중략)
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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pp.308-309
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2003
최근 광통신의 발전은 광 통신 소자의 제작시 집적화, 소형화, 경량화 그리고 저가격화를 원하게 되었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 기판 위에 광소자를 집적하는 미세 광학 벤치 (Micro Optical Bench)에 대한 많은 연구가 진행되고 있는 중이다. MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정기술인 벌크(bulk) 마이크로 머시닝 기술을 이용함으로서 하나의 기판 위에 광소자들을 조립하는 미세 광학 벤치를 구현 할 수 있다. (중략)
Fluorinated polyimide has excellent light transmittance and a high optical refractive index, and is useful for producing optical-waveguide phase modulators with low optical loss and low electric power consumption. In this work, an optical-waveguide phase modulator is designed and fabricated based on a high-refractive-index fluorinated polyimide, and its characteristics are measured. An efficient protocol for characterizing the loss components of the optical waveguide is proposed, and the propagation loss of the fabricated polyimide optical waveguide is confirmed to be 0.9 dB/cm. The phase modulator requires 9.1 mW of power for phase change of π, and the response time is 290 μs, which is improved by tenfold compared to a previous demonstration of polymeric phase modulators.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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제14권4호
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pp.645-650
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2019
In this paper, a specifically designed waveguide structure that can carry first, and second-order orbital angular momentum(: OAM) mode is proposed. The proposed optical waveguide consists of three Si stripes embedded in $SiO_2$, which is suitable for implementing on-chip integration and fabrication by standard thin film deposition and etching processes. The second-order OAM mode was generated by combining two eigenmodes, which are calculated by finite difference method(: FDM). The topological charge number of the first, and second-order OAM mode was calculated as l=0.9642 and 1.8766 respectively, which is close to the theoretical value.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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제38권6호
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pp.412-419
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2001
In accordance with the PON(passive optical network) could be setup, effective connections with light sources, optical detectors, and optical fibers are the best sensitive points to represent the efficiency of network. Therefore, in this paper we designed and fabricated optical transceiver connection chip that was consisted of channel waveguide, Y-branch, and CWDM on the 2" BK7 glass substrate. This chip can be used for 1.31/1.55${\mu}{\textrm}{m}$ CWDM network and 1.55${\mu}{\textrm}{m}$ region dense WDM network.work.
IP 패킷스위칭을 수행할 수 있는 WDM 기반의 대용량 광패킷스위칭 시스템을 위해 입력광 신호 속도 10Gb/s의 16 x 단위 스위치로 구성되는 출력 버퍼링 방식의 방송 및 선택형스위치 구조가 제안되었다. 기존의 광소자는 광특성 때문에 집적광 집적화 논리회로(PCL)의 제작이 쉽지 않았으나 최근 세계적으로 어레이형 집적화 광소자의 개발 추세가 급속도로 진전되고 있어 대용량의 광교환기 시스템 구조는 기존의 교환기 시스템과 유사한 형태 및 구조가 가능하다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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pp.172-173
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2003
SOI (Silicon on insulator) 웨이퍼를 이용하여 제작된 전자소자는 고온에서 동작이 안정될 뿐만 아니라 초고속 동작이 가능하고, 사용 소비전력이 낮고, 단위 소자의 집적 효율이 우수해 활발한 연구가 이루어지고 있다. 최근에 초고속 광소자와 단위 광소자들의 집적을 위해 Si 이외의 GaAs, InP, SIC 등의 반도체 박막을 절연층 위에 만드는 연구가 많이 진행되고 있다 따라서 초기에 절연체 위에 실리콘 박막을 형성하는 Silicon on insulator (SOI) 기술은 다양한 종류의 반도체 박막을 절연체 위에 형성하는 Semiconductor on insulator로 SOI의 의미가 확장되고 있다. (중략)
통신용 반도체 기술의 특징으로는 소량 다품종, 초고속화, 애널로그 회로의 집적화, 광집적회로화 등을 들 수 있다. 통신 시스팀의 실현에는 소형화, 저소비 전력화, 초고속화 등의 이유로 LSI 또는 VLSI의 적용이 대전제로 되고 있다. 본고에서는 현재 사용되고 있는 신호 처리, 신호 전송, 전달 처리, 정보 처리용의 주요 LSI에 대하여 살펴보는 한편, 통신용 반도체의 요구 조건을 만족시키기 위한 반도체 기술 중에서 설계 기술과 공정 기술에 대한 최근의 기술 동향을 살펴보고자 한다. 즉, LSI산업의 변환기를 가져오고 있는 직접회로 설계 기술인 ASIC과 함께, 집적도의 향상에 따라 애널로그기능과 디지틀기능을 하나의 칩에 형성시킬 수 있는 BiCMOS 공정기술에 대한 기술 동향을 살펴본다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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pp.156-157
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2002
광 집적회로를 구현하기 위한 목적의 구성요소들로서 자기 광학적 효과를 이용한 아이솔레이터(isolator), 서큘레이터(circulator)등과 같은 소자들의 새로운 대안이 제시되고 있다. 현재 기존의 체적 아이솔레이터(bulk isolator)들이 마이크로 시스템에서 사용되고는 있으나 실용적인 해결점은 아닐 것이다. gyrotropic 도파로들의 광학적 TM 모드의 비가역적 위상변위(nonreciprocal phase shift)를 이용하는 경우 반도체 레이저를 광원으로 이용할 때 반사되어져 오는 광으로부터 레이저를 보호할 수 있는 광 아이솔레이터의 구현이 가능할 수 있다. 광통신에 사용되는 파장은 1.3$\mu$m 와 $1.5\mu$m에서 발달되어져 있다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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