• Title/Summary/Keyword: 광전소자

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Synthesis of TCO-less Solar Cell using Metal Mesh Type Electrode and its Photovoltaic Characteristics (금속 메쉬 전극을 이용한 TCO-less 광전변환소자 제작 및 광전변환 특성)

  • Park, Min-Woo;Sung, Youl-Moon
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.25 no.2
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    • pp.126-130
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    • 2011
  • Transparent conductive oxide (TCO) is an important part in the construction of dye-sensitized solar cells (DSCs) because of its low sheet resistance, sufficient light transparent ability and high photoelectrical response as a porous photo-electrode material of DSCs. However, the use of TCO for the two DSC electrodes can result in significant cost increase for the less effective DSCs compared to Si based solar cell. Therefore, the replacement of TCO is required for the commercial production of DSCs. In this study, TCO electrodes are replaced by stainless steel mesh. The 3.44[%] efficiency of the prepared TCO-less DSCs sample was obtained.

Growth methanism of ZnO nanowire syntheized by carbo-thermal reduction method (열적 탄소 환원법으로 제조된 ZnO 나노와이어의 성장 메커니즘)

  • 손광석;김현정;박병호;김동규;조형균;김인수
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.173-173
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    • 2003
  • Nanowire와 nanorod 같은 1차원의 반도체 재료는 디멘젼과 크기와 물리적 특성과의 관계 등을 연구하는데 중요한 역할을 하며 laser ablation, arc discharge, chemical vapor depostion, vapor phase transport Process와 solution등의 방법으로 성공적으로 합성되었다. ZnO 는 3.37eV의 넓은 밴드갭과 다른 넓은 밴드갭 재료에 비해 높은 exciton bindng energy (60meV)를 가지며 UV LED, laser diode에 적용하기 유리하고 최근 디스플레나 나노 광전소자로서의 가능성 이 대두되면서 최근 이에 관한 연구가 증가하고 있다. 본 연구에서는 열적탄소환원법(carbothermal reduction process)으로 ZnO와 graphite 분말을 1:1 중량비로 혼합한 분말을 90$0^{\circ}C$, 100$0^{\circ}C$에서 air 분위기에서 20분간 반응 후 로 내에서 냉각 하였다. 직경 이 50nm-1000nm, 길이가 수 미크론인 내부 결함이 전혀 없는 육각형 단결정의 nanowire가 합성되었고 XRD, FE-SEM과 TEM으로 조성 및 형상, 내부구조를 분석하였다. 합성된 ZnO nanowire는 직경 이 변하는 부분에서 성장방향으로의 계단을 형성하였고 이는 layer by layer 방법으로 nanowire가 성장한다는 것을 나타낸다.

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Design and Performance Analysis of BLSR/4 WDM/SHR in All-Optical Transport Network (완전 광전달망에서 BLSR/4 WMD/SHR의 설계 및 성능 분석)

  • 강안구;최한규;김지홍;김광현;김호건;조규섭
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.24 no.10B
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    • pp.1832-1840
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    • 1999
  • This paper proposed a network to implement all optical bidirectional BLSR/4 WDM/SHR allowing restoration in the event of a failure. The proposed network can provide a high degree of transparency using all-optical components with no electric implementation and effective failure restoration due to BLSR/4 WDM/SHR architecture. This paper also presented a genetic simulation model for the survivability analysis of the proposed BLSR/4 WDM/SHR under failure scenarios, the restoration performance of the proposed network is analyzed in terms of performance parameters such as propagation time, processing time, optical switch time.

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N-type Si Schottky Junction Photoelectric Device Using Nickel and Silver (Ni과 Ag 금속을 이용한 N-type Si Schottky Junction 광전소자)

  • Seo, Cheolwon;Hong, Seung-Hyouk;Yun, Ju-Hyung;Kim, Joondong
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.27 no.6
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    • pp.389-393
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    • 2014
  • A thin metal-embedding Schottky device was fabricated for an efficient photoelectric device. Semitransparent thick of 10 nm metal layers were deposited by sputtering of Ag and Ni on a Si substrate. The (111) N-type Si wafers with one-side polished, 450~500 ${\mu}m$ and resistivity $1{\sim}20{\Omega}{\cdot}cm$ were used. High rectifying ratio about 100 from Ni-Schottky device was achieved. This design would provide an effective scheme for high-performing photoelectric devices.

Metal-Oxide-Semiconductor Photoelectric Devices (Metal-Oxide-Semiconductor 광전소자)

  • Kang, Kilmo;Yun, Ju-Hyung;Park, Yun Chang;Kim, Joondong
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.27 no.5
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    • pp.276-281
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    • 2014
  • A high-responsive Schottky device has been achieved by forming a thin metal deposition on a Si substrate. Two-different metals of Ni and Ag were used as a Schottky metal contact with a thickness about 10 nm. The barrier height formation between metal and Si determines the rectifying current profiles. Ag-embedding Schottky device gave an extremely high response of 17,881 at a wavelength of 900 nm. An efficient design of Schottky device may applied for photoelectric devices, including photodetectors and solar cells.

Holographic 1$\times$8 demultiplexer for WDM optical transmission system (파장분할다중 광전송 시스템용 홀로그래픽 1$\times$8 역다중화기)

  • An, Jun-Won;Kim, Nam;Shin, Chang-Won;Lee, Kwon-Yeon;Jeon, Seok-Hee
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.26 no.8B
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    • pp.1048-1056
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    • 2001
  • 파장분할 다중 광전송 시스템으로의 적용을 위한 홀로그래픽 다채널 역다중화기를 제안하고, 소자 특성에 대한 이론적 예측 및 실험결과를 제시하였다. LiNbO3:Fe 결정에 다중 홀로그래픽 부피 격자채널을 기록하기 위해 각도 다중 기록 및 노출시간 계획을 적용하였으며, 노출시간 계획에 recycling 기법을 적용해 각 채널의 균일도를 향상시켰다. 본 논문에서 제안한 방식을 실험적으로 입증하기 위해 1590nm 파장영역에서 0.8nm 채널 간격을 갖는 8채널 역다중화기를 설계하고 해석하였으며, 실험결과 각 채널은 0.8∼0.92%의 회절효율, 0.38∼0.45nm의 3dB 통과대역, 0.7∼0.89nm의 채널간격 및 -26.98dB 이상의 채널 누화 억제 특성을 관찰하였다.

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Maximum Optical Coupling Point Search Algorithm for Manufacturing of Optical Device (광전소자 제조를 위한 최대 광 결합점 검색 알고리즘)

  • 한일호;김회율
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 2001.06e
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    • pp.9-12
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    • 2001
  • Optical aligning process to archive the maximum optical coupling is crucial in many optical device manufacturing line such as laser diode module. Due to the three-dimensional nature of housing module and the aligning process for laser diode coupler, large amount of the manufacturing time, typically ranging from tens of minutes to an hour has to be devoted to the aligning process alone. In this thesis, we propose a new optical aligning process that employee a two-pass algorithm: coarse-to-fine search. Coarse search is a kind of blind search that finds the candidate region where the maximum optical coupling might mostly occur, followed by a fine searching that finds the maximum within the candidate region. The algorithm has been tested on 50 samples of cam-type laser diode modules, and the experimental results are analyzed in terms of aligning time and coupling efficiency.

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Study on the Possible Ohmic Mechanisms of the In/In2O3:Sn p-type contacts for GaN-based Light-emitting Diodes (질화갈륨계 발광다이오드용 p형 인듐/인듐주석산화물 박막 전극의 오믹메커니즘에 대한 연구)

  • O, Jun-Ho;Hong, Hyeon-Gi;Kim, Gyeong-Guk;Byeon, Gyeong-Jae;Lee, Heon;Yun, Sang-Won;An, Jae-Pyeong;Jeon, Jun-U;Jeong, Se-Yeon;Seong, Tae-Yeon
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2008.11a
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    • pp.38-38
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    • 2008
  • 질화갈륨계 발광다이오드는 차세대 반도체 조명용 및 기타 광전소자 등에의 응용 가능성 때문에 주목을 받고 있다. 본 발표에서는 발광다이오드용 In/ITO 전극이 p-형 질화갈륨과 열처리 후 오믹접촉을 이루는 메커니즘을 설명한다.

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High-linearity enhancement of optical transmitter using optoelectronic predistortion method (광전자 프리디스토션 기법을 적용한 광 송신기의 높은 선형성 향상 특성)

  • Lee, Tae-Kyeong;Moon, Yon-Tae;Choi, Young-Wan
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 2008.08a
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    • pp.296-299
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    • 2008
  • 최근 통신시스템과 핸드폰, PDA등의 통신기기들의 발전에 따라 사용자들은 높은 데이터 전송률과 고속의 통신서비스를 요구하고 있다. 이러한 상황에서 유 무선 통합 시스템인 Radio-over-Fiber(RoF) 시스템은 그 대안으로 대두되고 있다. 본 논문에서는 광전자소자를 선 왜곡 방식에 적용하여 광 송신기의 선형성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 선 왜곡 방식은 두 개의 루프로 구성되어 있으며, 광 부품인 레이저 다이오드와 포토 다이오드 그리고 RF 부품인 위상변위기, 감쇄기, RF 결합/분배기, RF 증폭기를 사용하였다. 메인 루프에서 주 레이저 다이오드의 비선형성에 의해 발생된 왜곡신호성분은 보조 루프에서 부 레이저 다이오드를 이용하여 추출된 선 왜곡신호에 의해서 제거된다. 제안된 선형화 기법을 적용하여 2.4 GHz에서 선형화 기법을 적용하기 전보다 3차 상호변조 왜곡성분이 약 30dB 향상된 결과를 얻었다.

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Modeling of O/E conversion for 40 Gbps WGPD submodule (40Gbps 급 도파로형 광수신소자 submodule의 광전변환특성 모델링)

  • Jeon, Su-Chang;Yun, Il-Gu
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2005.07a
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    • pp.79-80
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    • 2005
  • In this paper, the circuit models of optical to electrical(O/E) characteristics of waveguide photodiode(WGPD) submodule are examined. Test structures of WGPD and WGPD submodule were fabricated and S21 parameter was measured to characterize the O/E conversion property. Valid circuit models were derived by RF circuit simulation and O/E characteristics were modeled to analyze the effects of model parameters on the WGPD submodule performances. Based on the results, it can be concluded that the suggested WGPD submodule model can explain the characteristics of the O/E conversion of WGPD submodule, where the parasitic components originated from ribbon bonding block crucially influence on the performance of WGPD submodule, are able to show more efficient property by making compact bonding structure. We propose an effective WGPD submodule bonding structure and it can ensure the 40Gbps operation of WGPD.

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