• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.7 no.1
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• pp.93-98
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• 2013

The purpose of this study is to investigate the calibration of an optically stimulated luminescent nanoDot dosimeter(OSLnD) to 6 MV photon beam. Dose ranges of the calibration of linear and non-linear from the analysis of dose response of the OSLnD were decided. To evaluate the accuracy of calibration equation and the calibration, the sets of the calibration and quality control dosimeter were used to make. The calibrations were performed by the linear and the non-linear in the dose range of 0~300 cGy and 20~1300 cGy, respectively. The errors of the calibration were acquired less than 0.1% respectively from the measurement of the quality control dosimeters for the calibration of linear and the non-linear. This study provides the calibration equation of the OSLnD to the 6 MV photon beam.

• Polymer Science and Technology
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• v.15 no.3
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• pp.274-285
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• 2004

콜로이드 결정 (Colloid crystal)이란 용액 상에서 부유 하는 작은 입자들의 자기 조립 (self-assembly)에 의해 형성된 주기적인 2차원 혹은 3차원 구조를 말한다. 이러한 결정 구조는 광학 필터나 스위치, 광 밴드 갭 재료, 바이오 센서 등의 과학 기술적인 응용을 비롯하여 액화 물질의 상 변화 등과 같은 물리적 현상을 규명함에 있어서 중요한 모델을 제시한다. 특히 최근에 콜로이드의 자기 조립체는 자연적으로 갖게 되는 주기적인 유전율 변화 때문에 빛의 진행 방향이나 특성을 조절할 수 있는 광자 결정 (Photonic Crystal) 구조 제작의 경쟁력 있는 접근 방법으로 각광 받고 있다. (중략)

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 1996.10a
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• pp.104-105
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• 1996

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2005.07a
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• pp.200-201
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• 2005

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2006.02a
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• pp.257-258
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• 2006

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2008.02a
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• pp.351-351
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• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.315-315
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• 2010

결정질 실리콘을 포함하는 태양전지의 광전효율은 표면에 입사되는 태양광의 반사를 제외하면 흡수된 광자에 의해 생성되는 전자-정공쌍의 상대적인 비율인 내부양자효율에 의존하게 된다. 실제 생성된 전자-정공쌍은 기판재료의 결정상태와 전기광학적 물성 등에 의해 일부가 재결합되어 2차적인 광자의 생성이나 열로서 작용하고 최종적으로 전자와 정공이 완전히 분리되고 전극에 포집되어 실질적인 유효전류로 작용한다. 16% 이상의 고효율 결정질 실리콘 태양전지양산이 요구되고 있는 현실에서 광전효율 개선 위해 가장 우선적으로 고려되어야 할 변수는 입력 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘 표면반사율을 최소화하여 광흡수를 극대화하는 것이라 할 수 있다. 이의 해결을 위하여 대기와 실리콘표면 사이의 굴절률차이가 크면 클수록 태양광스펙트럼에 대한 결정질 실리콘의 광반사는 증가하기 때문에 상대적으로 낮은 굴절률의 $SiO_x$나 $SiN_x$와 같은 반사방지막을 광입력 실리콘표면에 증착하여 광반사율 저감공정을 적용하고 있다. 이와 더불어 결정질 실리콘표면을 화학적으로 혹은 플라즈마이온으로 50-100nm 직경의 바늘형 피라미드형상으로 texturing 함으로 광자들의 다중반사 등에 기인하는 광흡수율의 증가를 기대할 수 있기 때문에 태양전지효율 개선에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 이해된다. 본 실험에서도 고효율 다결정 실리콘 태양전지 양산공정에 적용 가능한 ICP-RIE기반 결정질 실리콘표면에 대한 texturing 공정기술을 연구하였다. Double Langmuir 플라즈마 진단시스템(DLP2000)을 적용하여 사용한 $SF_6$와 $O_2$ 개스유량과 챔버압력, 플라즈마 파워에 따른 이온밀도, 전자온도, 포화이온전류밀도, 플라즈마포텐셜의 공간분포를 모니터링하였고 texturing이 완료된 시료에 대하여 A1.5G 표준태양광스펙트럼의 300-1100nm 파장대역에서 반사율을 측정하여 그 변화를 관찰하였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 간략히 정리하면 Si texturing에 가장 적합한 플라즈마파워는 100W, $SF_6/O_2$ 혼합비는 18:22, 챔버압력은 30mtorr 등이고 이에 상응하는 플라즈마의 이온밀도는 $2{\sim}3{\times}10^8\;ions/cm^3$, 전자온도는 14~15eV, 포화전류밀도는 $0.014{\sim}0.015mA/cm^2$, 플라즈마포텐셜은 38~39V 범위 등이었다. 현재까지 얻어진 최소 평균반사율은 14.2% 였으며 최적의 texturing패턴 플라즈마공정 조건은 이온에 의한 Si표면원자들의 스퍼터링과 화학반응에 의한 증착이 교차하는 플라즈마 에너지 및 밀도 상태인 것으로 해석된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.132.2-132.2
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• 2014

란탄족 원소가 도핑된 세라믹 나노결정, 즉, 나노형광체는 도핑되는 원소의 종류에 따라 다양한 색을 발광할 수 있다. 일반적으로 형광체는 외부에너지에 의해 여기된 후 흡수한 에너지 보다 작은 에너지의 가시광을 발광하게 된다. 이러한 현상은 downconversion 발광으로 알려져 있다. 그러나 모체에 Yb3+와 Er3+를 도핑하는 경우 적외선을 흡수하여 가시광선을 발광하는 upconversion 현상이 관찰된다. Upconversion 형광체를 이용하여 적외선을 가시광으로 변환시키면 sub-band gap 손실을 줄임으로써 태양전지 효율을 높일 수 있고, 바이오 이미징 감도를 높일 수도 있다. 그러나, upconversion 발광기구에서는 두 개의 적외선 광자가 흡수되어 하나의 가시광 광자가 방출되기 때문에 upconversion 발광 효율은 downconversion 발광 효율에 비하여 매우 낮은 특성을 보인다. 특히 형광체의 크기가 작아져 나노미터 영역의 크기가 되면 효율이 더욱 낮아지기 때문에 upconversion 나노형광체의 경우 효율을 증가시키기 위하여 형광체 주위로 결정질 쉘을 형성시키는 것이 필요하다. 이 때, 결정질 쉘에 downconversion 특성을 보일 수 있는 란탄족 원소를 도핑하는 경우 upconversion 발광 강도가 증대될 뿐 아니라, 하나의 나노입자에서 upconversion과 downconversion 두 가지 서로 다른 발광 특성을 관찰할 수 있다. 본 발표에서는 단일 나노입자에서 upconversion과 downconversion 발광을 보이는 이중발광 코어/쉘 나노형광체의 발광 특성에 대하여 논의하고자 한다.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.16 no.1
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• pp.61-66
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• 2022

The purpose of this study is to derive photon energy fluence and mass energy absorption coefficient for 1 Gy of absorbed dose of water in brachytherapy using an Ir¹⁹² source. From the radiotherapy physics written by Khan, the half-value of lead for the gamma ray beam of the Ir¹⁹² source was obtained. The linear attenuation coefficient and the mass attenuation coefficient were calculated from the obtained half-value layer of lead. By matching the calculated lead mass attenuation coefficient with the NIST mass attenuation coefficient data, the photon energy of the matching mass attenuation coefficient was determined as the effective energy. By matching the determined effective energy with the photon energy of the NIST data on the mass energy absorption coefficient of water, the mass energy absorption coefficient of water was obtained as 0.03273 cm²/g(32.73 cm²/kg). The photon energy fluence was calculated as 0.03055 J/cm² by dividing the obtained mass energy absorption coefficient (32.73 cm²/kg) by the absorbed dose of water 1 Gy.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• v.31 no.2
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• pp.97-104
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• 2006

In recent years, the MOSFET dosimeter has been widely used in various medical applications such as dose verification in radiation therapeutic and diagnostic applications. The MOSFET dosimeter is, however, mainly made of silicon and shows some energy dependence for low energy Photons. Therefore, the MOSFET dosimeter tends to overestimate the dose for low energy scattered photons in a phantom. This study determines the correction factors to compensate these dependences of the MOSFET dosimeter in ATOM phantom. For this, we first constructed a computational model of the ATOM phantom based on the 3D CT image data of the phantom. The voxel phantom was then implemented in a Monte Carlo simulation code and used to calculate the energy spectrum of the photon field at each of the MOSFET dosimeter locations in the phantom. Finally, the correction factors were calculated based on the energy spectrum of the photon field at the dosimeter locations and the pre-determined energy and directional dependence of the MOSFET dosimeter. Our result for $^{60}Co$ and $^{137}Cs$ photon fields shows that the correction factors are distributed within the range of 0.89 and 0.97 considering all the MOSFET dosimeter locations in the phantom.