MIRIS는 과학기술위성 3호의 주 탑제체로 우주 및 지구의 적외선 관측을 위한 두 개의 카메라 시스템을 가지고 있으며 이를 위한 적외선 검출용 이미지 센서가 각각 장착되어 있다. 이미지 센서를 통해 검출된 이미지 데이터를 읽기 위해 고속의 데이터 처리가 요구되어 FPGA 구성방식으로 전용 제어기를 구성하였다. 우주 및 지구의 적외선 관측용 이미지 센서는 구성 및 동작방법이 달라 요구기능을 만족하는 각각의 전용 이미지 센서 제어기를 개발했다. FPGA를 이용한 이미지 센서 제어기에는 검출된 이미지를 읽기위한 센서 제어 신호발생기, 아날로그 이미지 신호를 디지털 정보로 변환하는 ADC 제어용 신호 발생기, ADC의 출력 신호를 고속의 직렬 통신선로로 출력 하는 기능 외에 동작 모드 및 동작 상태 입력용 DSP 인터페이스, 고속의 직렬 통신 선로에 MIRIS 상태정보 삽입 기능, 제어기의 기능을 원격지에서 확인 할 수 있는 이미지 패턴 생성기능 등을 가지고 있다. 특히, 이미지를 읽기 위한 동작 시에만 클록 주파수를 인가하는 방법으로 FPGA 내부 회로를 구성하여 전류의 소모량을 최소화 하였다.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.15
no.4
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pp.327-334
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2010
This paper deals with a single-phase dynamic voltage restorer(DVR) with a quasi Z-source topology. The proposed system based on a single-phase quasi Z-source PWM ac-ac converter which have features such as the input voltage and output voltage are sharing ground, and input current operates in continuous current mode(CCM). For the detection of voltage sag-swell, peak voltage detection method is applied. Also, the circuit principles of the proposed system are described. During the 60% severe voltage sag and 30% voltage swell, the proposed system controls the adding or missing voltage and maintains the rated voltage of sinusoidal waveform at the terminals of the critical loads. Finally, PSIM simulation and experimental results are presented to verify the proposed concept and theoretical analysis.
Ly, Suw Young;June, Young Sam;Lee, Hyun Ku;Kwak, Kyu Ju;Kim, Kun Woo;Kim, Jong Hyoung;Jeong, Ho Young;Kim, Bong Kyun;Chun, Seok Joo;Chang, Jin Won
Analytical Science and Technology
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v.20
no.4
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pp.289-295
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2007
A simple electric circuit of an infrared photodiode electrode (IPDE) was utilized to monitor iron using square-wave (SW) anodic stripping voltammetry (SV) and cyclic voltammetry (CV). The optimum analytical conditions were determined and were compared with those of common working electrodes. The comparison showed that CV is more sensitive and convenient to use than the common voltammetry methods. At the optimized conditions, the working ranges of 0.1- to 0.8- and 0.85- to 6.0 mg/L iron was obtained. Relative standard deviation of 15 measurements of iron (0.4 mg/L) was 0.09%. The analytical detection limit was found to be $80{\pm}0.6ug/L$, which was applied to iron in waste water.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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v.44
no.1
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pp.12-18
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2007
As an arc fault interrupter, the AFCI mentioned in this paper has been designed to detect and interrupt arc faults due to wire deterioration, insulation, wire damage, loose connection, and excessive mechanical damage. Since AFCI is digital and uses mechanical and electric stress, the length of interruption against overload and over-current is much shorter than the current bi-metal method. Therefore, the risk of electrical fires has been reduced.
In the three-phase power system using the three-phase motor, when any one-phase is open-phase, the unbalanced current flows and the single-phase power supplied by power supply produces overcurrent to motor coil. As a result, the enormous damage and electrical fire can be given to the power system. Recently, the thermal over-current relay (THR) or electronic motor protection relay (EMPR) is mostly used as the open-phase detection device of the three-phase motor. When the over-current or overheat of electric line is generated, it detects and operates circuit breaker, but there is the defect that the sensing speed is slow, the operation can be sometimes failed, and the precision is decreased. In order to improve these problems, this paper is proposed a new control circuit topology for openphase protection using semiconductor devices. Therefore, the proposed open-phase protection device (OPPD) enhances the sensing speed and precision, and has the advantage of simple fitting in the three-phase motor control panel in the field, as it manufactures into small size and light weight. As a result, the proposed OPPD protects the three-phase motor, minimizes the electrical fire from openphase, and contributes for the stable driving of the power system. The performance and confidence of the proposed OPPD is confirmed by a great variety of the experiments of operation characteristic.
The determination of iron(Ⅱ), iron(Ⅲ) and total iron was studied by differential-pulse and Tast polarography in 0.1 M acetate buffer solution at pH 4.60, Half wave potentials of iron(Ⅱ)-DTPA and iron(Ⅲ)-DTPA complexes were -0.150V vs. SCE reference electrode. In the presence of DTPA the redox process of iron(Ⅱ) and iron(Ⅲ) was reversible. Linear calibration plots were obtained for iron(Ⅱ) and iron(Ⅲ) concentration of 0.2∼1.0 mM. The detection limits of iron(Ⅱ) and iron(Ⅲ)by Tast polarographic method were 0.05 mM and 0.07 mM, respectively.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.13
no.2
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pp.88-94
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1999
This paper describes the high efficiency inverter ballast circuit using very cheap microprocessor, which has been developed by the author. A variety of soft-switching techniques have been proposed to reduce the switching losses and EMI publems that accur with higher switching frequencies in switched inverter ballast 1be inverter ballast circuit, which employs a temperature sensing circuits has been also proposed to improve starting performance of the fluorescent lamps. That is, the inverter ballast circuit, which employs a soft-starting circuits and soft-switching techniques to implement the power factoc correcticn and to mitigate of power-loss and iocrease a life time of the fluorescent lamps, has become an attractive performance forballasting the fluorescent lamps. In this paper, the operation and the control of the inverter ballast are described in detail and experimental results are presented. As the experimental results, when enviroment temperatture is at TEX>$-40^{\circ}C$, the inverter ballast circuit has low THD(4.8%) of the input current and large power factor(98%) of the lamp current. The proposed improved ballast circuit awears to be a good performance for ballasting fluorescent lamps. lamps.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.36D
no.2
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pp.71-80
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1999
In this paper, a power MOSFET driver with protection circuits is designed using a 2${\mu}m$ high-voltage CMOS process. For stable operations of control circuits a power managing circuit is designed, and a voltage-detecting short-circuit protection(VDSCP) is proposed to protect a voltage regulator in the power control circuit. The proposed VDSCP scheme eliminates voltage drop caused by a series resistor, and turns off output current under short-circuit state. To protect a power MOSFET, a short-load protection, a gate-voltage limiter, and an over-voltage protection circuit are also designed A high voltage 2 ${\mu}m$ technology provides the breakdown voltage of 50 V. The driver consumes the power of 20 ~ 100 mW along its operation state excluding the power of the power MOSFET. The active area of the power MOSFET driver occupies $3.5 {\times}2..8mm^2$.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.8
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pp.35-41
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2000
The frequency dependence of the pyroelectric characteristics of $LiTaO_3$ have been investigated by using the dynamic method. In the frequency range between 2 and 1000 Hz, they are measured in both the regimes of pyroelectric current ($R_L=1M{\Omega}$) and pyrelectric voltage ($R_L=17.3G{\Omega}$), which can be selected by adjusting the value of the load resistance. Pyroelectric coefficient depending on the voltage response in the regime of pyroelectric current shows the maximum value of $1.56{\times}10^{-8}C/cm^2{\cdot}K$ at 40 Hz. The maximum values of figures of merits for the voltage response and for the detectivity are measured as $10.8{\times}10^{-11}C{\cdot}cm/J$ and $13{\times}10^{-7}C{\cdot}cm/J$, respectively. The voltage responsivity depending on the voltage response in the regime of pyroelectrci voltage shows the maximum value of 488 V/W at 2 Hz. Noise equivalent power and detectivity shows the minimum value of $3.95{\times}10^{-10}W/{\sqrt}Hz$ and maximum value of $5.6{\times}10^8cm{\cdot}{\sqrt}Hz/W$ at 40 Hz, respectively.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.23
no.1
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pp.169-175
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2009
In this experiment molybdeum oxide($MoO_3$) films were prepared by a magnetic null discharge(MND) sputtering system and fundamental properties by XRD, XPS and SEM analysis were investigated. The initial and mean insulation resistance of the same with $MoO_3$ film were about 1.4[$M{\Omega}$] and 800[$k{\Omega}$] under the condition of applied voltage of 400[V]. The preferred orientation in the films changed from(100) to (210) with substrate temperature. Two XPS peaks of the $MoO_3$ photoelectron were detected at the binding energies of 228.9[eV] and 232.4[eV], while the binding energy of the O1s peak was 532.6[eV]. The substrate temperature and reactivity gives large effects to the structure and growth of the film and system is also very useful for performing the uniform reactive deposition. It can be found from the result of a $MoO_3$ film deposition that the system is very useful for performing the uniform reactive sputtering.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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