• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2017.07a
• /
• pp.84-85
• /
• 2017

본 논문은 LLC 공진형 컨버터의 고전력밀도를 위한 IM(Integrated Magnetics)을 제안한다. 일반적으로 컨버터의 전력밀도는 사용되는 변압기, 인덕터와 같은 자기소자에 의해 결정되므로, 평판형 자기소자(Planar Magnetics)는 고 전력밀도화에 매우 적합하다. 하지만 LLC 공진형 컨버터에 평판형 자기소자를 적용할 경우 높은 자기 결합도에 의해 공진을 위한 충분한 누설 인덕턴스를 얻을 수 없다. 따라서 공진동작을 위한 추가적인 인덕터의 사용이 필수적이며, 전력밀도는 감소하게 된다. 반면, 제안방식은 자기소자 내부에 형성되는 두 개의 자화 인덕터를 공진 인덕터로 사용하기 때문에 공진동작에 필요한 누설 인덕터가 필요하지 않다. 또한, 이러한 두 개의 자화 인덕터는 하나의 자기소자에 집적화 할 수 있으므로 고 전력밀도에 유리한 구조를 갖는다. 더불어, 공진동작에 필요한 모든 파마리터가 설계자의 의도대로 설계가능하기 때문에 컨버터 최적설계가 매우 유리하다. 제안방식의 타당성을 확인하기 위하여 자기소자 모델을 통한 효율분석 및 350W-800kHz 시작품에 대한 실험결과를 제시한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2000.05b
• /
• pp.294-297
• /
• 2000

본 연구에서는 압전형 음향변환기를 제작하기 위한 금속과 세라믹스로 적층된 원형의 압전음향소자와 음향변환기 케이스를 설계하였다. 먼저 음향소자인 복합원형평판의 진동운동 방정식을 세우고 그 진동모드를 알아보았다. 음향소자의 세라믹스는 두께 1 mm, 지름 10 mm의 PZT(IV)를 사용하였고, 금속판의 지름과 두께를 다양하게 변화시키면서 음향소자의 공진주파수를 계산하고, 각각의 금속판에 따른 감도지수의 변화를 계산하였다. 설계하고자 하는 음향소자의 공진주파수를 200 KHz로 청하고, 위의 계산을 통하여 음향변환소자에 가장 적합한 금속진동판을 찾아보았다. 음향변환기의 복합원형평판으로 이루어진 음향소자의 물리적 변화에 따른 공진주파수와 감도지수를 구하고 음향변환기 케이스의 공진주파수를 계산하여 압전형 음향변환기에 알맞은 금속진동판과 음향변환기 케이스를 알아보았다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2003.02a
• /
• pp.36-37
• /
• 2003

원형 미소공진기는 Q값이 매우 큰 공진모드가 존재할 수 있어, 광집적회로 등의 초저문턱 미소공진기 레이저에 적용되는 연구가 활발하게 수행되고 있고, 광통신용 Add／Drop Filter, 전-광 (electrical to optical) 직접 변환소자 등의 광소자 분야에 활용하려는 연구가 진행되고 있다. 한편 미소공진기 연구는 원형에서 더 나아가 square, quadrupole, spiral, mismatched two cavities등으로 확장되고 있다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.27 no.5
• /
• pp.181-187
• /
• 2016

We report on the parameter-dependent optical characteristics of the unidirectional single-mode lasing square ring cavities. Using the taper-step section in the square cavities, the resonant direction can be selected and we characterize the optical losses by changing the taper lengths. Various kinds of square ring cavities are fabricated, based on InGaAsP/InGaAs multiple quantum well semiconductor materials. From the experimental results we obtain the optimized taper length for a given device structure, while maintaining unidirectional single-mode lasing.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
• /
• v.5 no.2
• /
• pp.170-175
• /
• 2000

A new quasi-parallel resonant DC link inverter is proposed for three phase soft switching application. By i inserting only one additional switch, the proposed inverter excludes both voltage stresses and restricted PWM p problems, which are demerits of the conventional resonant inverter. In this paper, the circuit operations are e explained in detail using the operational mode analysis of the proposed inverter and design methods of the r resonant components are suggest('x:l. Lastly, the applicable possibility of the proposed inverter is vel예fied t through the experimental results.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2003.05a
• /
• pp.530-533
• /
• 2003

본 논문에서는 2GHz의 패치폭과 그라운드면의 폭이 같은 QMSA의 구조를 설계 및 제작하였고, QMSA의 구조를 변형하여 용량을 장하한 QMSA와 기생소자를 갖는 QMSA를 제안하였다. QMSA의 구조는 한 쪽 끝이 전기적으로 단락된 λ/4의 구조로 설계하였으며, 용량을 갖는 QMSA는 상측 평행 평판과 하측 평행 평판 사이의 용량을 구성시킴으로써 리턴로스와 공진주파수의 변화를 비교 평가하였다. 또한, 기생소자를 갖는 QMSA의 구조는 상측 평행 평판위에 기생소자를 가변함으로써 안테나를 소형화할 수 있었다. QMSA는 2GHz의 중심주파수를 갖고 2%의 대역폭을 갖으며, 용량의 변화와 기생소자의 길이에 따라 공진주파수의 변화를 보였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2011.11a
• /
• pp.24-25
• /
• 2011

본 논문은 LLC 공진형 컨버터의 효율 특성 검토에 관한 연구이다. 고효율을 구현하기 위하여 제안된 동기정류기형 LLC 하프브리지 공진형 컨버터를 채택하였으며 출력측 회로에 다이오드 대신 능동 스위칭 소자(MOSFET)를 사용하였다. 본 논문에서는 고효율 컨버터를 구현함에 있어 몇가지 경우의 입력 및 출력 조건에서 고효율을 갖는 스위칭 소자를 선정하였고 실제 스위칭 소자의 특성을 반영한 시뮬레이션을 통해 LLC 하프브리지 공진형 컨버터의 효율 특성을 검토하고 개선효과도 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2003.10a
• /
• pp.633-636
• /
• 2003

In this work, We, for the first time, present the effects of the thermal annealing of the W/SiO$_2$ multi-layer quarter wavelength reflectors on the resonant properties of the ZnO-based SMR devices. In order to improve the resonant properties of the SMR devices, we annealed thermally the reflectors formed on a silicon substrate using a RF magnetron sputtering technique. As a result, the resonant properties of the SMR devices were observed to strongly depend on the annealing conditions applied to the reflectors. The SMR devices with the reflectors annealed at 40$0^{\circ}C$/30min showed excellent resonance properties as compared to those with the reflectors non-annealed (as-deposited). The newly proposed simple thermal annealing process will be very useful to more effectively improve the resonant properties of the future SMR devices with W/SiO$_2$ multi-layer quarter wavelength reflectors.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2010.06a
• /
• pp.228-228
• /
• 2010

본 연구에서는 공진주파수 수식을 이용한 MATLAB과 Modal 해석법을 사용한 ANSYS로 공진주파수 특성을 시뮬레이션 하였다. 외팔보의 시뮬레이션 결과에서는 길이가 길어짐에 따라, 또는 proof mass의 크기가 커짐에따라 공진주파수 특성이 낮아지는 결과가 나타났다. 따라서 본 실험에서의 외팔보는 낮은 공진 주파수를 가지기 위해 Si proof mass를 사용하여 제작하였다. 외팔보 소자는 Silicon-on-insulator wafer를 사용하여 SiO2/Ti/Pt/PZT/Pt 박막을 증착하였고, 마스크를 사용한 식각 공정으로 제작하였다. 이때의 MATLAB, ANSYS 시뮬레이션 결과와 실험에서 제작된 소자는 유사한 공진주파수 특성을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2011.05a
• /
• pp.696-698
• /
• 2011

We present a new method for the fabrication of film bulk acoustic wave resonator (FBAR) devices that exploits the thin piezoelectric ZnO films particularly sputter-deposited in a mixture of N2O and Ar gases as the reactive and sputtering gases, respectively. Some thermal annealing treatments were performed on the as-deposited ZnO films and also their effects on the resonance characteristics of the FBAR devices were investigated. It was found that with an optimized process, the resonance characteristics of the fabricated FBAR devices could be further improved.