• Title/Summary/Keyword: 공정 보도

Search Result 2,161, Processing Time 0.037 seconds

Pentacene based organic thin film transistor on aqueous media for biosensor

  • Lee, Dong-Jun;Chae, Seung-Geun;Gwon, O-Jun;Jeong, Byeong-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2015.08a
    • /
    • pp.210.2-210.2
    • /
    • 2015
  • 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)기반의 바이오센서는 저비용 제작 및 플렉서블 소자 제작이 가능하여 많은 주목을 받아오고 있다. 본 연구에서는, hexamethyldisilazane (HMDS) 표면 처리된 $Si/SiO_2$ 기판 위에 진공 증착 공정을 이용하여 pentacene 기반의 OTFT를 제작한 후, 수용성 매체에 대한 안정성을 향상시키기 위하여 저분자 물질인 tetratetracontane (TTC)를 진공 증착 공정을 이용하여 증착하였으며, cyclized perfluoropolymer (CYTOP)을 용액 공정으로 코팅하여 bilayer의 passivation 층을 형성하였다. 실제 제작된 OTFT의 수용성 매체에 대한 안정성을 테스트하기 위하여 소자에 수용성 phosphate buffered saline (PBS)용액을 투하하여 10분에 걸쳐 1분 간격으로 transistor의 transfer 특성을 측정하였다. 또한 측정된 $I_d-V_g$ 곡선 데이터를 이용하여 시간에 따른 드레인 전류, 이동도, 문턱 전압, 점멸비 등의 수치를 산출하였다. 그리고, 그 $I_d-V_g$ 곡선 데이터와 산출된 데이터들을 증류수가 투하된 OTFT 소자의 $I_d-V_g$ 곡선 데이터와 산출된 데이터들과 비교하였다. 결론적으로, TTC/Cytop bilayer passivation 층이 형성된 OTFT 소자는 인체 내 혈액의 pH와 유사한 PBS 용액 하에서도 안정적인 구동 성능을 보여 바이오센서로 응용될 수 있는 가능성이 있다는 결론을 얻었다.

  • PDF

Performance of one batch type and multi functional pre-treatment agent for CPB process (CPB용 다기능성 일욕형 전처리 조제의 성능)

  • Park, Beob;Cho, Yeon-Jeong;Koo, Kang
    • Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
    • /
    • 2012.03a
    • /
    • pp.61-61
    • /
    • 2012
  • 현재 기능성 의류 섬유시장에서도, 요구하는 주요 기능들의 퍼포먼스 수준을 보여주는 과학적 수치들과 함께 기능성 섬유제작 과정에서 얼마나 친환경적인 제조과정을 거쳤는가에 대한 정보들도 요구하고 있는 중이다. 섬유에 인간과 환경에 유해한 성분이 최대한 배제됐으며 생산 과정에서의 자연자원의 낭비가 이뤄지지 않았음을 증명해야한다. CPB 전처리 공정은 혼방직물과 같이 서로 다른 물성을 가지는 직물에 대한 저온 처리로 섬유 손상을 최소화하고, $CO_2$ 발생량 및 에너지 소비량을 감소시킬 수 있는 이점이 있다. CPB 전처리는 호발, 정련, 표백을 포함하는 공정으로 일욕으로 처리 시 패딩, 수세, 와인딩 공정을 단축시키기 때문에 약품 소비량 감소와 에너지 사용 절감 효과가 있어 전 세계적으로 확산되고 있는 Green Technology이다. 본 연구에서는 CPB용 전처리 조제(4~5종)을 일욕화 하여 가공업체 생산성 향상 및 원가절감, 환경유해성 감소를 목표로 하여 CPB 전처리의 최적 가공조건을 확립하는 것이 목표이다. 첨가 용제의 종류 및 첨가량을 변화시켜 각 조성비에 따른 sample을 제조하여 정련성, 호발성, 알칼리 안정성, Whiteness를 측정하여 전처리 성능을 분석하고, 과수안정성, 금속이온 봉쇄력을 비교하여 최적 조성비 및 중합조건을 확립하였다.

  • PDF

Micro Raman Spectroscopic Analysis of Local Stress on Silicon Surface in Semiconductor Fabrication Process (반도체 제조 공정에서 실리콘 표면에 유입된 Stress의 마이크로 Raman 분광분석)

  • Son, Min Young;Jung, Jae Kyung;Park, Jin Seong;Kang, Sung Chul
    • Analytical Science and Technology
    • /
    • v.5 no.4
    • /
    • pp.359-366
    • /
    • 1992
  • Using micro-Raman spectrometer, we investigated the evaluation of microstress on silicon surface after the local thermal oxidation. The induced stress of silicon surface after local thermal oxidation shows maximum value at the interface of silicon oxide and active area. The smaller the size of active area, the larger stress. From the evaluation of three other device isolation processes, A, B and moB, whose active size has $0.45{\mu}m$ in length, moB process is turned out to have the lowest stress value and the smallest bird's beak effect.

  • PDF

Fuzzy Polynomial Neural Network Algorithm using GMDH Mehtod and its Application to the Wastewater Treatment Process (GMDH 방법에 의한 FPNN 일고리즘과 폐스처리공정에의 응용)

  • Oh, Sung-Kwon;Hwang, Hyung-Soo;Ahn, Tae-Chon
    • Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
    • /
    • v.7 no.2
    • /
    • pp.96-105
    • /
    • 1997
  • In this paper, A new design method of fuzzy modeling is presented for the model identification of nonlinear complex systems. The proposed FPNN(Fuzzy Polynomial Neural Network) modeling implements system structure and parameter identification using GMDH(Group Method of Data Handling) method and linguistic fuzzy implication rules from input and output data of processes. In order to identify premise structure and parameter of fuzzy implication rules, GMDH method and regression polynomial fuzzy reasoning method are used and the least square method is utilized for the identification of optimum consequence parameters. Time series data for gas furnace and those for wastewater treatment process are used for the purpose of evaluating the performance of the proposed FPNN modeling. The results show that the proposed method can produce the fuzzy model with higher accuracy than other works achieved previously.

  • PDF

Investigation on the Electromagnetic Characteristics of CMOS Rectangular Spiral Inductors according to the Geometrical Change (CMOS 직사각형 나선 인덕터의 기하학적 변화에 따른 전자기적 특성에 관한 연구)

  • Jin Kyoung-Shin;Kim Young-Sik
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
    • /
    • v.41 no.12
    • /
    • pp.125-130
    • /
    • 2004
  • The characteristics of on-chip spiral rectangular inductors in CMOS process are investigated through the simulation and experiment. The ADS-momentum is used for EM simulation, and the spiral inductors are fabricated with Hynix 0.35㎛ CMOS process. This research mainly concerned the effects of the geometric change in terms of the number of turns and the width of micro strip line. The measured and simulated results show that the Hynix 0.35㎛ process could support a top metal spiral inductor of 1nH to 6nH with Q-factor less than 5.

Wafer Position Recognition System of Cleaning Equipment (웨이퍼 클리닝 장비의 웨이퍼 장착 위치 인식 시스템)

  • Lee, Jung-Woo;Lee, Byung-Gook;Lee, Joon-Jae
    • Journal of Korea Multimedia Society
    • /
    • v.13 no.3
    • /
    • pp.400-409
    • /
    • 2010
  • This paper presents a position error recognition system when the wafer is mounted in cleaning equipment among the wafer manufacturing processes. The proposed system is to enhance the performance in cost and reliability by preventing the wafer cleaning system from damaging by alerting it when it is put in correct position. The key algorithms are the calibration method between image acquired from camera and physical wafer, a infrared lighting and the design of the filter, and the extraction of wafer boundary and the position error recognition resulting from generation of circle based on least square method. The system is to install in-line process using high reliable and high accurate position recognition. The experimental results show that the performance is good in detecting errors within tolerance.

Technological Studies on Textured Soybean Protein (Part I) -Effect of Drying Process on Gelling Properties of Soybean Protein Isolate- (대두단백육(大豆蛋白肉)의 제조(製造)에 관한 연구(硏究) (제 1 보(第 1 報)) -건조공정(乾燥工程)이 분리대두단백(分離大豆蛋白)의 Gel 성질에 미치는 영향-)

  • Moon, Juhn-Woong
    • Korean Journal of Food Science and Technology
    • /
    • v.2 no.2
    • /
    • pp.49-55
    • /
    • 1970
  • In preparation of textured soybean protein, drying process of the isolated protein affected its gelling property and other related characteristics such as water holding capacity and viscosity. In model systems, denaturation of the protein, as determined in terms of nitrogen solubility index (NSI), was appeared to be a parameter of the gel strength of soybean protein isolate. The gel strength was maximum when the protein was denatured properly during drying process of which the NSI was 43 in this experiment and decreased at either the higher or the lower NSI. It indicated that proper denaturation of the protein during drying operation is advantagous for the preparation of textured soybean protein but not neccesary to make highly undenatured one.

  • PDF

A Study on PVD coating technology for Metallic Bipolar Plate Forming Mold (연료전지용 금속분리판 성형 금형 장수명화 코팅 기술 연구)

  • Kim, Eun-Yeong;Jeon, Yu-Taek
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2011.02a
    • /
    • pp.166-166
    • /
    • 2011
  • 연료전지 핵심 부품 가운데 하나인 분리판(Bipolar plate)는 막전극체(MEA), 기체확산층(GDL)과 함께 발생한 전류의 수집 및 전달, 반응 가스의 수송, 반응/생성물의 수송 및 제거, 반응열 제거 등을 위한 냉각수 전달 등의 다양한 역할을 담당한다. 이러한 역할을 위하여 분리판은 우수한 전기전도성, 열전도성, 화학적 안정성이 요구되어 진다. 기존의 연료전지용 분리판은 흑연계 소재 및 수지와 흑연을 혼합한 복합 흑연 재료를 통해 제조하여 요구 되어지는 물성을 만족시켜 왔으나 흑연계 분리판의 경우 강도 및 가스 밀폐성 측면에서 낮은 특성을 보이며 특히 고가의 제조 공정 비용과 낮은 양산성으로 인하여 자동차 연료전지 상용화에 수많은 해결 과제를 안고 있었다. 흑연계 분리판의 이러한 문제점을 대체하기 위한 연구로 최근 금속계 분리판의 적용 및 개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히 금속계 분리판은 양산 제조 공정이 적용 가능하여 대량생산이 가능하며 자동차 연료전지 스택의 경량화 및 박판화가 가능하다는 장점을 가지고 있다. 그러나, 박판의 스테인리스강을 소재로 적용한 금속분리판의 양산을 위하여 반드시 선행되어야 할 연구가 바로 금형 코팅 연구이다. 일반 자동차 생산 금형을 평균 약 50만타로 예측한다면 연료전지 금속계 분리판 성형 금형의 현재 수명은 약 10만타로 추정 가능하다. 이러한 원인은 고하중의 프레스 사용과 정밀 금형으로 인한 극한 공정 조건으로 야기된 결과이며 문제 해결을 위하여 성형 금형에 PVD 코팅 적용 연구를 진행하였다. 성형 금형의 PVD 코팅 적용을 통하여 금형 교체 주기 감소를 통한 생산 원가 절감 및 이형성 개선을 통한 성형성 확보를 목표로 본 연구를 진행하였다.

  • PDF

오스테나이트계 스테인레스강의 플라즈마 질화공정에 의한 내식성 평가에 대한 고찰

  • Yeo, Guk-Hyeon;Park, Yong-Jin;Kim, Sang-Gwon;Lee, Jae-Hun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.02a
    • /
    • pp.254-254
    • /
    • 2012
  • 최근 친환경 에너지원 및 에너지 저감기술을 바탕으로 한 자동차 부품산업이 재편되고 있다. 그 중, 극한의 산화전해질 환경에서 견뎌야하는 연료전지 분리막 소재와, 자동차 연비향상을 위한 엔진소재 개발 경쟁이 가열되는 상황이다. 이러한 소재에는 공통적으로 고 내식성과 내 마모성의 특성이 요구되는데, 스테인레스강은 이러한 조건에 적합한 소재이다. 왜냐하면, 사용분위기에 의해 산화막이 두꺼워지고 이로 인해 저항이 증가하는 현상 때문에 연료전지 부품에 질화를 하여 이런한 현상이 일어나지 않으면서 내식성은 유지하기 때문이다. 하지만, 표면경도가 낮아 내 마모성 저하로 부품의 수명을 떨어뜨리는 단점이 있다. 따라서, 고 내식성 유지하되, 표면경도는 향상하는 기술이 필요한데, S-phase 과고용 질화기술은 이러한 문제를 해결할 것으로 보여진다. 하지만, 이러한 층의 형성에도 불구하고, 스테인레스강 자체 소재제작 과정에서의 품질문제 및 가공경화로 인한 문제와 더불어 질화처리 후 표면계질의 석출상이나 크랙형성으로 인해 내식성은 오히려 저감되는 문제를 지니고 있다. 이에 대한 대안으로, 표면 질화처리 후 침탄 공정을 추가 도입하였다. 따라서, 본 연구 에서는 기존 질화공정에서 내식성 저하원인에 대한 분석 및 고찰하고, 또한 새롭게 제안된 질화 침탄 기술을 통해 질소뿐만 아니라 탄소원자의 침입으로 내식성 저하를 방지하는 동시에 표면경도 향상하는 새로운 연구결과를 보여주고자 한다.

  • PDF

온도 Stress에 따른 High-k Gate Dielectric의 특성 연구

  • Lee, Gyeong-Su;Han, Chang-Hun;Choe, Byeong-Deok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2012.02a
    • /
    • pp.339-339
    • /
    • 2012
  • 현재 MOS 소자에 사용되고 있는 $SiO_2$ 산화막은 그 두께가 얇아짐에 따라 Gate Leakage current와 여러 가지 신뢰성 문제가 대두되고 있고, 이를 극복하고자 High-k물질을 사용하여 기존에 발생했던 Gate Leakage current와 신뢰성 문제를 해결하고자 하고 있다. 본 실험에서는 High-k(hafnium) Gate Material에 온도 변화를 주었을 때 여러 가지 전기적인 특성 변화를 보는 방향으로 연구를 진행하였다. 기본적인 P-Type Si기판을 가지고, 그 위에 있는 자연적으로 형성된 산화막을 제거한 후 Hafnium Gate Oxide를 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 증착하고, Aluminium을 전극으로 하는 MOS-Cap 구조를 제작한 후 FGA 공정을 진행하였다. 마지막으로 $300^{\circ}C$, $450^{\circ}C$로 30분정도씩 Annealing을 하여, 온도 조건이 다른 3가지 종류의 샘플을 준비하였다. 3가지 샘플에 대해서 각각 I-V (Gate Leakage Current), C-V (Mobile Charge), Interface State Density를 분석하였다. 그 결과 Annealing 온도가 올라가면 Leakage Current와 Dit(Interface State Density)는 감소하고, Mobile Charge가 증가하는 것을 확인할 수가 있었다. 본 연구는 향후 High-k 물질에 대한 공정 과정에서의 다양한 열처리에 따른 전기적 특성의 변화 대한 정보를 제시하여, 향후 공정 과정의 열처리에 대한 방향을 잡는데 도움이 될 것이라 판단된다.

  • PDF