• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.24-24
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• 2010

Chalcopyrite $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) 화합물 반도체는 고효율 박막태양전지의 광 흡수층으로 사용되는 물질 중 가장 우수한 효율 (19.9%, NREL 2008)을 보유하고 있다. CIGS는 직접천이형 에너지밴드갭 (direct bandgap)을 가지고 있고, 광흡수계수가 $1{\times}10^5\;cm^{-1}$로서 반도체 중 서 가장 흡수율이 높은 재료에 속하여 두께 $1{\sim}2\;{\mu}m$의 박막으로도 고효율의 태양전지 제조가 가능하고, 또한 장기적으로 전기광학적 안정성이 매우 우수한 특성을 지니고 있다. 현재 고효율 CIGS 셀생성을 위해 널리 사용되고 있는 CIGS 흡수층 성장공정은 "co-evaporation(동시증발법)"과 2-step 공정이라 불리는 "sputter-selenization(스퍼터-셀렌화)" 방법이다. 동시증발법은 개별원소 Cu, In, Ga, Se 들을 고진공 분위기에서 고온 ($550{\sim}600^{\circ}C$)기판위에 증착하는 방법으로 소면적에서 가장 좋은 효율(~20%)을 보이는 공정이다. 하지만, 고온, 고진공 공정조건과 대면적 증착시 온도 및 조성 불균일 등의 문제점 등으로 상용화에 어려움이 있다. 스퍼터-셀렌화 공정은 1단계에서 스퍼터링 방식으로 CuGaIn 전구체를 증착하고, 2단계에서 고온($550{\sim}600^{\circ}C$)하에 $H_2Se$ 혹은 Se vapor와 반응시켜 CIGS를 생성한다. 일본의 Showa Shell와 Honda Soltec 등에 의해 이미 상업화 되었듯이, 저비용 대면적으로 상업화 가능성이 높은 공정으로 평가되고 있다. 하지만, 2단계에서 사용되는 $H_2Se$ 및 Se vapor의 유독성, 기상 Se과 금속전구체 간의 느린 셀렌화 반응속도, 셀렌화반응 후 생성된 CIGS 박막 두께방향으로의 Ga 불균일분포, 생성된 CIGS/Mo 계면 접착력 저하등의 문제점들이 해결되어야만 상업화에 성공할 수 있을 것이다. 본 Tutorial에서는 CIGS 물질의 열역학 상평형과 반응메카니즘에 대해 설명하고, 다양한 생성 공정들을 소개할 것이다.

• Korean Journal of Heritage: History & Science
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• v.44 no.2
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• pp.26-45
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• 2011

The Gongchengzuofazeli, which was published in 1734, the 12th year of the Yongzheng (雍正) emperor of the Ching Dynasty, is an authoritative book that discusses the architectural technology and engineering practices at that time. Moreover, buildings constructed during the Ching Dynasty are substantially similar with the book's content. This study is important in that it is done as the first step in conducting a comparative analysis between the Korean and Chinese wood structure mechanism. First, each content of the book is examined according to the editing order. And second, the standard for division between Da-shi (大式) and Xiao-shi (小式) architecture in terms of heavy woodwork method (vol. 1~27) is redefined, from which a new organization is deduced.

• Journal of IKEEE
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• v.25 no.2
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• pp.356-361
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• 2021

Super Junction structure is the proposed structure to minimize the Trade-off phenomenon of power devices. Super Junction can have On-resistance(Ron) characteristics as less as five times than conventional structure. There are process methods that Multi-Epi and Deep-Trench of Super Junction structure. The reason for this is that Deep-Trench process is known to be a relatively difficult manufacturing method because it is easy to form a P-Pillar by burying impurities on top of a silicon substrate through a Deep-Trench process. However, the structure created by the Deep-Trench process has low On-resistance and high breakdown voltage, showing better efficiency. In this paper, we suggested a novel method in the process and designed structure with Charge Balance theory.

• 프린팅코리아
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• s.3
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• pp.44-46
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• 2002

지난 2001년 12월 13일. 공정거래위원회는 한국화상정보제판공업협동조합(이하 제판조합)이 서체회사를 상대로 독점규제 및 공정거래에 관한 법률 위반 혐의로 고발한 사건에 대해 무혐의 처리를 내렸다. 어떻게든 공급되는 서체 가격을 현실화 시켜보겠다던 제판조합의 세 번째 노력이 물거품 되는 순간이었다. 세 번의 노력이 허사로 돌아간 제판조합은 서체회사에 대한 더 이상의 행동은 취하지 않을 것으로 보인다. 하지만 제판조합의 공정위를 통한 서체가격 인하 포기 의사가 출력회사들이 서체회사들의 높은 가격을 인정하는 것은 아니다. 세 번의 판정패에 대해 출력장비 보유업체는 여전히 그들의 패배를 인정하지 않고 있으며, 서체 가격을 내리고 말겠다며 투지를 다지고 있다. 서체 공급회사 관계자들을 만나 여전히 현안으로 남아있는 문제들에 대한 입장을 들어봤다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.214.2-214.2
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• 2015

본 연구에서는 Zr을 첨가한 용액 공정 기반 ZTO:Zr 산화물 반도체 제작 및 열처리 온도에 따른 트랜지스터의 특성 변화를 분석하였다. Zn:Sn=4:7 비율로 고정하고, Zr (0~1%) 비율에 따른 도핑과 열처리 온도($350{\sim}550^{\circ}C$)를 가변하였다. 실험 결과, Zr의 비율이 증가할수록 전류와 이동도가 감소하였고, 문턱전압이 양의 방향으로 이동하는 것을 확인하였다. Zr는 SEP (Standard Electrode Potential)가 -1.45로 Zn (-0.76), Sn (-0.13) 보다 작아 금속과 산소의 결합을 증가시키며, 또한 밴드갭이 ~7 eV로 다른 금속 보다 높아 산소와 결합력이 높다. 이러한 요인은 산화물 내의 산소 원자 결함(Oxygen vacancy)을 감소시킨다. 반대로 열처리 온도가 높아질수록 탈 수산화(Dehydroxylation)로 인한 산소 원자 결함이 증가시켜, Zr 도핑 효과와 반대 경향을 보인다. 실험 결과를 통해 Zr:Zn:Sn=0.5:4:7의 비율과 $550^{\circ}C$ 열처리 조건에서 문턱전압과 이동도, 아문턱 스윙, 전류 온오프 비(Ion/Ioff)가 각각 0.68V, $0.18cm^2/Vs$, 1.06 V/dec, $1.6{\times}10.6$의 특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.150-150
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• 2003

wide bind gap과 wurtzite hexagonal structure를 가지고 있으며 청색 발광 및 청자색 레이저 특성을 보이는 III-V족 화합물반도체 GaN는 laser diodes (LD) 및 light emitting diodes (LED) 재료로 주목받고있는 주요 전자재료이다. 본 연구에서는 GaN를 chemical vapor deposition (CVD) 법을 이용하여 vapor-liquid-solid (VLS) mechanisum에 의하여 GaN나노와이어 형태로 성장시켰다. 기판은 (001)Si을 사용하였고 suputtering을 이용하여 GaN와 AlN의 double buffer layer (DBL)를 증착시켰으며 촉매로는 Ni을 사용하였다. 또한, 원료로는 고순도 Ga금속과 NH$_3$ gas를, carrier gas로는 Ar을 사용하여 GaN/AlN/(001)Si 위에 GaN 나노와이어를 성장시켰다. 성장된 GaN 나노와이어는 DBL의 두께, Ga source의 양, 튜브 안의 압력, 튜브 안의 위치 등의 제 공정변수에 따라 tangled, straight 등의 다양한 형상을 보였으며 지름은 약 30~100 nm, 길이는 수 $\mu\textrm{m}$로 관찰되었다. GaN나노와이어의 결정성, 형상 및 발광특성 등을 x-ray diffraction (XRD), photoluminesence (PL), scanning electron microscope (SEM), transmision electron microscope (TEM) 등을 이용하여 측정하였으며 제 공정변수와의 상관관계를 규명하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2007.06a
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• pp.598-601
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• 2007

셀룰로오스, 헤미셀룰로오스, 리그닌으로 구성된 목질계 바이오매스를 이용한 가스화의 경우 30%의 리그닌 성분이 열에 안정한 상태인 타르로 형성되면서 가스화 후단공정에서의 정제, 발전 등에 직접 사용하기 어려우며, 가스화 효율을 저하시키는 원인이 된다. 이의 문제 해결을 위하여 본 연구에서는 촉매를 이용한 수증기 개질 반응을 통하여 타르를 합성가스로 개질시킬 수 있는 방법을 모색하기 위하여 다양한 온도, 촉매, 스팀 주입량 및 촉매크기에 따른 전환율, 생성가스 특성을 알아보았다. 타르 대상 물질로는 타르 내 상당부분을 차지하고 있는 톨루엔을 이용하였다. 일반적으로 반응온도, 스팀 주입량이 증가할수록 수소 생성량이 증가하였으며, 지르코니아로 증진된 니켈 촉매의 경우 600$^{\cdot}C$ 에서도 100%의 높은 전환율을 보였다. 일반적인 가스화기에서 배출되는 타르의 농도보다 10배 높은 조건에서도 100%의 높은 전환율을 얻을 수 있었으며, 이를 통하여 실제 공정으로의 적용시에도 후단 공정의 부담을 줄일 수 있는 개질기로 적용 가능할 것으로 보인다.

• The Korean Journal of Rheology
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• v.4 no.2
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• pp.116-126
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• 1992

본 연구에서는 형내압 파형제어 시스템, 초고속, 사출성형, 그리고 금형진공 시스템 등을 갖춘 사출 성형기를 이용하여 정밀 구면렌즈를 성형하기 위한 실험을 수행하였다. 이 러한 목적을 위해 성형공정 변수인 사출시간 충전압력 그리고 보압시간이 성형품에 미치는 영향을 중량과 곡률반경 구면 정밀도 그리고 구면오차의 간접무늬를 측정하여 연구하였다. 그결과로서 성형품의 중량(칫수)과 곡률반경에 지대한 영향력을 행사하는 변수는 충전압력 이며 사출시간과 보압시간은 곡률반경과는 무관해 보이고 중량의 증가에는 기여하지만 공정 사이클 시간을 증가시키는 문제가 지적된다. 구면정밀도 측정실험 결과 길지도 짧지도 않는 15∼20초 사이의 보압시간 4초이내의 빠른 사출시간 그리고 860kg/cm2 이상의 높은 충전압 력에서 우수한 결과를 보여주었다, 마지막으로 구면의 형상에 대한 간접무늬 측정결과는 성 형공정을 이해하는데 강력한 도구가 됨을 발견하였다.

• Journal of Korea Fair Competition Federation
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• no.147
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• pp.48-61
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• 2009

지난 9월부터 10월 동안 공정거래사건과 관련해 대법원에서 10여건의 판결이 선고되었다. 그 중에서 특히, 기업결합 및 그에 따른 구조적 시정조치의 적법성에 관한 판결(2009. 9. 10. 선고 2008두9744 판결) 지원행위 현저성 판단기준에 관한 판결(2009. 9. 24. 선고 2008두9485 판결), 시중은행 대출금리 고정행위의 불공정거래행위 해당 여부에 관한 판결(2009. 10. 29. 선고 2007두20812 판결)등이 주목할 만한 것으로 생각된다. 시장지배적 사업자의 지위남용행위와 불법행위 성립에 관한 판결(2009. 9. 24. 2009두28998 판결), 방문판매법상 과징금납부명령 요건에 관한 판결(2009. 10. 15. 선고 2007두25299 판결), 그리고 과징금의 일부 취소에 관한 판결(2009. 10. 29. 선고 2009두11218 판결)등도 참고할만한 것으로 보인다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.6
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• pp.261-266
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• 2003

The presence of ultrasonic wave in the caustic etching process enhances the etching rate and results in finer and more homogeneous textured structure of the crystalline silicon surface. The silicon solar cell textured in the caustic solution at $60^{\circ}C$ with ultrasonic wave gives higher cell performance than the cell textured at $70^{\circ}C$ without ultrasonic wave. This result indicates a strong possibility of lowering the production cost of the silicon solar cell through saving the thermal budget or expensive chemical normally employed in the texturisation of the crystalline silicon.