Journal of the Korean Academic Society of Industrial Cluster
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v.4
no.1
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pp.51-61
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2010
Digital Signage is outdoor media to provide each content and message through digital displays instead that posters and signs are displayed on public facilities. Recently, digital signage have been popular to deliver variety information and advertising on the rapid development of intelligent digital imaging devices based LCD, LED. Continuously digital signage demand and market are growing because digital signage feature is able to capable of interactive communication. Digital signage is expected that digital advertising market is continue rising in spite of global economic downturn at various research institutions, and it is expected to replace traditional media advertising in a new way with the coming digital signage at convergence media side.
In this study, RF magnetron sputtering was used to investigate the relationship between oxygen vacancy and carrier concentration in a GZO film on an amorphous structure. RF power was fixed at 50W and Ar flow was changed on a glass plate to create a thin film at room temperature. The transmittance of Al-adopted amorphous GZO was measured at 85% or higher; therefore, the transmittance was shown to be outstanding in all films. The hall mobility was also shown to be higher at the film showing the high transmittance at a short-wavelength, whereas the optical energy gap was shown to be higher at the film with high oxygen vacancy. The oxygen vacancy at the amorphous oxide semi-conductor increased the optical energy gap while it was not directly involved in increasing the mobility. The oxygen vacancy increases the carrier concentration while lowering the quality of amorphous structure; such factor, therefore affected the mobility. The increase of amorphous property is a direct way to increase the mobility of amorphous oxide semi-conductor.
한국여성경제단체연합, 여성경제계 위해 공식 출범/발행인 칼럼/'마드리드 출원제도' 적극 활용 상표 침해 줄여라/일본 특허출원 심사기간 단축된다/기업.연구소 신입사원75%, 특허 관련 지식 전무/'주몽'이계인 씨 산자부 홍보대사 위촉/특허등록세, 신청 다음날 내도 된다/특허청, 6시그마 공공부문 혁신 주도/아듀 2006 한국여성발명협회 결산/자문위원 칼럼/로봇시장에도 브랜드 선점 열풍/농산물도 발명특허 상표 등록 시대/도소매업도 서비스업으로 출원 가능/기름대신 물 사용한 자동차, 항공기 현실화/반도체 배선 기술 특허 출원 상승세/자동차는 모바일 엔터네이너/'적외선 감지기술' 우리 생활속으로/서울반도체.바론테크, 일본 특허분쟁 승소/하나TV, 특허권 침해 피소/삼성전자, 분쟁.경쟁 대응위해 특허조직 통합/신한다이아몬드 일본 MDI 특허분쟁 승소/미니인터뷰/나노기술 응용한 디스플레이 특허출원 급증/미국의 두 배인 '휴면 특허', 대책 마련 시급/특허법원 "사용횟수 적다고 상표취소 못해"/종자번식 유전자 변형식물도 특허출원 가능/변리사 1차 시험 합격자 대폭 축소/역사 속의 발명품/하루 10분 발명교실/특허Q&A/신년인터뷰/화장하는 방법도 특허 받는다/'취업에서 결혼까지' 올인원 시스템 화제/아이디어 착상 및 발명 기법/아줌마의 힘이 발휘될 때까지 발명 또 발명/버뱅크의 식물 품종 개량/미국 청년, 몸짱 선탠용 티셔츠 발명/스위스, 국가경쟁력 1위의 비밀/저지방식,'유방암' 제발 위험 감소/서울대, 세계최초 암캐 복제 성공/국가 R&D 특허조사, 전체 R&D 부처로 확대/전국 초.중생 발명 글짓기.만화현상 공모전/특허청, 공공부문 성과주의 대통령상/한국여성발명협회 회원사 발명품 가이드
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.214.1-214.1
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2015
Thin-film transistors (TFTs)의 채널층으로 널리 쓰이는 indium-gallium-zinc oxide (IGZO)는 높은 전자 이동도(약 10 cm2/Vs)를 나타내며 유기 발광 다이오드디스플레이(OLED)와 대면적 액정 디스플레이(LCD)에 필수적으로 사용되고 있다. 하지만, 이러한 재료는 우수한 TFT의 채널층의 특성을 가지는 반면, ZnO 기반 재료이기 때문에 소자 구동에서의 안정성은 가장 큰 문제로 남아있다. 따라서 최근, IGZO layer의 특성을 향상시키기 위한 연구가 다양한 방법으로 시도되고 있다. IGZO의 조성비를 조절하여 전기적 특성을 최적화거나 IGZO layer의 조성 중 Ga을 다른 금속 메탈로 대체하는 연구도 이루어지고 있다. 그러나 IGZO에 미량의 도펀트를 첨가하여 박막 특성 변화를 관찰한 연구는 거의 진행되지 않고 있다. 산화물 TFTs의 전기적 특성과 안정성은 산소 함량에 영향을 많이 받는 것으로 알려져 있으며, 더욱이 TFT 채널층으로 쓰이는 IGZO 박막의 고유한 산소 공공은 디바이스 작동 중 열적으로 활성화 되어 이온화 상태가 될 때 소자의 안정성을 저하시키는 것이 문제점으로 지적되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 낮은 전기 음성도(1.22)와 표준전극전위(-2.372 V)를 가지며 산소와의 높은 본드 엔탈피 값(719.6 kJ/mol)을 가짐으로써 산소 공공생성을 억제할 것으로 기대되는 yttrium을 IGZO의 도펀트로 도입하였다. 따라서 본 연구에서는 Y-IGZO의 박막 특성 변화를 관찰하고자 한다. 본 연구에서는 magnetron co-sputtering법으로 IGZO 타깃(DC)과 Y2O3 타깃(RF)를 이용하여 기판 가열 없이 동시 방전을 이용해 non-alkali glass 기판 위에 증착 하였다. IGZO 타깃은 DC power 110 W으로 고정하였으며 Y2O3 타깃에는 RF Power를 50 W에서 110 W까지 증가시키면서 Y 도핑량을 조절하였다. Working pressure는 고 순도 Ar을 20 sccm 주입하여 0.7 Pa로 고정하였다. 모든 실험은 $50{\times}50mm$ 기판 위에 총 두께 $50nm{\pm}2$ 박막을 증착 하였으며, 그 함량에 따른 전기적 특성 및 광학적 특성을 살펴보았다. 또한, IGZO 박막 제조 시 박막의 안정화를 위해 열처리과정은 필수적이다. 하지만 본 연구에서는 열처리를 진행하지 않고 Y-IGZO의 안정성 개선 여부를 보기 위하여 20일 동안 상온에서 방치하여 그 전기적 특성변화를 관찰하였다. 나아가 Y-IGZO 채널 층을 갖는 TFT 소자를 제조하여 소자 구동 특성을 관찰 하였다. Y2O3 타깃에 가해지는 RF Power가 70 W 일 때 Y-IGZO박막은 IGZO박막과 비교하여 상대적으로 캐리어 밀도는 낮은 반면 이동도는 높은 최적 특성을 얻을 수 있었다. 상온방치 결과 Y-IGZO박막은 IGZO박막에 비해 전기적 특성 변화 폭이 적었으며 이것은 Y 도펀트에 의한 안정성 개선의 결과로 예상된다. 투과도는 Y 도핑에 의하여 약 1.6 % 정도 상승하였으며 밴드 갭 내에서 결함 준위로 작용하는 산소공공의 억제로 인한 결과로 판단된다.
Kim, Ju Yoon;Sung, Ki Kwang;Kim, Ji Ho;Park, Hyeon Cheol;Choi, Ah Rum
Journal of Appropriate Technology
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v.6
no.2
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pp.146-150
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2020
Assistive technologies for people with disabilities are often marginalized in the Fourth Industrial Revolution. In this paper, we intend to present the possibility of acquiring tactile information through the tactile display adapting an electromagnetic actuator. The multi-layered display designed for tactile communication has innovatively narrowed the size and spacing of cells in order to express pictures, maps, and graphics. This display has enabled the visually impaired to touch two-dimensional information combining with other assistive technologies so that. It would also provide a technical source of access to STEM education (Science, Technology, Engineering, and Mathematics) so that students will perform better and be better prepared for advanced education. Moreover, it can be applied to public infrastructure and transportation in smart-city projects on the globe. Hence, this paper introduces the principle of Electromagnetic-actuator and how it can be utilized in many diverse areas.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.61.2-61.2
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2011
넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도를 가진 산화물 반도체는 기존의 Si 기반 TFT 소자를 대체할 차세대 디스플레이의 핵심 소재기술로 관심이 높아지고 있다. 그러나 대표적인 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O (IGZO)에 포함된 인듐의 수요 증가에 따른 가격 급등 문제로 이를 대체할 수 있는 새로운 산화물 반도체 재료에 대한 연구의 필요성이 대두되고 있다. 이에 비교적 저가의 물질로 구성된 Zn-Sn-O계 산화물 소재에 대한 연구가 진행된 바 있으나, 높은 수준의 캐리어 농도를 가지고 있어 TFT 채널용 반도체소재로 적용되기 위해서는 이를 $10^{17}\;cm^{-3}$ 이하로 조절할 수 있는 기술개발이 요구된다. 본 연구는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착된 Ga-Zn-Sn-O (GZTO) 박막의 갈륨 첨가에 따른 특성변화를 조사하였다. GZO ($Ga_2O_3$ 5wt%)와 $SnO_2$ 타켓의 인가 파워를 고정한 상태에서 $Ga_2O_3$ 타켓의 인가 파워를 0~100W로 조절하여 박막 내 Ga 함량을 증가시켰다. 제조된 모든 GZTO 박막은 Ga함량에 관계없이 비정질 구조를 가지며 가시광 영역에서 약 78%의 우수한 투과율을 나타낸다. Ga 함량에 따라 박막의 구조적, 광학적 특성은 크게 변하지 않지만 전기적 특성은 뚜렷한 변화를 나타냈다. $Ga_2O_3$ 파워가 증가할수록 박막 내 캐리어 농도와 이동도의 감소로 비저항이 크게 증가하는데 특히 캐리어 농도는 $Ga_2O_3$ 파워가 0에서 100W로 증가할 때 $2{\times}10^{18}$에서 $8{\times}10^{14}\;cm^{-3}$으로 감소하였다. 이는 Ga-O의 화학적 결합 에너지가 다른 원소들(Zn 또는 In)에 비해 커서 박막 내 산소공공의 감소가 야기되었기 때문이다. 이러한 전기물성의 변화를 이해하기 위해 XPS 분석을 수행하였다. 제조된 GZTO 박막은 $Ga_2O_3$ 파워가 증가함에 따라 O 1s peak에서 산소공공과 관련된 530.8 eV peak의 intensity가 감소한다. 따라서 Ga을 첨가에 따른 캐리어 농도의 감소는 산소공공의 발생억제로 기인한 것으로 판단되며, 본 연구결과는 ZTO계 비정질 산화물 반도체의 활용가능성을 제시하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.19
no.6
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pp.1359-1367
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2015
Digital Signage is a service which displays a variety of information or advertizement on digital display connected with communication network in commercial or public places. In this paper, We present a digital signage software solution named Xibo4u providing personalized advertisement. Xibo4u is composed of a server managing category and contents of advertisement, digital displays showing advertisement based on the categories specific to customers, and a smartphone application which enables customers to designate their favorite categories of advertisement. Xibo4u is developed by extending the Xibo open source software.
We have investigated the effect of the concentration of oxygen vacancies on the characteristics of Mo-doped ZnO (MZO) thin films for the TCO (transparent conducting oxide). For this purpose, MZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering at different substrate temperature from room temperature to 300℃. The electrical resistivity of the MZO films decreases with increasing substrate temperature up to 100℃ and then gradually increases at higher temperatures. To investigate the influences of the ambient gases, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon was varied from 0.1 sccm to 0.5 sccm. The MZO thin films were preferentially oriented to the (002) direction, regardless of the ambient gases used. The electrical resistivity of the MZO thin films increased with increasing O2 flow rates, whereas the electrical resistivity decreased sharply under an Ar+H2 atmosphere and was nearly the same, regardless of the H2 flow rate used. As the oxygen vacancy concentration increases, the resistivity intended to decrease. In conclusion, Oxygen vacancy affects the MZO thin film's electrical characteristics. All the films showed an average transmittance of over 80% in the visible range.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.3
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pp.190-196
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2016
This paper proposes a humanoid robot performance system for performing in public places, such as an event, exhibition, or street performance. The system of modular structures can be moved easily, and can be played by a module or a combination of modules. The system developed with open source-based software and hardware is easy to adapt and improve. The robot performance control program for controlling robots, displays, audios, videos, and performance instruments was developed using the open source language, Processing. The performance instruments were developed using the open source hardware, Arduino. The contents of the robot performance were composed of scene-specific image, background audio, computer graphics, and videos. For their control and synchronization, the performance control program communicates with the humanoid robots and the performance instruments. In addition, performance accessories required to represent the performance concepts are produced by 3D modeling and printing. In a public place, the robot performance is performed with the theme of celebrating a Halloween day.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.233-233
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2014
InGaZnO 박막트랜지스터(TFT)는 기존의 널리 사용되던 비정질 실리콘보다 높은 전하이동도와 Ion/off, 우수한 균일성과 신뢰성의 장점으로 최근 AMOLED양산에 적용되기 시작 하였다. 그러나 60인치 이상의 대면적 디스플레이와 초고해상도의 성능을 동시에 만족하기 위해 10 cm2/Vs정도의 전하이동도를 가지는 InGaZnO로는 한계가 있어 30 cm2/Vs 이상의 전하이동도를 가지는 물질의 연구가 필요하다. 연구에서는 높은 전하이동도를 만족하기 위해 InO2를, 우수한 신뢰성을 가지는 SnO2를 포함하는 InZnSnO로 실험을 진행하였다. 스퍼터링 시스템에서 ITO 타겟과 ZTO 타겟을 사용하여 동시증착법으로 채널을 증착하였고, 산소 분압 변화시에 IZTO TFT 소자 특성의 의존성을 평가하였다. Ar : O2=10 : 0 일 때와 Ar : O2=7 : 3 일 때의 이동도가 각각 12.6cm2/Vs, 19.7cm2/Vs로 산소 비율이 증가함에 따라 전하이동도가 증가하였다. 기존 IGZO 산화물 반도체에서는 산소 비율이 증가하면 산소공공(VO) 농도감소로 인해 전하이동도가 감소한다. 이는 전하농도가 증가하면 전하이동도가 증가하는 percolation 전도기구로 이해할 수 있다. 그러나 본 IZTO 물질에서는 산소비율 증가에 따라 오히려 전하이동도가 증가하였는데, 이는 IZTO 반도체에 함유된 Sn 이온의 가전자상태가 +2/+4가의 상대적 비율이 산소농도에 따라 의존하기 때문인 것으로 분석되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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